公开(公告)号：CN110957353A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910618466.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈敏璋 ,  谢宗霖 ,  林柏廷

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L23/64

Abstract: 根据本文描述的实施方式的技术涉及包括氮化铝AlN层或氮化铝镓AlGaN层作为铁电层的半导体装置，以及制造具有铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜的方法。在铁电晶体管中，在介于栅极电极和第二半导体层(例如GaN层)之间形成表现铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜。

公开(公告)号：CN222827579U

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202420900416.8

申请日：2024-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡武卫 ,  陈海清 ,  林柏廷 ,  陈晏谊 ,  林佑明 ,  林仲德 ,  沈泽民 ,  董彦佃

IPC: H10D64/68

Abstract: 提供一种集成电路装置。在所述集成电路装置中，是通过将第二介电组成物的隐埋层引入至第一介电组成物的栅极介电质中来解决提供如下晶体管的问题：所述晶体管可被制造成具有处于宽广的阈值电压范围内的任何指定阈值电压而不会产生泄漏问题、电容问题或工艺兼容性问题。相对于第一介电组成物而选择第二介电组成物，使得在所述两种介电质的界面周围形成偶极子。偶极子产生电场，电场使阈值电压发生偏移。隐埋层具有较栅极介电质高的介电常数，薄于栅极介电质，且接近通道。

公开(公告)号：CN222869295U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202421336772.8

申请日：2024-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蒋国璋 ,  林仲德 ,  林佑明 ,  林柏廷 ,  施昱全

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10B51/30

Abstract: 本实用新型实施例涉及一种铁电场效晶体管(FeFET)装置及集成芯片，铁电场效晶体管装置包括：铁电结构，包括铁电层及反铁电层；栅极结构，沿着所述反铁电层的第一面设置，使得所述反铁电层将所述栅极结构与所述铁电层隔开；氧化物半导体，沿着所述铁电层的第一面设置，使得所述铁电层将所述氧化物半导体与所述反铁电层隔开；源极区及漏极区，设置于所述氧化物半导体上，其中所述栅极结构在所述源极区与所述漏极区之间在所述反铁电层上在侧向上延伸；以及夹层，将所述铁电层与所述反铁电层隔开。