公开(公告)号：CN114985303A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210570783.1

申请日：2022-05-24

Applicant: 广东省农业科学院蔬菜研究所 ,  华南理工大学

Inventor： 刘明 ,  黄华茂 ,  胡海英 ,  彭洋洋 ,  何焕清 ,  周慧

IPC: B07C5/34 ,  B07C5/36 ,  B07C5/38

Abstract: 本发明公开了一种黑皮鸡枞外观品质分级系统及其方法。该系统包括相互电性连接的分拣模块和外观识别模块；外观识别模块用于对黑皮鸡枞的图像进行识别得到相应的外观品质分级判定结果；外观识别模块包括依次连接的摄像设备、卷积神经网络、指令单元；卷积神经网络用于根据图像进行识别，输出黑皮鸡枞的外观品质分级判定结果到指令单元；指令单元用于根据黑皮鸡枞的外观品质分级判定结果，向分拣模块发出将不同外观品质分级的黑皮鸡枞进行分拣的控制信号。本发明相比现有技术，综合考虑了黑皮鸡枞外观上的复合特征进行外观品质分级，真正满足了对黑皮鸡枞的品质进行分级的需求，卷积神经网络相比传统的人工分拣方法极大提升了分拣效率和分拣准确度。

公开(公告)号：CN109742144B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910080310.1

申请日：2019-01-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  渠文宽 ,  黄华茂 ,  刘玉荣 ,  姚若河

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件，包括衬底；位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层；位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层；位于所述AlGaN背势垒层上外延生长的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层上外延生长的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上外延生长的第一AlGaN调制层；位于所述第一AlGaN调制层上外延生长的第二AlGaN调制层；所述第二AlGaN调制层的中部刻蚀有凹栅槽，凹栅槽表面淀积有Al2O3绝缘层，所本发明的器件的有益之处在于击穿电压增大、阈值电压增大和饱和电流密度增大。

公开(公告)号：CN108363040A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810047028.9

申请日：2018-01-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  彭振敬 ,  朱嘉祺 ,  姚若河 ,  黄华茂

IPC: G01S5/16

Abstract: 本发明公开了一种基于OFDMA技术的可见光室内定位方法，具体步骤包括：三个LED灯具的发送端分别分配有三个ID标识信号，三个ID信号分别经过OFDM调制模块进行相同点数的OFDM调制，三个调制后的ID信号在相互正交的子信道进行传输。在每个移动终端接收到信号后，经过接收电路进行放大、滤除噪声等处理后进入OFDM解调模块，通过OFDM解调模块解调出三个LED灯具发送的ID信号。根据接收到的LED灯具光信号的ID信息及其衰减大小，利用三角定位算法实现移动终端的精确定位。本发明采用可见光通信，在可见光波段无需频谱申请，而且使用目前商用的LED灯具光源，在满足照明的同时实现定位及通信，本发明具有系统硬件成本低、定位精度高、无电磁辐射、绿色安全等优点。

公开(公告)号：CN103236475B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310131166.2

申请日：2013-04-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 黄华茂 ,  王洪 ,  蔡鑫 ,  王俊杰

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明针对具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，提出深沟槽隔离的LED发光单元的电极桥接方法，包括如下步骤：沉积第一层钝化层；旋涂液态绝缘材料，填满发光单元之间的隔离沟槽，并在芯片表面形成平整薄膜；液态绝缘材料高温固化；刻蚀绝缘材料薄膜，使得发光单元表面的钝化层暴露，而隔离沟槽处绝缘材料的表面与钝化层的表面齐平；沉积第二层钝化层，将隔离沟槽处的绝缘材料封闭在钝化层内部；刻蚀钝化层，制备电极槽；沉积金属，并采用剥离技术，制备电极，同时在钝化层上表面制备电极连接桥。本发明提高了电极桥接的良率，适用于横截面为矩形、正梯形或倒梯形的发光单元结构，特别适用于高深宽比的隔离沟槽。

公开(公告)号：CN103904183A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410121785.8

申请日：2014-03-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 黄华茂 ,  王洪 ,  胡金勇

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明公开一种ITO粗化的GaN基LED芯片及其制备方法，包括如下步骤：在GaN基LED外延片表面沉积ITO作为透明导电层；再置入稀盐酸溶液进行无掩模的湿法腐蚀；用去离子水清洗后烘烤；再在表面涂覆一层增粘剂；再涂覆一层正性或负性光刻胶，在热板上烘烤后，使用具有微米尺寸结构的光刻掩模版进行普通紫外曝光，并再次在热板上烘烤；将基片置入显影液中显影；用去离子水清洗后放入烤箱烘烤；再置入稀盐酸溶液进行有掩模的湿法腐蚀；去除光刻胶后高温退火。本发明在LED芯片的ITO透明导电层同时制备纳米尺寸和微米尺寸的微结构，具有更高的光输出功率。本发明适用于LED生产线批量生产、无需增加额外设备且低成本。

公开(公告)号：CN102606977B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201210093422.9

申请日：2012-03-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王洪 ,  吴衡 ,  黄华茂 ,  陈赞吉 ,  杨洁

IPC: F21V5/04 ,  F21W101/02 ,  F21Y101/02

CPC classification number: G02B19/0061 ,  F21S41/143 ,  F21S41/255 ,  G02B19/0014

Abstract: 本发明公开了一种用于LED汽车远光灯的自由曲面光学透镜，由透明材料制成，透明材料为PC或PMMA或光学玻璃，透镜包括入射面及出射面。所述透镜的底面中心设有一供LED安装于其内的空腔，空腔的一部分腔壁是柱面，所述的入射面由所述柱面和位于柱面顶部的自由曲面构成；透镜的外侧面是自由曲面，透镜的顶面是平面即所述的出射面。由于LED光源发光效率高及采用自由曲面透镜，从光源射出的光线几乎可以全部被收集利用，故能量利用率很高，同时，LED光源光型，发光方向都可以控制。透镜的底面中部设有一供LED安装于其内的空腔，使LED光源易于安装，透镜的体积小，留出大量的空间有利于散热装置的安装。点亮LED光源，光线经过透镜后出射，可以得到椭圆形光型和满足国家标准GB25991-2010的照度分布。

公开(公告)号：CN103022298A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210476252.2

申请日：2012-11-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王洪 ,  叶菲菲 ,  黄华茂 ,  吴跃锋

IPC: H01L33/20 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开具有导光柱的高压LED芯片及其制备方法，特点是在高压芯片每颗晶粒单元的侧面形成具有倾斜角度的导光柱。导光柱的制备是直接在高压LED芯片制作过程中刻蚀而成，刻蚀面包含外延层侧面和衬底侧面。本发明的导光柱能够改变光束由GaN基发光二极管材料传播至空气时的入射角以避免全反射，同时能够避免光束在该GaN基发光二极管内部重复反射而造成的损耗，提高高压LED芯片的侧面出光效率。同时具有正梯形侧面角度能够保证蒸镀连接桥时不出现短路，侧壁出光能够增大每颗晶粒的发光面积，同时能够减少晶粒侧面发出的光线在晶粒与晶粒之间、晶粒与衬底之间以及晶粒内部发生来回折反射造成的损耗。

公开(公告)号：CN102901043A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210237619.5

申请日：2012-07-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 黄华茂 ,  陈赞吉 ,  贺威 ,  王洪

IPC: F21V5/04 ,  F21Y101/02 ,  F21W101/027 ,  F21W101/10

Abstract: 本发明公开了用于LED摩托车近光灯的自由曲面光学透镜，所述透镜的内侧是一具有空腔，使用时LED从该开口端进入并安装于该空腔内；透镜包括入射面及出射面，透镜的内侧为所述入射面，入射面由所述空腔顶部的自由曲面和腔壁的柱面构成；而透镜外侧的顶部平面即为所述出射面，透镜外侧的侧面为外围自由曲面；所述透镜分为上、下两部分，透镜上部分主要用于将LED光源射向水平面以上的光照向水平面以下的照明面上；透镜下部分则主要用于将LED光源向水平面以下扩散的光会聚到水平面以下的照明面上。本发明结构简单，体积小，不需要其它的辅助装置进行配光，提高了光能利用率，眩光效应低，达到GB5948-1998的配光要求。

公开(公告)号：CN102353017A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110306851.5

申请日：2011-10-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王洪 ,  吴衡 ,  黄华茂 ,  杨洁

IPC: F21V5/04 ,  F21W101/10 ,  F21Y101/02

Abstract: 本发明公开LED汽车近光灯光学透镜，包括入射面及出射面，所述透镜的底面中心设有用于容纳LED的空腔，所述空腔的腔壁包括部分球面、部分柱面和部分柱面的顶部的自由曲面，构成所述的入射面；空腔的所述部分球面的外侧面和所述部分柱面的外侧面分别是两个不同的自由曲面，透镜的顶部是平面，透镜的顶部平面和部分球面外侧面的自由曲面构成所述的出射面。该透镜体积小，眩光效应低，光能利用率高，安装方便，并能产生满足国标GB25991-2010的配光要求的光型和照度分布。

公开(公告)号：CN109119436B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201811151402.6

申请日：2018-09-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 黄华茂 ,  黄程 ,  吴浩城 ,  王洪

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种表面粗化的纳米孔LED阵列芯片及其制备方法。LED阵列芯片中，四个发光单元通过金属线连接实现串联，金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；整个芯片表面都具有纳米孔。所述制备方法中，在使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时，沉积四层金属薄膜之后，新增一层介质薄膜；同时，采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料，在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；然后结合软膜纳米压印工艺，在整个凹凸起伏的芯片表面都可压印得到纳米孔图案，从而在整个芯片表面制备得到纳米孔；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率，整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化，都有利于光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。