-
公开(公告)号：CN112415644A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011329563.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种超轻量化C/C‑SiC空间反射镜，包括C/C复合材料、包埋于C/C复合材料表面的SiC梯度过渡层，以及设置在SiC梯度过渡层表面的石墨烯‑SiCNWs多维杂化增强CVD‑SiC涂层。本发明还公开了一种超轻量化C/C‑SiC空间反射镜的制备方法的应用。本发明在超轻C/C复合材料表面制备PC‑SiC过渡涂层，降低由于镜面CVD‑SiC涂层与C/C基体热膨胀失配产生的热应力，还通过一步CVD法在包埋SiC涂层表面生长石墨烯缠绕SiC纳米线增强体，即改善了SiCNWs与CVD‑SiC基体之间的界面结合，又借助了石墨烯优异的力学性能提高了单一SiCNWs增强CVD‑SiC光学涂层的效果。
-
公开(公告)号：CN112331385A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011188953.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 南京工程学院
IPC: H01B7/00 , H01B7/02 , H01B3/02 , H01B3/44 , H01B9/02 , H01B7/26 , H01B13/02 , H01B13/14 , H01B13/26 , C22C9/00 , C22C1/03 , C22F1/08
Abstract: 本发明公开了一种低损耗电力电缆，包括由内向外依次设置的导体材料层、XLPE绝缘层、金属屏蔽层、绕包内衬层和阻燃外护套层。本发明还公开了一种低损耗电力电缆的制造方法，包括以下步骤：S1.采用高强低损导体材料丝正反绞合作为电力电缆的导体材料层；S2.在所述导体材料层表面用挤出设备拉出微孔改性交联聚乙烯作为XLPE绝缘层；S3.在所述XLPE绝缘层外面缠绕Al‑Si合金扁带作为金属屏蔽层；S4.在所述金属屏蔽层外围挤出一层改性聚四氟丙烯作为绕包内衬层。本发明还公开了一种低损耗电力电缆在高速铁路电缆和/或海底电缆中的应用。本发明具有低电阻损耗、低介质损耗和低护套损耗等特性。
-
公开(公告)号：CN115611660A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211247998.6
申请日：2022-10-12
Applicant: 南京工程学院
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种C/C复合材料表面抗1600℃风洞燃气冲刷涂层，从内到外依次包括C/C复合材料、一层内层SiC纳米线增韧SiC涂层和至少两层外层SiC纳米线增韧SiC涂层；内层SiC纳米线增韧SiC涂层的厚度相当于外层SiC纳米线增韧SiC涂层的厚度的2倍。本发明还公开了一种C/C复合材料表面抗1600℃风洞燃气冲刷涂层的制备方法和应用。本发明在制备外层SiC纳米线增韧SiC涂层时，无需催化剂，在致密化、光滑的内层SiC纳米线增韧SiC涂层表面上原位生长出SiC纳米线，获得的涂层具有优异的抗动态氧化、耐高温燃气冲刷性能。
-
公开(公告)号：CN110042344B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910383564.0
申请日：2019-05-09
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了复合材料技术领域的一种高导高强石墨烯铜基复合材料及其制备方法，旨在解决现有技术中需预先制备石墨烯造成生产效率低，石墨烯与铜直接复合后界面结合差且易出现裂纹、复合过程中石墨烯存在烧损和团聚的技术问题。本发明所述方法包括对铜基体的表面进行预处理，获得纳米晶表面；采用离子注入法将碳注入到铜基体表面，在铜基体表面得到碳的过饱和固溶体；将铜基体多次叠加或多次对折，通过压力成型的方法得到层状结构的铜基材料；将铜基材料加工成零件后进行再结晶退火处理。本发明所述方法无需预先制备石墨烯，石墨烯在基体中原位生长，提高了生产效率；石墨烯烧损少，且分散效果好，提高了铜基材料的综合性能。
-
公开(公告)号：CN110042344A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910383564.0
申请日：2019-05-09
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了复合材料技术领域的一种高导高强石墨烯铜基复合材料及其制备方法，旨在解决现有技术中需预先制备石墨烯造成生产效率低，石墨烯与铜直接复合后界面结合差且易出现裂纹、复合过程中石墨烯存在烧损和团聚的技术问题。本发明所述方法包括对铜基体的表面进行预处理，获得纳米晶表面；采用离子注入法将碳注入到铜基体表面，在铜基体表面得到碳的过饱和固溶体；将铜基体多次叠加或多次对折，通过压力成型的方法得到层状结构的铜基材料；将铜基材料加工成零件后进行再结晶退火处理。本发明所述方法无需预先制备石墨烯，石墨烯在基体中原位生长，提高了生产效率；石墨烯烧损少，且分散效果好，提高了铜基材料的综合性能。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN105648418A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610028463.8
申请日：2016-01-18
Applicant: 南京工程学院
CPC classification number: C23C16/325 , B82Y40/00 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种C/C复合材料表面制备SiC纳米线和纳米带的方法，将打磨抛光干燥后的C/C复合材料置于沉积炉中，低压2kPa下通电升温至预定温度后，向装有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入载气氢气，将反应气源带入炉堂内进行反应。沉积结束后随炉冷却至室温，即可得到大量高纯SiC纳米线和纳米带；本发明SiC纳米线和纳米带合成工艺简单，不需要预先合成工艺；沉积温度较低，降低了能耗和制备成本；制备的SiC纳米线和纳米带纯度较高；可通过工艺参数的调节实现SiC纳米线和纳米带的可控生长，易于实现工业生产，解决了现有技术中SiC纳米线和纳米带制备工艺较为复杂、合成温度高、能耗大、成本高、产物难以控制的问题。
-
公开(公告)号：CN105506579A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510933922.2
申请日：2015-12-15
Applicant: 南京工程学院
Inventor： 强新发
CPC classification number: C23C16/325 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/26
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯包覆碳化硅纳米线的制备方法，工艺过程简单易实现，碳化硅纳米线的沉积温度较低，降低了制备成本且简化了制备工艺，通过该方法得到了直线度高且直径分布均匀的石墨烯包覆碳化硅纳米线，该产物作为陶瓷材料的增强相使用时，可强化碳化硅纳米线与陶瓷基体之间的界面结合；此外，碳化硅纳米线表面的石墨烯也具有增强增韧效果。
-
公开(公告)号：CN215432215U
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202121997069.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 扬州中康环保设备有限公司 , 南京工程学院
IPC: B23K37/00
Abstract: 本实用新型涉及焊机领域，公开了一种外焊机，包括安装架，所述安装架上设置有多个焊机，所述焊机共设置有六个，六个所述焊机的后侧分别固定连接有第一安装板和第二安装板，所述第一安装板和第二安装板的两侧均固定连接有固定板，两侧所述固定板上均固定连接有升降块，每个所述升降块上螺纹连接有丝杆，每根所述丝杆的底部固定连接有丝杆升降机，所述安装架的两侧均开设有凹槽，所述丝杆通过轴承与凹槽旋转连接，所述升降块滑动设置在凹槽内。本实用新型解决了传统的多头焊机作业过程中两端固定不能够整体进行调节的问题，使焊接变得更加方便，适合多种不同U形肋焊接制造。
-
公开(公告)号：CN216095663U
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202121922955.4
申请日：2021-08-17
Applicant: 扬州中康环保设备有限公司 , 南京工程学院
Abstract: 本实用新型公开一种反变形装配线用反力钩，包括对称设置在预应力施加装置的壳体两侧边的连接组件，所述连接组件包括与预应力施加装置的壳体侧边垂直设置且相互平行的多个连接板，相互平行且设置在相邻两个所述连接板之间的钩件，所述构件包括竖直部以及与所述竖直部垂直设置的折弯部和基座连接组件，基座连接组件包括设置在所述折弯部顶部的基座钩板和对称设置在基座钩板底部，并且内侧壁与所述折弯部的外侧壁连接的卡接限位组件，每个所述卡接限位组件包括对称设置的限位卡块，该种反变形装配线用反力钩，降低了对基座造成的损坏。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.017 seconds)
