一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置

    公开(公告)号:CN114002575A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111293944.9

    申请日:2021-11-03

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块的键合线断裂状态监测方法及装置。该方法包括:采集IGBT模块中下桥IGBT器件的集电极电压;当判断所述集电极电压到零时,对当前集电极电压负向过冲进行采样;建立所述IGBT模块健康状态时集电极电压负向过冲的基准值;将所述当前集电极电压负向过冲和所述基准值进行比较;根据比较结果确定所述IGBT模块的运行状态。利用半桥结构动作器件关断过程的集电极电压负向过冲监测IGBT芯片失效,该方法受电容电压变化影响小,且在不同的负载电流下依然可以保持较高的变化率,能够对IGBT模块发射极键合线部分断裂进行有效监测。

    一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法

    公开(公告)号:CN112630615B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202011452092.9

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种压接型IGBT芯片动态特性实验平台及测量方法,包括:压力夹具,施压装置,压力传感器,压力均衡装置,第一、第二环氧树脂板,压接型IGBT芯片,加热板,碟簧,叠层母排,母线电容,负载电感,续流二极管,直流电压源,驱动脉冲生成器,电流和电压测量装置;母线电容连直流电压源;叠层母排连直流电压源和续流二极管;续流二极管连压接型IGBT芯片;负载电感连续流二极管;驱动脉冲生成器连压接型IGBT芯片;压接型IGBT芯片连直流电压源;碟簧、第一环氧树脂板、加热板、压接型IGBT芯片、第二环氧树脂板、压力均衡装置、压力传感器、施压装置从下到上依次堆叠;压力夹具固定该叠层结构。本发明能测量压接型IGBT芯片在电‑热‑力综合影响下的动态特性。

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