公开(公告)号：CN108444965A

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201810230348.8

申请日：2018-03-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 姜桂铖 ,  柴晨凯 ,  杨彬 ,  刘丹青 ,  郑立梅 ,  孙晔 ,  曹文武

IPC: G01N21/64 ,  G01N1/28 ,  G01N1/44

Abstract: 荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，涉及材料物性分析领域。本发明是为了解决现有的用于检测压电材料相变过程的接触式相变检测方式工艺复杂并且工作效率低的问题。将稀土离子均匀掺入压电材料中，高温烧结得到陶瓷片；将陶瓷片置于暗室环境，对陶瓷片施加不同强度的外加场并用光源激发陶瓷片，通过收集陶瓷片中的稀土离子在可见波段的发射谱信息能够得到陶瓷片中的压电材料在外加场下的结构相变；根据发射谱信息得到发射谱区间强度积分，从中提取陶瓷片中稀土离子的电偶极跃迁强度和磁偶极跃迁强度；绘制电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值随外加场变化曲线，曲线的峰值区间为压电材料结构发生相变的区间。它用于测定压电材料的结构相变。