公开(公告)号：CN106876585A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710043631.5

申请日：2017-01-19

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  张晨曦 ,  陈艳 ,  李焕群 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L51/05 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0026

Abstract: 本发明公开了一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，包括以下具体步骤：首先制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。本发明进一步提出一种根据上述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法制备的有机场效应晶体管。本发明还提供了上述有机场效应晶体管的制备方法。本发明通过简单的溶液加工工艺，有效地提高有机场效应晶体管的迁移率，便于推广、应用。

公开(公告)号：CN105823972A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610145044.2

申请日：2016-03-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  包岩 ,  李焕群 ,  马洋杏 ,  黄维

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601

Abstract: 本发明涉及一种驻极体型有机场效应晶体管存储器最小存储深度的计算方法，属于半导体行业存储器技术领域。所述方法包括：制备具有一定厚度的驻极体型有机场效应晶体管存储器；测试并提取所述存储器在不同的编程电压下的存储窗口数据；将所述存储窗口数据进行线性拟合，计算聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器所需最小编程电压；根据所述最小编程电压计算聚合物驻极体中的电场强度；根据有机半导体层材料与聚合物驻极体材料的能级差，计算最小隧穿势垒；根据所述最小隧穿势垒和电场强度，计算得出聚合物驻极体型有机场效应晶体管存储器的最小存储深度。本发明可广泛应用于各类聚合物、可溶小分子驻极体型的有机场效应晶体管存储器。