-
公开(公告)号：CN105161614A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510564452.7
申请日：2015-09-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结纳米单元结构及其制备方法。该方法包括：在基片上制备底电极；在底电极上覆盖电绝缘材料，形成绝缘层；利用聚焦离子束(Focus Ion Beam,FIB)铣蚀绝缘层得到纳米级开孔；在绝缘层上依次覆盖功能层和顶电极，形成磁隧道结纳米单元；其中，功能层通过所述纳米级开孔与底电极形成纳米级接触，与顶电极形成微米级接触。本发明在绝缘层上依次覆盖功能层和顶电极，减少了一次光刻步骤，且不涉及电子束光刻，能大幅降低成本，同时有效避免现有工艺中对功能层刻蚀可能造成的侧壁再沉积、自由层与钉扎层短路、膜层材料损伤等导致的器件性能退化甚至失效的问题。
-
公开(公告)号：CN104993046A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510359389.3
申请日：2015-06-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结单元及其制备方法，具体为，通过在磁隧道结的磁性层薄膜中插入一层极薄的金属层，形成磁性层/金属层/磁性层的结构，该金属插层的厚度为0.5nm～2nm，通过人为地增加磁性层中的界面数，大大强化了界面垂直磁各向异性，客观上提高了整个膜层结构垂直磁各向异性。本发明通过特定种类和厚度的金属层的扩散作用以及磁性层/金属层之间的界面作用有效地提高了磁性层薄膜的垂直各向异性，同时也增加了垂直取向较好的磁性层薄膜的厚度，为工业界垂直各向异性MTJ单元及器件的制备提供了新的突破。
-
公开(公告)号：CN105633111A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610128791.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/222 , G11C11/15 , G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111360272B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010319279.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于非晶合金领域，并具体公开了一种氧化物界面增韧非晶基复合材料及其制备方法，包括如下步骤：S1在含氧环境中对非晶合金粉末进行高能球磨处理，使得非晶合金粉末表面形成非晶态氧化层；S2对表面形成了非晶态氧化层的非晶合金粉末进行热等静压烧结成形，使非晶合金粉末表面形成网络状的非晶态氧化物界面，完成氧化物界面增韧非晶基复合材料的制备。该复合材料中，网络状非晶态氧化物界面将非晶合金粉末分割成微纳米尺度的元胞，氧化物界面既可以有效地促进剪切转变区的形核，避免剪切变形的局域化，同时氧化物界面上金属原子与氧原子强键合作用使得剪切转变区很难通过氧化物界面扩张，实现了非晶基复合材料强度和塑性的协同提高。
-
公开(公告)号：CN111360272A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010319279.5
申请日：2020-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于非晶合金领域，并具体公开了一种氧化物界面增韧非晶基复合材料及其制备方法，包括如下步骤：S1在含氧环境中对非晶合金粉末进行高能球磨处理，使得非晶合金粉末表面形成非晶态氧化层；S2对表面形成了非晶态氧化层的非晶合金粉末进行热等静压烧结成形，使非晶合金粉末表面形成网络状的非晶态氧化物界面，完成氧化物界面增韧非晶基复合材料的制备。该复合材料中，网络状非晶态氧化物界面将非晶合金粉末分割成微纳米尺度的元胞，氧化物界面既可以有效地促进剪切转变区的形核，避免剪切变形的局域化，同时氧化物界面上金属原子与氧原子强键合作用使得剪切转变区很难通过氧化物界面扩张，实现了非晶基复合材料强度和塑性的协同提高。
-
公开(公告)号：CN106206935A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610553896.5
申请日：2016-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种控制自旋波传输的方法，该发明属于自旋电子学领域。本方法通过在自旋波波导结构上施加电场，可以有效改变磁性波导材料内部交换作用强度。通过电场控制交换常数大小，可以达到调控自旋波色散关系进而实现控制自旋波传输的目的。本发明通过电场控制交换作用，可以超低功耗实现对自旋波传输的局部精确控制，为超低功耗、CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
-
公开(公告)号：CN105280809A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510582009.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为CoFe(R)/FePt结构；CoFe(R)/FePt结构由CoFe(R)层和FePt层叠加而成，CoFe(R)层较FePt层靠近所述绝缘隧穿层；CoFe(R)层的材料为掺入R的CoFe，R为B、Al和Ni至少其中之一。本发明的磁隧道结能兼顾器件的小尺寸化、高热稳定性及与CMOS工艺的兼容性，因而能广泛应用于传感器、存储装置和逻辑计算装置中。
-
公开(公告)号：CN204834059U
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201520510413.4
申请日：2015-07-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个存储单元；每个上电极只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极，使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作；沿着上电极的方向定义为X方向，沿着下电极的方向定义为Y方向。本实用新型中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度，提高了阵列各存储单元的读写精度。在隔离型crossbar阵列结构中，读写操作时，当行选线和列选线确定后，可确保仅有一个存储单元中有操作电流通过，从而避免了传统crossbar结构中因存在缺陷单元而出现存储单元间的混联串扰问题。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.027 seconds)
