一种基于双铌源的铌酸钾钠同质多层薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN111668363A

    公开(公告)日:2020-09-15

    申请号:CN202010524239.4

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于双铌源的铌酸钾钠同质多层薄膜的制备方法,步骤为:(1)将五氧化二铌溶解于氢氟酸中,再添加草酸铵,滴加氨水生成白色沉淀,加入柠檬酸得到铌-柠溶液,继续过滤得到澄清溶液,加入钾盐和钠盐,加入乙二醇,静置得到澄清的铌酸钾钠前驱体溶胶;(2)滴加乙二醇甲醚于反应釜中,吸取乙醇铌置于乙二醇甲醚中,混合溶液水浴加热,滴加冰醋酸,乙酰丙酮和甲酰胺,加入钠盐和钠盐搅拌,得到明黄色铌酸钾钠前驱体溶胶;(3)在(100)硅片上交替旋涂步骤(1)制备的铌酸钾钠前驱体溶胶和步骤(2)制备的铌酸钾钠前驱体溶胶,得到铌酸钾钠同质多层薄膜。本发明得到的KNN多层薄膜在(100)取向高度择优。

    掺氧化钕复合薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN111217535A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010038137.1

    申请日:2020-01-14

    Abstract: 本发明公开了一种掺氧化钕复合薄膜材料的制备方法,通过改进的微乳液法制备出氧化钕纳米晶体,并将其掺入使用溶胶-凝胶技术结合低温有机-无机复合技术在二氧化钛基有机-无机复合材料中,最后引入有机光敏功能基团,制备得到了既具有上转换发光功能,又具有光固化功能,同时又拥有优良的光波导性能的二氧化钛基有机-无机复合光波导材料。本发明的复合薄膜及条形波导阵列在580nm波长绿光的激发下可以激发出一个明显的波长在436nm处的强烈的亮蓝色上转换发光。该制备工艺过程简单,制作成本低廉,可实现批量生产,该复合薄膜及条形光波导阵列具有光固化功能,在光子学与光电子器件制备等领域具有非常重要的应用。

    一种高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109650443A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201910043148.6

    申请日:2019-01-17

    Abstract: 本发明公开一种高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法,该方法步骤为:称取氧化铌溶解于氢氟酸得到NbF5溶液,随后加入草酸铵作为稳定剂,最后滴加碱性PH调试剂,得到白色沉淀Nb(OH)5;对白色沉淀进行洗涤过滤,加入柠檬酸使其于发生络合反应得到柠檬酸铌,随后再对柠檬酸铌进行进一步过滤;加入钾盐和钠盐粉末,再加入一定量的乙二醇,最后将溶液静置得到均一澄清的KNN前驱体溶液;然后在经过预热处理的硅基底上旋涂前驱体溶液并进行退火处理,重复多次旋涂退火得到理想的KNN薄膜。本发明通过改进溶胶-凝胶法的非醇盐法和对硅衬底的处理,在普通(100)Si衬底上制备结晶性良好的KNN薄膜,且得到的KNN薄膜是在(001)晶向高度择优。

    一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN111575666B

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202010523344.6

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 本发明公开了一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法,包括以下步骤:(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中;(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内,调整靶材和硅基片之间的距离;(3)对腔室进行抽真空处理;(4)对硅基片进行加热处理;(5)向腔室通入氩气和氧气;(6)开启磁控溅射设备,对硅基片进行溅射;(7)溅射完成后,得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过实现了在普通单晶Si(100)基底上制备(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜,无需引入种子层,利于高质量电子陶瓷薄膜在Si上的集成,具有结晶性良好,工艺简便,易于工业化的特点。

    具有高度择优取向的纯相铁酸铋薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN109627043B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201910066730.4

    申请日:2019-01-24

    Abstract: 本发明提供了具有高度择优取向的纯相铁酸铋薄膜的制备方法,其方法步骤是称取适量的乙酸镍和硝酸镧溶于乙酸和水的混合溶剂中,得到LaNiO3(LNO)前驱体溶液,采用旋涂镀膜法加热退火在(100)‑Si基片上制备具有高度择优取向的LNO导电薄膜作为底电极。称取摩尔比为1:1.05‑1.10的硝酸铁和硝酸铋与乙二醇甲醚混合,室温搅拌得到褐红色透明的BiFeO3(BFO)前驱体溶胶。将BFO前驱体溶胶以4000‑5000转/分的速率旋涂20秒,旋涂到LNO(001)/Si基片上,在热板上热解3‑10分钟,再放入575‑625℃管式炉中退火2‑3分钟,重复旋涂、热处理数次后,再将BFO薄膜放入575‑625℃管式炉中退火6‑8分钟后,得到具有一定厚度的择优取向的BFO薄膜。本发明制备出的BFO薄膜无杂质相、无第二相、呈现高度(001)择优取向。

    具有光开关与光固化功能的复合薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108358465B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201810223615.9

    申请日:2018-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种具有光开关与光固化功能的复合薄膜材料的制备方法,通过改进的溶胶‑凝胶技术结合低温有机‑无机复合技术在二氧化钛基有机‑无机复合材料中同时引入了偶氮苯小分子以及有机光敏功能基团,制备得到了既具有光开关性能,又具有光固化功能,同时又拥有优良的光波导性能的二氧化钛基有机‑无机复合光波导材料。该制备工艺过程简单,制作成本低廉,可实现批量生产。另外,在低温下即可获得数微米厚、折射率可调的多功能性复合平面光波导材料。鉴于该复合薄膜具有光固化功能,可通过光学光刻、紫外软压印等方法直接在该复合薄膜上制备微光学元器件。在光子学与光电子器件制备等领域具有非常重要的应用。

    二氧化锗基光敏复合薄膜及其制备和应用

    公开(公告)号:CN112034637A

    公开(公告)日:2020-12-04

    申请号:CN202010847815.9

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明公开了一种二氧化锗基光敏复合薄膜及其制备和应用,采用溶胶-凝胶技术结合旋涂法制备了掺偶氮苯二氧化锗/有机改性硅酸盐有机-无机复合薄膜,二氧化锗基质材料和偶氮苯结合,使得薄膜的质量、耐热性和光学性质都有了明显的提升。本发明该复合薄膜在紫外光和可见光的交替照射下,显示出稳定的光开关性能和较短的光响应时间,表明该复合薄膜的是良好的全光开关材料,此外,材料体系中还引入了光敏基团,通过紫外固化和热固化相结合的纳米压印方法,直接在薄膜表面压印PDMS软模板,可以得到规整的微透镜阵列结构,用于制备微光学元器件。

    基于混合组装方式制备有序排列的二维胶体晶体膜的方法

    公开(公告)号:CN108642566A

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201810453678.3

    申请日:2018-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于混合组装方式制备有序排列的二维胶体晶体膜的方法,先通过旋涂方法在基片上初步制备得到二维聚苯乙烯胶体晶体膜,进一步使用提拉机将初步获得的二维胶体晶体膜通过空气-液面自组装的方式进行二次自组装,经过后续处理,在基片上得到大面积有序排列的二维聚苯乙烯胶体晶体膜。本发明有效改善了旋涂过程中出现的缝隙过大和过多的问题,本发明过程简单,低成本,易获得大面积有序的二维胶体晶体膜。

    一种微扫描仪及其GaN基LED光源的制备方法

    公开(公告)号:CN105827892B

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201610231290.X

    申请日:2016-04-14

    Inventor: 胡芳仁 张雪花

    Abstract: 本发明公开了一种微扫描仪及其GaN基LED光源的制备方法,其特征是:所述的微扫描仪为单一结构,包括:GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、MEMS微扭杆、p‑GaN电极、透镜。其中,GaN基LED光源生长在一个Si衬底上,透镜设置于GaN基LED光源上面,静电MEMS微执行器包括齿间相互交叉接触的固定齿梳和可动齿梳,MEMS微扭杆连接在静电MEMS微执行器上。使用时,通过静电MEMS微执行器带动微扭杆的转动,进而带动LED光源的转动进行扫描。本发明系统结构简单,易于校准和组装,使用携带方便。更加适合应用于便携式扫描仪中。

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