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公开(公告)号:CN102721670B
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201210216218.1
申请日:2012-06-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明公开了一种半导体等离子体频率测量方法。本发明首先将两个金属刀片平行设置在待测半导体表面上方,然后向其中一个刀片刃口与待测半导体表面之间的狭缝发射宽频电磁波,在待测半导体表面激发出表面等离子体波,并利用设置在另一刀片外侧的光谱分析装置接收耦合出的电磁波;通过调整宽频电磁波频率以及两个刀片的间距,使得光谱分析装置刚好不能接收到入射宽频电磁波的全部频率信号,记录下此时光谱分析装置所能探测到的最大频率值;将该最大频率值乘以,即为待测半导体的等离子体频率。本发明方法利用表面等离子体波在半导体表面的传播特性对半导体等离子体频率进行准确实时地测量,具有实现成本低、对半导体无损伤、测量范围广等优点。
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公开(公告)号:CN203719770U
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201420001022.5
申请日:2014-01-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01J3/447
Abstract: 本实用新型公开了一种基于磁光调制的光谱测量装置,属于光学测量技术领域。本实用新型光谱测量装置包括沿入射光方向依次设置的第一偏振片、磁光调制器件、第二偏振片、光探测器。本实用新型还公开了一种使用上述装置的光谱测量方法,首先测量在不同磁场强度下进行磁光调制时光探测器所检测到的光功率,并以得到的光功率数据作为增广矩阵,结合光谱测量装置在不同磁场强度下对不同频率入射光的探测率所组成的系数矩阵,建立线性方程组;对该线性方程组求解,得到待测入射光中各频率分量的光功率,然后对其进行线性拟合、光谱定标,得到待测入射光的光谱。本实用新型具有抗振动能力强、分辨率高、光谱测量范围宽等优点。
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