公开(公告)号：CN114220788A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202110823929.4

申请日：2021-07-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李书玮 ,  詹佑晨 ,  杨士亿 ,  李明翰

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 在一些实施例中，集成芯片包括第一互连介电层，设置在基板上。第一互连导电结构，延伸穿过第一互连介电层。第一盖层，设置在第一互连导电结构上，以及第二盖层，设置在第一盖层上。第一盖层包括第一二维材料，其不同于第二盖层的第二二维材料。蚀刻停止层，设置在第一互连介电层及第二盖层上。集成芯片还包括第二互连介电层，设置在蚀刻停止层上、以及第二互连导电结构，延伸穿过第二互连介电层及蚀刻停止层，以接触第一互连导电结构。

公开(公告)号：CN115566000A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210956750.0

申请日：2022-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李书玮 ,  詹佑晨 ,  杨士亿 ,  李明翰 ,  眭晓林

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种互连结构。在一些实施例中，上述结构包括：第一介电层；一或多个第一导电部件，设置在第一介电层中，其中一或多个第一导电部件包括第一金属；以及多个石墨烯层，设置在每个所述第一导电部件上，其中石墨烯层包括插入其中的第二金属，且第二金属不同于第一金属。