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公开(公告)号：CN102747398B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210224927.4
申请日：2012-07-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料及其制备方法属于半导体异质结构材料的技术领域。功能材料由隆起部分和低谷部分周期性交替组装而成；隆起部分是由纳米CuO堆积形成，低谷部分是由纳米In2O3堆积形成；一条隆起的CuO和相邻的一条低谷的In2O3构成一个周期。制备方法是在硝酸根存在的溶液中，在方波电势的作用下，Cu2O和In(OH)3被交替沉积出来，再经过高温处理过程，得到CuO和In2O3异质周期结构材料。本发明制备出的功能材料具有良好光学、电学、气敏性质和较高的稳定性；本发明采用不同频率的生长电压制备出周期不同的异质结构材料，具有生长面积可控、周期性可调的特点。
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公开(公告)号：CN102616830A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105253.6
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒；岩盐矿CdS稀磁半导体的禁带宽度为1.5～1.7eV，并且是一种间接带隙半导体，通过岩盐矿和闪锌矿结构结合，带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化，同时因为它具有室温铁磁性，将是各种光电子和磁光器件的理想材料。
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公开(公告)号：CN102565284A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110455860.0
申请日：2011-12-31
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明的氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法属于气体敏感材料相关的技术领域。气敏材料的结构是Cu2O和SnO2呈长条状并列，周期性交替组装形成的膜材料，生长在硅片基底上；Cu2O材料堆积较厚成隆起部分，SnO2材料堆积较薄成低谷部分。制备方法是在硅衬底上并列平放两铜箔电极，电极间滴入硝酸铜和氯化亚锡配置的电解液，盖上盖玻片，制冷凝固再加半正弦波电压，使Cu2O和SnO2周期性交替沉积。本发明的异质阵列结构气敏材料不仅具有材料本身各自的气敏特性，也因材料具有稳定有序的异质结构，使气敏元件在室温下的灵敏度更高，寿命更长，同时可以节约能源，保护环境。
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公开(公告)号：CN101941738B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010245709.X
申请日：2010-08-05
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G51/00
Abstract: 本发明的气液表面反应制备Cd1-xCoxS稀磁半导体纳米颗粒的方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。是在反应室内进行气液表面反应，反应室内底部放置球面向上的球缺形玻璃台，球面是被均匀打磨过的；首先抽取醋酸镉溶液、醋酸钴溶液、PVP溶液和去离子水混合均匀配制成待反应液；其次进行气液表面反应，向反应室内通入H2S气体，将待反应液滴入到玻璃台的球面上；最后提取反应后溶液，用去离子水和乙醇进行离心清洗。本发明的方法制得的Cd1-xCoxS纳米颗粒饱和磁化强度较大，且颗粒大小较为均一。
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公开(公告)号：CN101845651A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910218125.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法属于电化学沉积的方法制备纳米结构材料的技术领域。具体制备过程：采用去离子水、硝酸镉配置电解液；将两片镉箔电极平行的放在水平放置的硅片基底上，在两电极间倒入电解液，在电极上罩上盖玻片，放入温度控制系统；对电解液进行制冷结冰；放置约一小时后施加-1.5～-0.4V稳定的电压；实时观察基底上生成纳米阵列；最后用去离子水清洗基底，得到氧化镉纳米结构材料。本发明合成方法简单，制备过程中没有添加任何添加剂；制备成本低，无需模板；制备过程简洁，样品不需经过加热氧化处理；制备过程可控性高，可通过控制生长电压控制样品生长速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108275662B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201810104794.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法，属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。具体采用气液反应和气固反应两步反应过程，首先利用硼酸和去离子水配制成待反应液，然后通入氨气生成五硼酸铵；再将五硼酸铵在880～980℃氮化处理，最后用盐酸水溶液、去离子水和酒精分别清洗并烘干，将得到的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料保存为固体。本发明对于现有的制备方法具有反应易于实现、反应装置易于搭建、原材料易于取得、对环境无污染、制备成本低等优点，并且合成的稀磁半导体纳米材料颗粒均匀、磁饱和强度大。
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公开(公告)号：CN108275662A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810104794.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料的制备方法，属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。具体采用气液反应和气固反应两步反应过程，首先利用硼酸和去离子水配制成待反应液，然后通入氨气生成五硼酸铵；再将五硼酸铵在880～980℃氮化处理，最后用盐酸水溶液、去离子水和酒精分别清洗并烘干，将得到的氧掺杂六方氮化硼稀磁半导体纳米材料保存为固体。本发明对于现有的制备方法具有反应易于实现、反应装置易于搭建、原材料易于取得、对环境无污染、制备成本低等优点，并且合成的稀磁半导体纳米材料颗粒均匀、磁饱和强度大。
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公开(公告)号：CN105714351B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201610298064.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法属于功能纳米材料相关的技术领域。把硅片放置在TEC上面，在硅片上平行放置两个锌箔电极，在电极之间滴加Zn(NO3)2电解液，盖上PET薄片，利用TEC与循环水浴使硅片与PET薄片之间形成一个冰层，静置30分钟后在两电极之间施加直流电压，待沉积物停止生长，将所得产物用去离子水清洗，得到生长了ZnO纳米片薄膜的柔性塑料衬底。本发明中生长在柔性衬底的纳米材料在柔性电子学、柔性光学、柔性传感器等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN107473260A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710809651.9
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明的孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法属于晶体材料制备技术领域。使用简单的实验装置并利用气体和液体化学反应无机合成及热处理方法制备孪晶氧化铜掺铕材料，有配置气体和液体化学反应所需的原料、气体和液体化学反应及热处理制备孪晶氧化铜掺铕材料等步骤。本发明制备的样品具有独特的孪晶晶体结构，拥有特殊的 孪晶晶面的氧化铜掺铕材料在光、电、磁学材料等领域具有潜在的应用前景。此外，本发明实现了对孪晶氧化铜半导体材料进行有效的稀土元素掺杂，丰富了孪晶氧化铜材料的晶体结构，使其具有较高的室温饱和磁化强度，是一种潜在的稀磁半导体材料，对自旋电子器件及非易失性存储器等方面的研究具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN102616830B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210105253.6
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒；岩盐矿CdS稀磁半导体的禁带宽度为1.5～1.7eV，并且是一种间接带隙半导体，通过岩盐矿和闪锌矿结构结合，带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化，同时因为它具有室温铁磁性，将是各种光电子和磁光器件的理想材料。
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