公开(公告)号：CN104693798B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510136852.8

申请日：2015-03-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  张标 ,  高晔 ,  刘仕超 ,  刘强 ,  刘立盟

IPC: C08L79/04 ,  C08K3/22 ,  C08G73/06 ,  C04B26/10 ,  C04B14/30

Abstract: 一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料，即完成。本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10-3。本发明应用于在PCB基板以及嵌入型电容器领域。

公开(公告)号：CN104693798A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510136852.8

申请日：2015-03-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  张标 ,  高晔 ,  刘仕超 ,  刘强 ,  刘立盟

IPC: C08L79/04 ,  C08K3/22 ,  C08G73/06 ,  C04B26/10 ,  C04B14/30

CPC classification number: C08K3/22 ,  C04B26/10 ,  C08G73/06 ,  C08L2203/20 ,  C08L79/04 ,  C04B14/30

Abstract: 一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料，即完成。本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10-3。本发明应用于在PCB基板以及嵌入型电容器领域。