公开(公告)号：CN102420201A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110363430.6

申请日：2011-11-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  刘胜

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至5微米至20微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。

公开(公告)号：CN102214602A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110148201.2

申请日：2011-06-02

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  刘胜 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  吕植成

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提出了一种TSV通孔的电镀方法，该方法首先将带有TSV通孔的硅片和种子层铜片紧密贴合；之后将硅片表面与电镀液接触，进行硅片自底到顶的电镀；最后将电镀后的硅片和种子层铜片分离。所述的种子层铜片为纯铜片或者为在表面溅射了一层铜的硅片。本发明所述的电镀方法不需要在带TSV通孔的硅片上溅射种子层，也不需要局部电镀封口，整个电镀过程一次完成，工艺简单，而且避免了溅射与局部电镀封口后的操作对硅片造成损坏。本发明由于工艺简单，操作性好，能显著地提高TSV通孔电镀的填充效率和质量。

公开(公告)号：CN202332838U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120454618.7

申请日：2011-11-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海 ,  胡畅 ,  刘胜

IPC: H01L23/538

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命。

公开(公告)号：CN202332839U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120491936.0

申请日：2011-12-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  王宇哲 ,  徐明海

IPC: H01L23/538

Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔结构，包括半导体衬底和贯穿所述半导体衬底的具有台阶的通孔，所述台阶通孔侧壁依次沉积有绝缘层、粘附层、阻挡层，通孔内填充有金属导体，半导体衬底表面上还依次沉积有由绝缘层、粘附层、阻挡层、导电层沉积构成的互连结构，互连结构中的导电层与金属导体相连接。

公开(公告)号：CN202651087U

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201220097245.7

申请日：2012-03-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  徐明海 ,  师帅 ,  王宇哲

IPC: H01L21/768

Abstract: 本实用新型公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充装置，包括孔板和真空回流装置；所述孔板置于硅晶圆的表面的孔板，孔板上加工有多个用于填充金属小球的小孔，小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；所述真空回流装置用于在真空环境下熔化金属小球。本实用新型通过孔板小孔大小和厚度，金属小球的大小来控制每个小孔内外金属体积和位置，并通过抽真空来避免盲孔填充金属时由于孔内气室和金属表面张力的作用而导致空洞缺陷。

公开(公告)号：CN202275026U

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201120401933.3

申请日：2011-10-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪学方 ,  刘胜 ,  胡畅 ,  徐春林 ,  王宇哲 ,  徐明海

IPC: G01N3/10

Abstract: 焊球强度测试装置，属于位移和气体压强测试装置，解决现有接触式测量方法需要制造加工更小的测量元件并保证其强度的问题。本实用新型包括气源、增压泵、左支架、丝杆、喷嘴、喷嘴载台、光栅尺位移传感器、元件载台、右支架、底座和光栅尺支架；本实用新型空气或氮气通过喷嘴输出，对焊球施加作用力，与接触式的测量装置相比，喷嘴的口径可以大于焊球直径，不需要制造加工与焊球尺寸相近并且高强度的探针或者切刀，在实际测量中也避免了测试工具的损耗和误差，喷嘴输出压力可以设置，测量的灵活性和测量范围较大，可以有效保护测量仪器并保证测量结果的准确；适用于微电子封装器件强度测试。

公开(公告)号：CN202330632U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120446175.7

申请日：2011-11-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  汪学方 ,  吕植成 ,  袁娇娇 ,  王宇哲

IPC: G01R31/26

Abstract: 本实用新型公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量装置，包括四探针，用于检测局部金属互联线的电阻；平行光光源，用于照射晶圆上的所有金属互联线；光学显微镜，用于实时采集所有金属互联线的光反射图像；计算机，用于依据光反射图像获取金属互联线的光强度，以及建立局部金属互联线的电阻与反射光强度的对应关系。本实用新型在不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。