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公开(公告)号:CN114231620A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111664796.7
申请日:2021-12-31
Applicant: 吉林大学第一医院
IPC: C12Q1/6883
Abstract: 本发明公开了UQCC1基因多态性在中重度MAFLD诊断中的应用,所述基因多态性位点为rs878639。通过对MAFLD的样本进行SNP检测,首次发现了rs878639与中重度MAFLD相关,在非MAFLD和轻度MAFLD受试者与中重度MAFLD受试者中存在显著性差异。可以通过检测rs878639的基因型判断受试者是否患有中重度MAFLD。
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公开(公告)号:CN101383415A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200810051287.5
申请日:2008-10-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种高能量密度的锂离子二次电池负极材料,该负极材料的制备方法,以及以该负极材料用于组装锂离子二次电池。以氮化锂、钴、铜金属粉末为原料,研磨成均匀粉末混合物后压制成薄片,在高纯氮气下,在20~630℃温度范围内,以5~10℃/min的速度升温,然后在630~660℃温度范围内烧结8~20小时,最后在氮气保护下自然冷却至20~30℃,即得锂离子二次电池负极材料Li2.6Co0.25Cu0.15N。该负极材料与Cu0.04V2O5组成全电池,在1~3.4伏的电压区间充放电,首次充电比容量达262mAh/g,放电容量达260mAh/g,效率接近100%,比能量可达505mWh/g。
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公开(公告)号:CN118841726A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202410838045.X
申请日:2024-06-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关及其控制方法,属于太赫兹片上有源器件技术领域,所述单刀双掷开关包括三波导耦合结构、三波导分束结构、输入端口、输出端口及自支撑硅框架;所述三波导耦合结构与三波导分束结构连接,输入端口与输出端口分别与三波导耦合结构和三波导分束结构相接,用以接收和传出太赫兹信号;所述自支撑硅框架为中空结构,自支撑硅框架的非中空结构与输入端口和输出端口上下相接并包围三波导耦合结构和三波导分束结构,从而实现器件的无衬底自支撑。该单刀双掷开关的三条硅基太赫兹波导通过等效介质连接全硅框架从而实现器件的无衬底自支撑,通过外部激光泵浦诱导高阻硅材料,产生光电流从而发生非厄米效应,进而实现输出端口的切换以及相应非输出端口的隔离。
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公开(公告)号:CN119265106A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202411597368.0
申请日:2024-11-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C12N5/071
Abstract: 本发明适用于细胞分离培养技术领域,提供了一种猪鼻粘膜上皮细胞分离培养方法。本发明采用混合酶过夜消化法,有效清除粘膜组织黏液,实现更完全的消化。通过差速贴壁技术,获得纯度较高的猪鼻粘膜上皮细胞。并在首次换液时将培养基更换为含EGF和维生素A的完全培养基,为上皮细胞提供稳定且优良的体外生长环境。该方法不仅快速准确地分离原代细胞,还确保了上皮细胞培养状态的稳定性和优质性。本发明填补了猪鼻粘膜原代细胞分离研究的空白,旨在构建简单易行、重复性高的原代猪鼻粘膜上皮细胞体外模型,该模型能够模拟猪鼻粘膜的生理学和形态学特征,为呼吸道病原体感染机制、呼吸系统疾病药物筛选和基因疗法等研究提供了可靠的体外实验基础。
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公开(公告)号:CN101391816A
公开(公告)日:2009-03-25
申请号:CN200810051328.0
申请日:2008-10-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及锂离子二次电池正极材料及其草酸盐制备方法。该材料分子式为CrxV2O5,0<x≤0.1。制备方法是以摩尔比Cr∶V=x∶2的五氧化二钒V2O、硝酸铬Cr(NO3)3·9H2O为原料,加水和草酸C2H2O4·2H2O搅拌形成凝胶;烘干磨粉;在300~400℃下烧结,保温5~10小时。该制备方法简单易行,工艺要求低,易于工业批量生产。合成的正极材料具有单相、结构稳定、能量密度高、电化学容量大、循环性能好等特点,尤其在高电流密度下的电化学性能更为优良。
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