公开(公告)号：CN114200789A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202210017002.6

申请日：2022-01-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  孙宇霆 ,  于扬

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于梯度曝光工艺制备空气桥的方法，包括：(1)在基片衬底上预制底层电路；(2)旋涂光刻胶，形成光刻胶层；(3)使用梯度曝光工艺对光刻胶进行曝光，空气桥桥墩部分的光刻胶完全曝透，桥面顶部曝光功率最弱，桥面整体进行阶梯欠曝光；(4)进行显影和定影，留下由光刻胶形成的阶梯拱形支撑；(5)去除基片桥墩部分金属表面的氧化膜，在整个基片上生长一层金属膜；(6)将芯片进行胶剥离而后即可得到空气桥。本发明操作简单、重复性好、性能稳定、且设计自由度大。

公开(公告)号：CN110797208A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911086139.1

申请日：2019-11-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  吴强 ,  杨立军 ,  王喜章 ,  胡征

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种电极材料的制备方法和应用，本发明通过直链型二羧酸二钠盐或共轭型多羧酸钠盐增大双金属氢氧化物纳米片的层间距，从而实现改善OH-层间扩散动力学，得到电极材料。根据实施例的记载，所述电极材料在150A/g的电流密度下仍具有≥173F/g的高比容量；且所述方法具有材料组分可控、易于规模化生产、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN103219381A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310015376.5

申请日：2013-01-16

Applicant: 南京大学 ,  常州子睦半导体有限公司

Inventor： 赵毅 ,  孙家宝 ,  施毅 ,  赵杰 ,  董晓宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。

公开(公告)号：CN118213854A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410374980.5

申请日：2024-03-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 杨子江 ,  孙振兴 ,  赵杰 ,  张悦 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/065 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明提供一种用于NG‑PON2突发模式的三段式半导体激光器，由DFB区和两个反射区组成，三者共用一个光栅反馈层；光栅整体采用线性渐变啁啾结构，并在DFB区中间引入π相移。本发明还给出了三段式半导体激光器的制作及应用方法，工作时，DFB区注入正常工作电流，反射区注入小电流，反射区提供反馈以维持DFB的正常激射，反射区中小电流对芯片的热效应贡献较小，但是其提供的反馈可以维持正常的激射；当反射区中不注入电流时，DFB区因缺乏反馈不能实现激射。本发明通过控制反馈区中小电流从而实现大消光比的突发模式，且突发模式实现的过程中，DFB有源区结温几乎无变化，因此没有发生波长漂移。本发明为NG‑PON2中突发模式激光器的实现提供了解决方案。

公开(公告)号：CN110797208B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201911086139.1

申请日：2019-11-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  吴强 ,  杨立军 ,  王喜章 ,  胡征

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种电极材料的制备方法和应用，本发明通过直链型二羧酸二钠盐或共轭型多羧酸钠盐增大双金属氢氧化物纳米片的层间距，从而实现改善OH‑层间扩散动力学，得到电极材料。根据实施例的记载，所述电极材料在150A/g的电流密度下仍具有≥173F/g的高比容量；且所述方法具有材料组分可控、易于规模化生产、成本低廉等优点。

公开(公告)号：CN103413807A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310299076.4

申请日：2013-07-15

Applicant: 常州子睦半导体有限公司 ,  南京大学

Inventor： 赵杰 ,  翟东媛 ,  赵毅

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。

公开(公告)号：CN101927166B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201010235087.2

申请日：2010-07-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 沈俭一 ,  薛明伟 ,  赵杰 ,  傅玉川

IPC: B01J23/755 ,  B01J21/18 ,  C07C67/303 ,  C07C69/75

Abstract: 一种载体含碳的担载型镍催化剂，其通式为aNi/b(MOx)c(NOy)dC，其中M＝Si、Al或Mg，N＝Al或Mg，式中a、b、c和d为相应组成的质量含量份数，a＝40-80，b＝0-55，c＝0-55，d＝2-10，x和y为所用载体元素的氧化数值。本发明的催化剂活性表面积高，能在较低温度和氢气压力下催化邻苯二甲酸二元酯加氢成邻环己烷二甲酸二元酯，邻苯二甲酸二元酯的转化率和邻环己烷二甲酸二元酯的选择性都在95％以上。本发明公开了其制法。