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公开(公告)号：CN111968907A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010661636.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN109873062A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910083328.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层，复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折射率在1.0-2.5之间，电极为金属，材料和接触的半导体材料有关，对p型GaP，电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层，或者，电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层；对n型GaAs，电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金；粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种。本发明具有能提高反射镜的反射率、器件的出光效率和电光转换效率、同时保证反射镜结构具有很好的粘附性和可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN109037412A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/02
Abstract: 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN108447908A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810420573.8
申请日：2018-05-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本发明，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN119816042A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411854576.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/01 , H10H20/813 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H29/34
Abstract: 本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118472128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410695961.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，包括：在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层；刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列；刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列；侧壁制备侧壁钝化层，在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层，在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列；在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列，并在阵列间隙填充第二隔离层；第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合；去除硅衬底和牺牲层阵列，并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层，最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程，提高生产效率，有利于实际生产及应用。
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公开(公告)号：CN114335305B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111320757.5
申请日：2021-11-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED侧发光模块及侧发光装置，该侧发光模块包括多基色LED光源、光源电路板、扩散板、导光板、第一反光层、第二反光层和散热器，多基色LED光源中不含荧光粉，通过至少四颗不同基色的LED芯片直接合成白光，导光板边缘设置有光耦合结构，扩散板、第二反光层、导光板、第一反光层依次叠设，导光板的光耦合结构和第一、第二反光层的设置实现了结构紧凑的多基色LED侧发光模块的高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性；侧发光装置由侧发光模块和外壳、电源模块、控制模块、导线组成，侧发光模块与电源模块、控制模块通过导线相连，并结合驱动和控制设计，实现了多基色LED侧发光装置的光谱可调，实现按需照明，并兼顾高光提取、高亮度均匀性、高颜色均匀性的照明要求。
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公开(公告)号：CN117352602A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311191810.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片键合方法及LED芯片，其中，所述LED芯片键合方法包括：提供发光二极管外延片，所述外延片上顺次形成反射镜层、第一粘结金属层、第一阻挡金属层及第一键合层；提供支撑基板，所述基板上顺次形成第二粘结金属层、第二阻挡金属层及第二键合层；将所述外延片与基板键合在一起，形成第三键合层；其中，第一键合层和第二键合层为高熔点金属层Cu与低熔点金属层In组成的周期性结构，使得键合反应快速而充分地进行；所述低熔点金属层的表面为键合时的贴合面。该方法通过采用Cu‑In固液互扩散键合工艺来键合LED外延片和基板，避免了贵金属Au的使用，从而降低了LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN117293157A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310589759.7
申请日：2023-05-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高色纯度的氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组及制备方法，该制备方法首先利用MOCVD外延生长获得氮化镓基蓝光、氮化镓基绿光和氮化镓基红光三种颜色的外延片，利用光刻、ICP刻蚀和制备电极得到氮化镓基蓝光、绿光和红光三色Micro‑LED像素阵列，然后将三种颜色的氮化镓基Micro‑LED设置在驱动基板上，实现氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组，最后在氮化镓基全彩Micro‑LED上生长介质滤波膜，该介质滤波膜具有可以同时对氮化镓基红光Micro‑LED像素和氮化镓基绿光Micro‑LED像素发出来的光过滤，实现窄发光峰的红光和绿光，同时红光和和绿光发光稳定。本发明可以提高氮化镓基全彩Micro‑LED显示模组的色纯度及稳定性。
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公开(公告)号：CN116500403A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310355515.2
申请日：2023-04-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种测量LED芯片光提取效率及内量子效率的方法，实现方案是：测量至少三个不同xn的LED芯片的外量子效率En，其中xn表示LED芯片的出光面中光滑面的面积与总出光面的面积的比值，0＜xn＜1；根据En与xn的数值，通过公式[xna+(1‑xn)b]c＝En进行非线性拟和得到a、b、c常数，从而计算出LED的光提取效率LEE＝xna+(1‑xn)b及内量子效率IQE＝c。由于实际LED芯片中集成反射镜、粗化面等提高出光效率的结构，出光模式较为复杂，模拟和利用PL测量得到的LED光提取效率的方法与LED芯片实际的光提取效率相差较大，此测量方法基于实际测量结果计算更能反应LED芯片实际的光提取效率和内量子效率。
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