公开(公告)号：CN114826266A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210424616.6

申请日：2022-04-21

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  南开大学 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 胡毅 ,  原义栋 ,  王于波 ,  胡伟波 ,  李振国 ,  陈晓刚 ,  侯佳力

IPC: H03M1/12 ,  H03M1/38

Abstract: 本发明涉及模数转换技术领域，其实施方式提供了一种模数转换器及模数转换方法。所述电容阵列中电容的第一极板通过该电容对应的多路选择开关选择接参考电压或接地，所述电容阵列中电容的第二极板接输入电压，所述电容阵列分为第一电容阵列和第二电容阵列；所述第一电容阵列包括：按照电容权值以2的0次幂至m次幂的方式依次排列的电容，m为非负整数；所述第二电容阵列包括：2n‑1个电容权值均为2m+1的依次排列的电容，n为大于等于2的整数；所述第二电容阵列的一端与所述第一电容阵列中的电容权值为2m的电容所在端相邻。本发明提供的实施方式能够使模数转换器中电容的翻动个数难以探测。

公开(公告)号：CN112468151A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011287799.9

申请日：2020-11-17

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  南开大学 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  胡毅 ,  唐晓柯 ,  李振国 ,  胡伟波 ,  侯佳力

IPC: H03M1/38

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种DAC电容阵列，该DAC电容阵列对现有的第一电容阵列和第二电容阵列进行拆分以形成第一高段电容阵列、第一低段电容阵列、第二高段电容阵列和第二低段电容阵列；其中，第一高段电容阵列中各电容权重与第一低段电容阵列中各电容权重满足预设比例关系；第一高段电容阵列的上极板与第一低段电容阵列的上极板之间设置有第一连接开关；第二高段电容阵列中各电容权重与第二低段电容阵列中各电容权重满足所述预设比例关系；第二高段电容阵列的上极板与第二低段电容阵列的上极板之间设置有第二连接开关。本发明提供的技术方案，能够极大地缩短SAR型模数转换器在量化过程中电容电压的建立时间，有效提高其量化速度。

公开(公告)号：CN112367081B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202011165074.2

申请日：2020-10-27

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  南开大学 ,  国网信息通信产业集团有限公司

Inventor： 王于波 ,  唐晓柯 ,  胡毅 ,  李振国 ,  胡伟波 ,  李德建

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明实施例提供一种逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统和方法，属于芯片技术领域。该系统包括：第一比较器、数字逻辑控制器、采样开关组、第一开关组以及第二开关组，其中，采样开关组中的一个采样开关连接在第一电容组的上极板和地之间，另一个采样开关连接在第二电容组的上极板和地之间；第一开关组的一个开关连接在第一比较器的正端和第一电容组的上极板之间，另一个开关连接在第一比较器的负端和第二电容组的上极板之间；第二开关组的一个开关连接在第一比较器的正端和第二电容组的上极板之间，另一个开关连接在第一比较器的负端和第一电容组的上极板之间。本发明能够对逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列进行精确校准。

公开(公告)号：CN221726343U

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202420306986.4

申请日：2024-02-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 胡毅 ,  李佳欣 ,  许京军

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03

Abstract: 本实用新型涉及光开关技术领域，尤其涉及一种基于非平行薄膜波导的光开关，该光开关包括：分光组件；波导传输组件，所述波导传输组件包括对应设置的两个薄膜波导，两个所述薄膜波导对应的侧面具有设定角度，所述波导传输组件设置有一个输入端口区域以及多个输出端口区域，所述分光组件设置于所述波导传输组件的端部且连接于所述输入端口区域。本实用新型提供一种基于非平行薄膜波导的光开关，降低了光开关的制造成本和难度，本实用新型采用两块薄膜波导不平行排布的结构设计，利用波导耦合以及光场干涉在横向上的不均匀性，实现光的可偏转传输。