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公开(公告)号：CN111312602A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010121113.2
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种封装方法，该方法包括：提供晶圆，晶圆包括晶圆本体、设置在晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件；形成覆盖敏感元器件的保护层；在裸露的焊盘上形成与焊盘电连接的金属凸柱；去除保护层。本申请所提供的封装方法能够在制备金属凸柱的过程中保护敏感元器件，避免对敏感元器件造成损伤。
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公开(公告)号：CN111640683B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010514199.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
Abstract: 本申请公开了一种驱动芯片上凸块的制备方法，该方法包括：在驱动芯片的功能面上的沟槽线路区表面形成可去除的保护层，沟槽线路区周围的至少一个焊盘从保护层中露出，且保护层在功能面上的正投影大于其与功能面接触的一端在功能面上的正投影；在功能面以及保护层远离功能面一侧形成金属层，且位于功能面上的金属层与保护层的一端之间具有间隔；在每个焊盘位置处分别形成金属凸块；去除保护层以及保护层表面的金属层；去除金属凸块周围未被金属凸块覆盖的金属层。通过上述方式，本申请能够使驱动芯片功能面上沟槽线路区内无金属残留，避免因沟槽线路区与残留金属电连接导致驱动芯片短路，提高驱动芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111599727A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010486209.9
申请日：2020-06-01
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种晶圆表面附着物清除设备，包括：第一吸盘，用于吸附固定待处理的晶圆；驱动装置，与所述第一吸盘传动连接，可使所述第一吸盘以其中心旋转；清除装置，包括设置在所述第一吸盘一侧的摩擦体，所述摩擦体的摩擦面至少可与所述第一吸盘上固定的晶圆的边缘位置接触，以使所述摩擦体在所述第一吸盘带动晶圆转动时可至少摩擦晶圆的边缘位置；工作时，将边缘有漏镀的晶圆固定至所述第一吸盘上，通过驱动装置驱动第一吸盘转动以使晶圆转动，然后通过将清除装置的摩擦体的摩擦面接触晶圆的边缘位置，通过摩擦体对漏镀的位置进行磨削，达到去除漏镀的目的。
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公开(公告)号：CN111554581A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010266138.1
申请日：2020-04-07
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本申请提供了一种导电柱的形成工艺及封装体，所述形成工艺包括：提供第一基板，所述第一基板一侧表面设置有多个电极以及保护层，所述保护层对应所述电极的位置设置有第一开口；在所述第一基板的所述一侧表面形成图案化的第一掩膜层，所述第一掩膜层对应所述第一开口的位置设置有第二开口；在从所述第二开口以及所述第一开口中露出的所述电极表面形成第一金属层，所述第一金属层的高度与所述第一开口邻近的所述保护层的高度的差值在阈值范围内；去除所述第一掩膜层；在所述第一金属层以及与所述第一金属层邻近的所述保护层上形成所述导电柱。通过上述方式，本申请能够提高导电柱表面的平整度。
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公开(公告)号：CN110133969B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201910345715.3
申请日：2019-04-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于烘烤光刻胶的烘烤设备、烘烤系统及烘烤方法，所述烘烤设备包括：腔体，由相对设置的底板、顶板，以及位于所述底板和顶板之间的多个侧板围成，其中，一个所述侧板上设置有开口，所述顶板和非具有开口的所述侧板中的至少部分设置有至少一个第一发热元件；基台，设置于所述腔体内，所述基台内部设置有至少一个第二发热元件，所述基台的表面用于承载待烘烤元件；其中，所述待烘烤元件表面设置有光刻胶，所述第一发热元件和所述第二发热元件配合以烘烤所述光刻胶。通过上述方式，本申请能够在烘烤后使光刻胶的侧壁与待烘烤元件表面保持垂直。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111312602B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010121113.2
申请日：2020-02-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Inventor： 孙彬
IPC: H01L21/60
Abstract: 本申请公开了一种封装方法，该方法包括：提供晶圆，晶圆包括晶圆本体、设置在晶圆本体同一侧且均裸露的焊盘以及敏感元器件；形成覆盖敏感元器件的保护层；在裸露的焊盘上形成与焊盘电连接的金属凸柱；去除保护层。本申请所提供的封装方法能够在制备金属凸柱的过程中保护敏感元器件，避免对敏感元器件造成损伤。
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公开(公告)号：CN110488573B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910668011.X
申请日：2019-07-23
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆光刻方法及晶圆光刻用光罩组件，所述晶圆光刻方法包括：在晶圆表面涂覆一层负性光刻胶；利用产品光罩的视场对至少位于所述晶圆边缘的所述负性光刻胶按预设的曝光单元区域进行逐个曝光，其中，位于所述晶圆边缘的所述曝光单元区域包括产品有效区和/或产品无效区；将空白光罩的视场的至少部分边缘对准所述产品无效区的至少部分边缘，将所述空白光罩的视场覆盖至少部分所述产品无效区，进行曝光，其中，所述空白光罩可用于至少两种规格的产品光罩；对所述晶圆表面的所述负性光刻胶进行显影。通过上述方式，本申请能够实现产品无效区被负性光刻胶完全覆盖。
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公开(公告)号：CN110444479A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910663242.1
申请日：2019-07-22
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L21/67 , H01L23/488 , C25D5/02 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/12
Abstract: 本申请公开了一种金属凸点的制造方法和芯片，该方法包括：对芯片的焊盘至少进行第一电镀处理和第二电镀处理，分别形成层叠第一电镀层和第二电镀层，且第一电镀处理和第二电镀处理的至少部分参数不同；对芯片进行退火处理。通过上述方式，本申请能够节约资源，降低风险，降低生产复杂度。
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公开(公告)号：CN110133969A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910345715.3
申请日：2019-04-26
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本申请公开了一种用于烘烤光刻胶的烘烤设备、烘烤系统及烘烤方法，所述烘烤设备包括：腔体，由相对设置的底板、顶板，以及位于所述底板和顶板之间的多个侧板围成，其中，一个所述侧板上设置有开口，所述顶板和非具有开口的所述侧板中的至少部分设置有至少一个第一发热元件；基台，设置于所述腔体内，所述基台内部设置有至少一个第二发热元件，所述基台的表面用于承载待烘烤元件；其中，所述待烘烤元件表面设置有光刻胶，所述第一发热元件和所述第二发热元件配合以烘烤所述光刻胶。通过上述方式，本申请能够在烘烤后使光刻胶的侧壁与待烘烤元件表面保持垂直。
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公开(公告)号：CN111501082B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010499139.0
申请日：2020-06-04
Applicant: 厦门通富微电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种电镀电极保护装置、电镀系统以及半导体处理设备。所述保护装置包括保护罩以及与保护罩相连的驱动机构；在电镀电极处于非电镀状态时，驱动机构驱动保护罩移动至电镀电极上方，以及，在电镀电极处于电镀状态时，驱动机构驱动保护罩从电镀电极上方离开。本发明的电镀电极保护装置，在电镀电极处于非电镀状态时，驱动机构驱动保护罩移动至电镀电极上方，以保护电镀液等杂质落入电镀电极上，从而可以有效避免电镀电极上形成不导电的颗粒杂质(如固态盐等)，进而可以提高待电镀件(如晶圆等)的工艺制作良率，降低制作成本。在电镀电极处于电镀状态时，驱动机构驱动保护罩从电镀电极上方离开，使得电镀电极可以正常完成电镀工艺。
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