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公开(公告)号：CN112867207B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110188945.0
申请日：2021-02-19
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H05B45/375 , H05B45/38 , H05B45/395 , H05B45/40 , H05B45/325
Abstract: 本发明公开一种高线性度TRIAC调光兼容LED驱动电路，采用氮化镓基高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)及其驱动电路替代传统硅基MOSFET，实现MHz高频工作环境。频率的大幅度提高能够减小滤波电容、电感的值，可大幅减小线路中的冲击电流和电流振荡，提升TRIAC调光兼容性。采用芯片FB管脚电压线性调节技术和电压补偿技术，实现了LED调光过程中的高线性度。另外，MCU智能控制模块被用来检测导通角，为芯片FB管脚提供补偿信号，同时控制假负载的断开，在保证导通电流大于TRIAC启动点火电流的条件下，有效降低假负载接入带来的损耗。
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公开(公告)号：CN112491403B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202011470986.0
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H03K7/08 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法，涉及氮化镓基第三代宽禁带半导体领域，首次提出在后端高频电路应用中来实现，解决目前在前端外延和器件设计中无法实现消除俘获效应的难题。该方法采用新型的拓扑电路控制方式，控制方式的核心是采用分频工作模式与平均输出控制技术。该控制方式充分利用GaN HEMT器件的高频工作优势，通过减小器件单次关断时间，使其小于器件中电子俘获所需的时间，实现消除器件的俘获效应。
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公开(公告)号：CN113205951A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110595722.6
申请日：2021-05-29
Applicant: 南京工业职业技术大学
Abstract: 本发明公开了一种基于宽禁带异质结结构的平面变压器的矩阵式变压器串并联均衡技术的，本技术可通过对矩阵式变压器的串并联方式的重新组合来实现矩阵式变压器串并联的均衡变压，并且对奇数、偶数个变压器时的情况进行讨论，额外对2个变压器时进行了其他方法的讨论，不仅省去了传统利用均衡电阻分流实现均衡的方案中的所有的均衡电阻、电感、电容等器件，还避免了电阻等带来压降以及损耗等问题，并可以更迅速的实现变压器电路的均衡，能够广泛的应用到变压器均衡的电路中。
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公开(公告)号：CN113108813A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202011470926.9
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: G01D5/12 , G01N27/00 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种纳米图形化转移的氮化镓基柔性差分式无栅生物传感器，涉及生物传感器领域，包括GaNHEMT器件Q1、GaNHEMT器件Q2（氮化镓高电子迁移率晶体管）以及外围的功能电路，该传感器采用了第三代氮化镓基宽禁带半导体技术、差分技术、纳米图形化转移技术和柔性技术处理，使其可穿戴。采用氮化镓无栅器件具有天然高浓度二维电子气（2DEG）及强极化效应，感测灵敏度高、响应度高。使用差分技术使器件的感测精度大幅度提升，使其几乎不受环境影响。通过纳米图形化转移技术使器件与柔性衬底结合牢固。柔性技术使氮化镓器件的应用在柔性场合得到延伸，采用不同生物敏感识别物质便可通用于温度、葡萄糖、汗液、紫外、应变等多种类型传感器。
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公开(公告)号：CN112803786B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110284568.0
申请日：2021-03-17
Applicant: 南京工业职业技术大学
IPC: H02M3/338
Abstract: 本发明公开一种采用混合半导体技术的RCC电路，涉及开关电源领域，电路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件，提高电路工作频率至数百kHz。两种类型器件采用了同一个硅衬底，三晶体管共用一个晶圆，减小体积、提升可靠性控制。电路通过第三辅助绕组Na，采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Si基LDMOS器件Q3提供驱动信号，无须控制芯片。采用了集成式的高频电流逐周期检测方案，与自激驱动腔共用一个线圈，省去了电流检测电阻，实现了无损耗电流检测。电路还采用了积分反馈法实现原边反馈，通过在关断时间内，对第一GaN HEMT器件Q1漏极电压进行积分计算，间接获取输出电压信息，从而实现对输出电压的实时精确调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112867207A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110188945.0
申请日：2021-02-19
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H05B45/375 , H05B45/38 , H05B45/395 , H05B45/40 , H05B45/325
Abstract: 本发明公开一种高线性度TRIAC调光兼容LED驱动电路，采用氮化镓基高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)及其驱动电路替代传统硅基MOSFET，实现MHz高频工作环境。频率的大幅度提高能够减小滤波电容、电感的值，可大幅减小线路中的冲击电流和电流振荡，提升TRIAC调光兼容性。采用芯片FB管脚电压线性调节技术和电压补偿技术，实现了LED调光过程中的高线性度。另外，MCU智能控制模块被用来检测导通角，为芯片FB管脚提供补偿信号，同时控制假负载的断开，在保证导通电流大于TRIAC启动点火电流的条件下，有效降低假负载接入带来的损耗。
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公开(公告)号：CN112803786A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110284568.0
申请日：2021-03-17
Applicant: 南京工业职业技术大学
IPC: H02M3/338
Abstract: 本发明公开一种采用混合半导体技术的RCC电路，涉及开关电源领域，电路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件，提高电路工作频率至数百kHz。两种类型器件采用了同一个硅衬底，三晶体管共用一个晶圆，减小体积、提升可靠性控制。电路通过第三辅助绕组Na，采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Si基LDMOS器件Q3提供驱动信号，无须控制芯片。采用了集成式的高频电流逐周期检测方案，与自激驱动腔共用一个线圈，省去了电流检测电阻，实现了无损耗电流检测。电路还采用了积分反馈法实现原边反馈，通过在关断时间内，对第一GaN HEMT器件Q1漏极电压进行积分计算，间接获取输出电压信息，从而实现对输出电压的实时精确调控。
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公开(公告)号：CN112504302A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011473393.X
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: G01D5/12 , G01N27/00 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种磁吸附转移的氮化镓基柔性差分式无栅生物传感器，涉及生物传感器领域，包括GaN HEMT器件Q1、GaN HEMT器件Q2(氮化镓高电子迁移率晶体管）以及外围的功能电路，该传感器采用了第三代氮化镓基宽禁带半导体技术、差分技术、磁性吸附转移技术和柔性技术处理，使其可穿戴。采用氮化镓无栅器件具有天然高浓度二维电子气（2DEG）及强极化效应，感测灵敏度高、响应度高。使用差分技术使器件的感测精度大幅度提升，使其几乎不受环境影响。通过磁性吸附转移技术使器件与柔性衬底结合牢固。柔性技术使氮化镓器件的应用在柔性场合得到延伸，采用不同生物敏感识别物质便可通用于温度、葡萄糖、汗液、紫外、应变等多种类型传感器。
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公开(公告)号：CN112484261A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011471162.5
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: F24F11/64 , F24F11/77 , F24F11/79 , F24F110/30 , F24F120/12
Abstract: 本发明公开一种具有智能多风道调控的高效节能型家用空调，涉及空调领域，空调本体内设有中央处理器，中央处理器与空调本体、红外成像仪和紫外日盲APD成像仪相连，且中央处理器还与门窗无线互联，空调本体的出风通道在垂直方向和水平方向各设有若干段。通过紫外日盲APD测距和成像技术，以及红外温度场成像技术，实现精确人体寻迹，再通过多风道调控、门窗联动以及中央处理器算法处理，最终实现人动风追着人动；风还分上、中、下三段不同强度吹向人；人先感受到风的到来，人及其周边局部区域的温度以低能耗的方式先快速发生改变，整个室内的环境温度可以以用户设置的速度实现最终变温，人离开房间一段时间即自动关闭空调。
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公开(公告)号：CN112435998A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011470914.6
申请日：2020-12-15
Applicant: 南京工业职业技术大学
Inventor： 雷建明
IPC: H01L25/07 , H01L29/778 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开一种GaN HEMT器件的热应力管理引擎，涉及电路热管理领域，通过多种技术，达到降低器件在PCB应用中的高温热应力，提升器件的工作可靠性。核心是采用跳频工作模式与平均功率控制的热应力电控技术，减少发热量。辅助采用石墨烯增强铜合金快速热传导技术和采用垂直子板布局的三维热分离技术来增强散热性能。以及采用热源均匀分散布局的热应力平衡技术、采用正反面热源对称布局的热应力抵消技术和采用单边孔及阵列底孔布局的热应力释放技术来减小或者平衡热应力，进一步的降低PCB板的热形变。
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