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公开(公告)号:CN104946238A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510220601.8
申请日:2015-05-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种白光共轭聚合物材料及其制备方法与应用,该材料是以红光分子为核,聚芴-苯并噻唑衍生物为枝臂、中性基团封端的多臂结构聚合物,其通式结构如下式I所示:其中,A为红光分子,为式II中的TM,TN或TR中的一种。R为C1-C20的烷基;O是氧原子;N是氮原子;H是氢原子;S为硫原子;*为连接位置;m、n为聚合单元重复数。该材料具有易于纯化、非晶态特性、良好的溶解性、可逆的电化学氧化还原特性、可通过简易的柱层析方法得到高的化学纯度等特点,可作为活性材料广泛应用于有机发光器件,特别是稳定高效的白色有机电致发光器件。
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公开(公告)号:CN103554444B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201310495017.4
申请日:2013-10-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明属光电材料与应用技术领域,具体涉及一种白光聚合物材料,制备方法与应用,FCZTBTX结构通右式如下:平均分子量:8000-10000,其中R为C1-C30的烷基,C1-C30的烷氧基;m=0.00001-0.1,n=0.00001-0.1,p=0.00001-0.1。该材料具有以苯并咔唑为核、噻吩苯并噻唑为臂的红光单元(CZTBT)和以芴为蓝光单元的多臂结构超支化白光聚合物(FCZTBTX),其通式结构如下式I所示:该材料包括红光和蓝光二种发光单元,这两种发光单元通过共轭的化学键相互连接到聚合物的主链上,通过调控红光单元的含量,实现蓝光和红光在电致发光过程中的均衡发射,获得了色坐标与标准白光十分接近并且覆盖整个可见光范围的白光电致发光光谱。
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公开(公告)号:CN102721670B
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201210216218.1
申请日:2012-06-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明公开了一种半导体等离子体频率测量方法。本发明首先将两个金属刀片平行设置在待测半导体表面上方,然后向其中一个刀片刃口与待测半导体表面之间的狭缝发射宽频电磁波,在待测半导体表面激发出表面等离子体波,并利用设置在另一刀片外侧的光谱分析装置接收耦合出的电磁波;通过调整宽频电磁波频率以及两个刀片的间距,使得光谱分析装置刚好不能接收到入射宽频电磁波的全部频率信号,记录下此时光谱分析装置所能探测到的最大频率值;将该最大频率值乘以,即为待测半导体的等离子体频率。本发明方法利用表面等离子体波在半导体表面的传播特性对半导体等离子体频率进行准确实时地测量,具有实现成本低、对半导体无损伤、测量范围广等优点。
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公开(公告)号:CN103554444A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310495017.4
申请日:2013-10-21
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 本发明属光电材料与应用技术领域,具体涉及一种白光聚合物材料,制备方法与应用,FCZTBTX结构通右式如下:平均分子量:8000-10000,其中R为C1-C30的烷基,C1-C30的烷氧基;m=0.00001-0.1,n=0.00001-0.1,p=0.00001-0.1。该材料具有以苯并咔唑为核、噻吩苯并噻唑为臂的红光单元(CZTBT)和以芴为蓝光单元的多臂结构超支化白光聚合物(FCZTBTX),其通式结构如下式I所示:该材料包括红光和蓝光二种发光单元,这两种发光单元通过共轭的化学键相互连接到聚合物的主链上,通过调控红光单元的含量,实现蓝光和红光在电致发光过程中的均衡发射,获得了色坐标与标准白光十分接近并且覆盖整个可见光范围的白光电致发光光谱。
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公开(公告)号:CN103289676A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310141983.6
申请日:2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C09K11/06 , C07D417/14 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种红光材料及应用,该材料以三并茚为核、以噻吩-苯噻唑衍生物为枝臂的星型多取代化合物,其通式结构如下式I所示:通式I中,X为噻吩衍生物,其具体如下列结构:其中,R为C1-C12的烷基,C1-C12的烷氧基;N是氮原子,S是硫原子。该材料具有能级可调、带隙窄、热稳定性能好、玻璃化转变温度高、易于形成均匀的无定形性薄膜等特点,可以采用简易的溶液成膜方式制备薄膜器件,在有机光电子领域有重要的应用潜力,特别地,可以用于制作红光有机电致发光器件。
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公开(公告)号:CN102721670A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201210216218.1
申请日:2012-06-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/55
Abstract: 本发明公开了一种半导体等离子体频率测量方法。本发明首先将两个金属刀片平行设置在待测半导体表面上方,然后向其中一个刀片刃口与待测半导体表面之间的狭缝发射宽频电磁波,在待测半导体表面激发出表面等离子体波,并利用设置在另一刀片外侧的光谱分析装置接收耦合出的电磁波;通过调整宽频电磁波频率以及两个刀片的间距,使得光谱分析装置刚好不能接收到入射宽频电磁波的全部频率信号,记录下此时光谱分析装置所能探测到的最大频率值;将该最大频率值乘以,即为待测半导体的等离子体频率。本发明方法利用表面等离子体波在半导体表面的传播特性对半导体等离子体频率进行准确实时地测量,具有实现成本低、对半导体无损伤、测量范围广等优点。
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