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公开(公告)号：CN109553415B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910068506.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B；将A和B混合形成絮状不溶物，溶解不溶物，再加热得到PbZr1‑xTixO3溶胶溶液，作为溶液C；将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D；将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜，经过烘烤形成干膜，干膜退火处理形成一层薄膜；重复镀膜，获得具有厚度的薄膜；用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极，制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。
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公开(公告)号：CN108444965A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810230348.8
申请日：2018-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，涉及材料物性分析领域。本发明是为了解决现有的用于检测压电材料相变过程的接触式相变检测方式工艺复杂并且工作效率低的问题。将稀土离子均匀掺入压电材料中，高温烧结得到陶瓷片；将陶瓷片置于暗室环境，对陶瓷片施加不同强度的外加场并用光源激发陶瓷片，通过收集陶瓷片中的稀土离子在可见波段的发射谱信息能够得到陶瓷片中的压电材料在外加场下的结构相变；根据发射谱信息得到发射谱区间强度积分，从中提取陶瓷片中稀土离子的电偶极跃迁强度和磁偶极跃迁强度；绘制电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值随外加场变化曲线，曲线的峰值区间为压电材料结构发生相变的区间。它用于测定压电材料的结构相变。
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公开(公告)号：CN105568219B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201511029173.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用，涉及一种铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用。本发明是要解决现有光学式应力传感技术基于监测样品形状的改变而灵敏度有待提高的问题，提出利用镨离子的发光特性监测应力的新方法。方法：一、镨掺杂铌酸钾钠靶材的制备；二、镨掺杂铌酸钾钠薄膜的气相法制备。本发明是要通过监测应力引起的材料发光特性的改变实现应力的高灵敏度传感，解决现有光学式应力传感技术灵敏度低的问题。本发明提出的薄膜沉积方法操作简单，可在不同种类衬底上实现镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备，利于规模化生产。本发明用于制备镨掺杂铌酸钾钠薄膜。
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公开(公告)号：CN105084898B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510482816.7
申请日：2015-08-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料，本发明涉及一种低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷材料、制备方法及其应用。本发明要解决现有PIN‑PMN‑PT陶瓷烧结温度高，铅挥发严重引发环境污染、材料性能下降、生产成本高的问题。陶瓷材料的化学通式为xPb(In1/2Nb1/2)O3‑(1‑x‑y)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑yPbTiO3‑awt.％CuO。方法：一、固相反应合成MgNb2O6前驱体；二、固相反应合成InNbO4前驱体；三、固相反应合成PIN‑PMN‑PT基体粉体；四、固相合成技术结合流延叠层工艺制备低温烧结三元系弛豫铁电陶瓷。本发明用于制备大功率压电蜂鸣器和多层压电器件。
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公开(公告)号：CN106442434A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610872362.9
申请日：2016-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/63
CPC classification number: G01N21/63
Abstract: 基于镨掺杂铌酸钾钠发光特性的氧气传感测量方法，本发明涉及光学气敏传感技术领域，它为了解决现有基于氧化物发光特性的氧气传感方法响应度较低的问题。测量方法：一、将摩尔掺杂浓度为0.1％～1％的镨掺杂铌酸钾钠在氩气中退火处理；二、采用波长为280～380nm激发光测试退火后的镨掺杂铌酸钾钠在不同氧气浓度气氛下的光致发光谱；三、依据镨离子的3P0-3H4发光峰的强度依赖于气氛中氧气浓度的关系，建立标准曲线，从而通过标准曲线测定待测气氛中的氧气浓度。本发明中依据退火处理后镨掺杂铌酸钾钠发光特性对氧气浓度的传感特性，实现了100％氧气浓度条件下响应度达到了300％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103837517B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201410113809.5
申请日：2014-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 金属薄膜/氧化锌纳米棒阵列荧光增强材料的制备方法，它涉及一种新型的用于高性能荧光增强的金属薄膜/ZnO纳米棒阵列基底设计方案及其制备工艺。本发明是为了满足现有ZnO纳米棒阵列荧光增强基底的荧光增强效果亟待进一步提高，进而促进其在生物传感和探测器件领域产业化应用的强烈需求。方法为：一、衬底的清洗；二、金属薄膜的制备；三、ZnO纳米棒阵列的制备；四、金属薄膜/ZnO纳米棒阵列荧光增强的检测。本发明应用于基础生物荧光传感探测、细胞成像、环境检测，医疗实时监测、光敏探测等器件应用领域。
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公开(公告)号：CN105568219A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511029173.7
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0688 , G01L1/24
Abstract: 一种镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用，涉及一种铌酸钾钠薄膜的制备方法及其应用。本发明是要解决现有光学式应力传感技术基于监测样品形状的改变而灵敏度有待提高的问题，提出利用镨离子的发光特性监测应力的新方法。方法：一、镨掺杂铌酸钾钠靶材的制备；二、镨掺杂铌酸钾钠薄膜的气相法制备。本发明是要通过监测应力引起的材料发光特性的改变实现应力的高灵敏度传感，解决现有光学式应力传感技术灵敏度低的问题。本发明提出的薄膜沉积方法操作简单，可在不同种类衬底上实现镨掺杂铌酸钾钠薄膜的制备，利于规模化生产。本发明用于制备镨掺杂铌酸钾钠薄膜。
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公开(公告)号：CN103042232B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310033916.2
申请日：2013-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以ZnCl2为锌源一步溶剂热法制备锌锑合金纳米材料的方法，本发明涉及制备锌锑合金纳米材料的方法。本发明是要解决以锌粉为锌源的锌锑合金纳米材料制备方法存在杂质多、毒性大、粒径可控性差的缺陷。制备方法为：一、配备反应原料；二、制备预产物；三、洗涤并干燥预产物制得锌锑合金纳米材料。本发明成本低廉，需要的反应设备简单，控制性与重复性好；降低了制备锌锑合金纳米材料的反应温度，节约了能源，实现锌锑合金纳米材料的一步法获得，步骤简单，操作方便。本发明用于制备锌锑合金纳米材料。
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公开(公告)号：CN103911663A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410154971.1
申请日：2014-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn，其中，0.01
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公开(公告)号：CN103864828A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410133761.4
申请日：2014-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有混合配体的三维铟配位聚合物及其合成方法和应用，涉及一种三维铟配位聚合物及其合成方法和应用。本发明是要解决现有蓝色荧光有机发光材料的合成成本高，热稳定性差的技术问题。本发明的一种含有混合配体的三维铟配位聚合物的分子式为C66H42In8N6O45，结构式为：本发明的合成方法为：将2,6-吡啶二甲酸、对苯二甲酸和硝酸铟置于蒸馏水中，在室温下搅拌至混合均匀，调节体系pH值后，放入内衬为聚四氟乙烯的不锈钢反应釜中反应后降至室温，得到黄色六棱状晶体，即得。本发明的含有混合配体的三维铟配位聚合物可作为金属有机蓝色发光材料使用。本发明应用于有机发光材料的制备领域。
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