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公开(公告)号：CN118738190B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411206043.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了基于PbSe/CsPbBr3异质结可控生长的钙钛矿光电探测器及制备方法，涉及光电探测技术领域，探测器包括：基底、在所述基底上生长的PbSe薄膜层以及在所述PbSe薄膜层上外延生长的CsPbBr3薄膜层；所述PbSe和所述CsPbBr3形成PbSe/CsPbBr3异质结。制备方法包括：在基底表面沉积PbSe薄膜，形成PbSe薄膜层；以CsBr和PbBr为原料，采用化学气相沉积的方法在带有PbSe薄膜的基底表面进行生长，形成CsPbBr3薄膜层。本发明的有益效果是制备高质量、单晶性优秀、表面平整的CsPbBr3薄膜，同时异质结可以有效减少载流子非辐射复合降低和抑制暗电流。
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