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公开(公告)号：CN104693798B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510136852.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料，即完成。本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10-3。本发明应用于在PCB基板以及嵌入型电容器领域。
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公开(公告)号：CN103951194B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410160605.7
申请日：2014-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种水基流延成型制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法，它涉及一种制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法。本发明要解决现有制备MAS系微晶玻璃电子基板的方法中有机溶剂的使用对人体和环境有危害、生产过程存在安全隐患、生产成本较高及数据传输过程中信号接收慢的问题。本发明方法：一、制备MAS系玻璃粉体；二、MAS水基浆料的制备；三、制备玻璃生带；四、制备基板材料生坯；五、烧结。本发明方法降低对人体和环境的危害，降低生产过程中的安全隐患，成本低，解决了数据传输过程中信号接收慢的问题。本发明用于MAS系微晶玻璃电子基板的制备。
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公开(公告)号：CN104693799A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510148269.9
申请日：2015-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08K9/06 , C08G73/0644 , C08K3/22 , C08L2201/08 , C08L2203/20 , C08L79/04
Abstract: 一种高频PCB基板用超低损耗树脂基复合材料及其制备方法，涉及一种陶瓷颗粒增强树脂基复合材料及其制备方法。本发明是要解决现有的树脂基复合材料的介电损耗较高的问题。该复合材料由Ni0.5Ti0.5NbO4陶瓷粉末和双酚A型氰酸酯树脂组成。方法：一、使用KH550对Ni0.5Ti0.5NbO4陶瓷粉末进行表面修饰；二、将经表面修饰的陶瓷粉末和双酚A型氰酸酯树脂单体置于油浴中搅拌，得混合物；三、将混合物倒入预热的模具中，抽真空，固化，固化过后随炉冷却至室温后脱模，即得到Ni0.5Ti0.5NbO4/CE树脂基复合材料。本发明的树脂基复合材料具有优良的介电性能，其介电常数连续可调。本发明用于复合材料领域。
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公开(公告)号：CN103922746A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410160590.4
申请日：2014-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/583 , C04B35/622
Abstract: 一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法，它涉及一种制备氮化硅陶瓷材料的方法。本发明的目的是要解决现有制备致密氮化硅陶瓷材料的方法成本高，烧结块体积小，后续加工困难，致密度低，强度差和制备致密异形氮化硅陶瓷材料致密度低和强度差的问题。致密氮化硅陶瓷材料的方法的制备方法：一、添加烧结助剂；二、制备浆料；三、制备氮化硅陶瓷生带；四、制备排胶后的氮化硅基板生坯；五、烧结。致密异形氮化硅陶瓷材料的制备方法：一、添加烧结助剂；二、制备浆料；三、制备氮化硅陶瓷生带；四、制备排胶后的异形氮化硅材料生坯；五、烧结。本发明可获得致密氮化硅陶瓷材料和致密异形氮化硅陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN103304252A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310233416.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法，本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决多孔Si3N4微米级孔隙难以用于隔热领域和纯SiO2气凝胶强度太低难以直接应用的问题。方法：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备多孔Si3N4；四、制备SiO2溶胶；五、得到SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。本发明制备的复合材料抗压强度为5～50MPa，常温下的导热系数为0.03～0.08w/(m·K)，介电常数1.40～1.80，介电损耗正切角0.1～3×10-2，密度0.38～0.8g/cm3，平均孔径8～30nm。本发明用于制备SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105459564A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510822753.5
申请日：2015-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B37/06 , B32B37/10 , B32B9/04 , B32B9/00 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/565 , C04B35/584
CPC classification number: B32B37/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B37/1018 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/94 , C04B2235/96
Abstract: 界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明的目的是为了解决单一的氮化硅陶瓷和碳化硅陶瓷材料的脆性较大，易断裂的技术问题。本方法如下：一、陶瓷浆料的制备；二、制备Si3N4生带、SiC生带以及烧结助剂生带；三、制备Si3N4/SiC片层复合材料生坯；四、制备界面自韧化Si3N4/SiC片层陶瓷材料。其中，界面处大量存在的烧结助剂有利于氮化硅棒晶生长，大尺寸的氮化硅棒晶将氮化硅层与碳化硅层连接起来，产生界面自韧化的效果。材料的弯曲强度大于700MPa，收缩率﹤15％，同时，其韧性可到16MPa·m1/2以上，完全可以满足高韧性陶瓷材料的使用要求。本材料的断裂功﹥6KJ/m2，材料的断裂预警明确，具有高的安全系数。本发明属于陶瓷材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN104945002A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510312802.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种陶瓷/树脂复合材料制备多层器件的方法，它涉及制备多层器件的方法。它要解决现有LTCC技术所存在烧结温度高、收缩率难以控制、金属电极易于与陶瓷发生界面反应以及脆性高的问题。方法：一、制备悬浊液；二、制备浆料；三、浆料除泡后进行流延成型，得陶瓷生带；四、陶瓷生带进行裁剪，采用丝网印刷的方法印制导电银浆作为电路，叠压，排胶后，得微波介质陶瓷的多孔预制体；五、树脂浸渍到多孔预制体内部，固化，脱模后，即完成。本发明的工艺温度低，在制备过程中材料没有任何收缩，避免了LTCC共烧过程中电路中的导电电极与陶瓷之间的界面反应和扩散，制备的多层器件具有较高的介电常数和较低的介电损耗，且韧性高、加工性能优良。
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公开(公告)号：CN104693798A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510136852.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料，即完成。本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10-3。本发明应用于在PCB基板以及嵌入型电容器领域。
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公开(公告)号：CN104693688A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510136815.7
申请日：2015-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08L63/00 , C08L79/04 , C08K3/22 , C04B35/622
Abstract: PCB基板用微波介质陶瓷/树脂双连续复合材料的制备方法，它涉及一种树脂基复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的陶瓷/树脂复合材料介电常数低且介电损耗大的技术问题。制备方法：一、制备浆料；二、制备定向孔分布的多孔陶瓷生坯；三、制备多孔微波介质陶瓷预制体；四、将温度为室温～-20℃的树脂倒入模具中，抽真空至熔化的树脂完全进入多孔微波介质陶瓷预制体内，固化，即得。由于微波介质陶瓷多孔预制体的比表面积大大低于粉体的比表面积，因此有利于降低界面极化，从而降低介电损耗；此外，可以根据材料要求制备出不同陶瓷含量的复合材料，介电常数可调。本发明属于复合材料的制备领域。
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公开(公告)号：CN103304252B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310233416.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 一种SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料的制备方法，本发明涉及复合材料的制备方法。本发明要解决多孔Si3N4微米级孔隙难以用于隔热领域和纯SiO2气凝胶强度太低难以直接应用的问题。方法：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备多孔Si3N4；四、制备SiO2溶胶；五、得到SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。本发明制备的复合材料抗压强度为5～50MPa，常温下的导热系数为0.03～0.08w/(m·K)，介电常数1.40～1.80，介电损耗正切角0.1～3×10-2，密度0.38～0.8g/cm3，平均孔径8～30nm。本发明用于制备SiO2气凝胶/多孔Si3N4复合材料。
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