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公开(公告)号：CN111961993A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010695576.X
申请日：2020-07-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于非晶合金领域，公开了一种氧掺杂增韧铝基非晶复合材料及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1将金属原料按设计比例混合，加热熔化得到合金熔体；S2保温合金熔体，同时向合金熔体中吹入氧气，控制熔体内氧原子百分比达到预先设定值，所述预先设定值为0.01％-1.0％；S3合金熔体冷却，完成复合材料的制备。本发明制备的氧掺杂增韧铝基非晶复合材料，具有弥散状的氧化物，提高了其周围非晶基底中金属原子的自由体积，使得在变形过程中有利于局部剪切区域形成，减轻了剪切转变局域化，在不明显降低强度的条件下，实现了材料塑性的提高。
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公开(公告)号：CN106206935B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610553896.5
申请日：2016-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种控制自旋波传输的方法，该发明属于自旋电子学领域。本方法通过在自旋波波导结构上施加电场，可以有效改变磁性波导材料内部交换作用强度。通过电场控制交换常数大小，可以达到调控自旋波色散关系进而实现控制自旋波传输的目的。本发明通过电场控制交换作用，可以超低功耗实现对自旋波传输的局部精确控制，为超低功耗、CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
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公开(公告)号：CN105405968A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510737112.X
申请日：2015-11-03
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L43/12 , H01F1/0036 , H01L43/10
Abstract: 本发明公开了一种调整半金属磁体电子能带结构的方法及其产物，其中调整半金属磁体电子能带结构的方法是通过向半金属磁体中同时掺杂Ge元素和Te元素，以调节所述半金属磁体电子能带结构中费米能级的位置，从而起到调整半金属磁体电子能带结构的作用。本发明通过对关键的掺杂元素种类、掺杂位置、掺杂量等进行改进，能够调整费米能级在带隙中的相对位置以及带隙的宽度，并提高半金属磁体的稳定性。通过本发明方法得到的掺杂半金属磁体，其费米能级接近带隙的中间，且自旋向下的带隙被扩大，是一种更加稳定的自旋极化率为100％的铁磁性材料，可显著提高器件的磁电阻效应。
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公开(公告)号：CN105633276B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410594041.8
申请日：2014-10-29
Abstract: 本发明提供了一种基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元，包括：第一电极层、第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层、第二电极层；所述第二磁性层为磁性合金复合薄膜，所述磁性合金复合薄膜包括磁性颗粒和绝缘隔离物；所述磁性颗粒包括磁性合金；所述绝缘隔离物的材质包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，所述磁性颗粒分散在所述绝缘隔离物中。本发明提供的基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元能兼顾存储密度，并实现高速、低功耗存储。本发明实施例还提供了该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的制备方法和一种包含该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的磁存储装置。
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公开(公告)号：CN105280809B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510582009.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及其制备方法。磁隧道结包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层和第二电极层；第一磁性层和第二磁性层至少其中之一为CoFe(R)/FePt结构；CoFe(R)/FePt结构由CoFe(R)层和FePt层叠加而成，CoFe(R)层较FePt层靠近所述绝缘隧穿层；CoFe(R)层的材料为掺入R的CoFe，R为B、Al和Ni至少其中之一。本发明的磁隧道结能兼顾器件的小尺寸化、高热稳定性及与CMOS工艺的兼容性，因而能广泛应用于传感器、存储装置和逻辑计算装置中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105633276A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410594041.8
申请日：2014-10-29
Abstract: 本发明提供了一种基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元，包括：第一电极层、第一磁性层、绝缘隧穿层、第二磁性层、第二电极层；所述第二磁性层为磁性合金复合薄膜，所述磁性合金复合薄膜包括磁性颗粒和绝缘隔离物；所述磁性颗粒包括磁性合金；所述绝缘隔离物的材质包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的至少一种，所述磁性颗粒分散在所述绝缘隔离物中。本发明提供的基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元能兼顾存储密度，并实现高速、低功耗存储。本发明实施例还提供了该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的制备方法和一种包含该基于磁性合金复合薄膜的磁存储单元的磁存储装置。
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公开(公告)号：CN105280806A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510583302.0
申请日：2015-09-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种存储装置及其存储方法。该装置包括第一磁性层、隔离层、第二磁性层、第三磁性层和第四磁性层；隔离层、第二磁性层和第三磁性层设置在第一磁性层上，第二磁性层和第三磁性层位于第一磁性层的两端，隔离层位于第二磁性层和第三磁性层之间，第四磁性层设置在隔离层上；第二磁性层和第三磁性层在第一磁性层的两端形成第一被钉扎区和第二被钉扎区，第一被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相同，第二被钉扎区的磁化方向与第四磁性层的磁化方向相反。本发明能有效降低MTJ结构自由层磁化翻转的临界电流密度，对自旋电子学在基础和应用方面的发展具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN105006248A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510413414.1
申请日：2015-07-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个存储单元；每个上电极只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极，使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作；沿着上电极的方向定义为X方向，沿着下电极的方向定义为Y方向。本发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度，提高了阵列各存储单元的读写精度。在隔离型crossbar阵列结构中，读写操作时，当行选线和列选线确定后，可确保仅有一个存储单元中有操作电流通过，从而避免了传统crossbar结构中因存在缺陷单元而出现存储单元间的混联串扰问题。
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公开(公告)号：CN105006248B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201510413414.1
申请日：2015-07-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包括M×N个上电极、N个下电极以及M×N个存储单元；每个上电极只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外部的控制信号选择X方向的第i个上电极和Y方向的第j个下电极，使得由第i个上电极、功能层和第j个下电极构成的存储单元工作；沿着上电极的方向定义为X方向，沿着下电极的方向定义为Y方向。本发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度，提高了阵列各存储单元的读写精度。在隔离型crossbar阵列结构中，读写操作时，当行选线和列选线确定后，可确保仅有一个存储单元中有操作电流通过，从而避免了传统crossbar结构中因存在缺陷单元而出现存储单元间的混联串扰问题。
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公开(公告)号：CN105633111B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610128791.5
申请日：2016-03-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层RL，第一绝缘层为隧穿层I，第二磁性层为自由层FL，第一金属层为非磁金属层NM，第二绝缘层为介电层I*；当在磁隧道结单元的两端施加电压时，电场通过两个绝缘层引入到I/FL和FL/NM界面，从而调控I/FL的界面磁各向异性，并控制FL/NM的界面磁各向异性。写入方法应用了连续施加的双脉冲，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁各向异性的大小，从而减小写入难度，极大降低器件功耗。
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