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公开(公告)号：CN107473260A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710809651.9
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明的孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法属于晶体材料制备技术领域。使用简单的实验装置并利用气体和液体化学反应无机合成及热处理方法制备孪晶氧化铜掺铕材料，有配置气体和液体化学反应所需的原料、气体和液体化学反应及热处理制备孪晶氧化铜掺铕材料等步骤。本发明制备的样品具有独特的孪晶晶体结构，拥有特殊的 孪晶晶面的氧化铜掺铕材料在光、电、磁学材料等领域具有潜在的应用前景。此外，本发明实现了对孪晶氧化铜半导体材料进行有效的稀土元素掺杂，丰富了孪晶氧化铜材料的晶体结构，使其具有较高的室温饱和磁化强度，是一种潜在的稀磁半导体材料，对自旋电子器件及非易失性存储器等方面的研究具有重要的价值。
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公开(公告)号：CN107445194B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201710809656.1
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料的制备方法属于量子点纳米材料制备的技术领域，有配制待反应溶液、气体和液体化学反应制备掺铈硫化铜材料、产物提纯等步骤。本发明具有成本低廉、实验装置简易，操作简单等特点，制备的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料具有较高的比电容量，可用于制备超级电容器电极，对于研究能量存储设备具有重要的价值，制备样品的重复性很好，适于工业大规模生产使用。
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公开(公告)号：CN107445194A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710809656.1
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E60/13 , C01G3/12 , C01P2002/72 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01G11/30
Abstract: 本发明的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料的制备方法属于量子点纳米材料制备的技术领域，有配制待反应溶液、气体和液体化学反应制备掺铈硫化铜材料、产物提纯等步骤。本发明具有成本低廉、实验装置简易，操作简单等特点，制备的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料具有较高的比电容量，可用于制备超级电容器电极，对于研究能量存储设备具有重要的价值，制备样品的重复性很好，适于工业大规模生产使用。
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公开(公告)号：CN107473260B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710809651.9
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/02
Abstract: 本发明的孪晶氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法属于晶体材料制备技术领域。使用简单的实验装置并利用气体和液体化学反应无机合成及热处理方法制备孪晶氧化铜掺铕材料，有配置气体和液体化学反应所需的原料、气体和液体化学反应及热处理制备孪晶氧化铜掺铕材料等步骤。本发明制备的样品具有独特的孪晶晶体结构，拥有特殊的孪晶晶面的氧化铜掺铕材料在光、电、磁学材料等领域具有潜在的应用前景。此外，本发明实现了对孪晶氧化铜半导体材料进行有效的稀土元素掺杂，丰富了孪晶氧化铜材料的晶体结构，使其具有较高的室温饱和磁化强度，是一种潜在的稀磁半导体材料，对自旋电子器件及非易失性存储器等方面的研究具有重要的价值。
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