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公开(公告)号：CN109946578A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910127850.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法，包括：将磁纳米粒子布置在IGBT芯片外壳背部的中心区域，构建IGBT结、IGBT芯片外壳与工作环境的二阶传热模型；构建均匀的交流激励磁场，将带有磁纳米粒子的IGBT芯片放置于所述磁场后，提取磁纳米粒子响应信号的一次谐波幅值；根据一次谐波幅值，计算IGBT芯片外壳背部温度；根据IGBT芯片外壳背部温度、工作环境温度和二阶传热模型，计算IGBT结温。本发明使磁纳米粒子接近IGBT结处，提高IGBT结温测量的精度；利用磁纳米粒子磁化强度的温度敏感特性，测量磁纳米粒子交流磁化强度的一次谐波幅值，得到外壳背部温度，无需破坏IGBT芯片的现有封装，实现非侵入式温度测量；通过二阶热容热阻传热模型，实现IGBT结温的实时测量。
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公开(公告)号：CN104856655A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510220637.6
申请日：2015-05-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61B5/01
CPC classification number: A61B5/01 , A61B5/7203 , A61B5/7257
Abstract: 本发明公开了一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法，属于磁纳米测试技术领域。本发明将磁纳米样品放置在待测对象处，对放置磁纳米样品的区域施加双频激励磁场，采集双频磁场激励下磁纳米样品的磁化强度信号，然后从中提取出各次谐波幅值，最后根据谐波与温度的关系构建方程组求解温度。本发明可以快速准确的测量物体温度，特别适用于非接触式温度测量。
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公开(公告)号：CN102156006B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110055939.4
申请日：2011-03-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K7/38
CPC classification number: G01K7/36 , A61B5/01 , A61B5/05 , A61B5/0515 , G01K2211/00 , G01R33/1276
Abstract: 本发明公开一种基于顺磁特性的磁纳米粒子远程温度测量方法，对磁纳米样品所在区域施加多次不同的激励磁场，依据郎之万顺磁定理构建不同激励磁场与对应磁化率的方程式组，通过方程式组求解获取温度及样品浓度信息。本发明能够更精密、更快速的探测物体温度，特别适用于生物分子层面热运动的探测，试验表明测量误差可小于0.56K。
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公开(公告)号：CN103156581A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310065896.7
申请日：2013-03-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61B5/01
CPC classification number: A61B5/01 , A61B5/0515 , G01K7/36 , G01K13/002 , G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子交流磁化强度的在体温度测量方法，属于纳米测试技术领域。本发明将磁纳米试剂置放于待测对象处，对磁纳米试剂所在区域施加交流激励磁场，采集交流激励磁场作用下磁纳米试剂的交流磁化强度，检测出交流磁化强度信号中各奇次谐波幅值，最后根据谐波和温度的关系式计算在体温度。本发明通过离散化朗之万函数和傅里叶变换预先建立各奇次谐波分量与在体温度关系式，通过该关系式求解在体温度，求解过程中无需考虑磁纳米粒子浓度信息及其有效磁矩随温度变化情况，便可实现在体温度的准确检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115349844A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210829005.X
申请日：2022-07-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61B5/0515 , G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法及装置，属于纳米材料测试技术领域。通过激光照射待检测目标区域，计算磁纳米粒子的第一透射光强，在外加磁场的作用下，利用磁纳米粒子的磁响应特性使得透过磁纳米粒子的光的透过率发生变化，通过计算变化后的第二透射光强，得到磁纳米粒子的磁光透射率，基于该磁光透射率与磁纳米粒子浓度及温度的关系，可以得到待检测目标区域内的磁纳米粒子的浓度及温度，进而实现对目标区域内磁纳米粒子成像。本发明结合了光学成像的高时空分辨优势，又能够实现在微量造影剂时对组织特异性的功能成像，成像方式简单且成像效果好。
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公开(公告)号：CN112539853B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011217601.X
申请日：2020-11-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K7/36
Abstract: 本发明公开了一种基于电子顺磁共振的磁纳米粒子温度测量方法，属于纳米材料测试技术领域。本发明利用电子顺磁共振设备，通过测量磁纳米粒子共振波谱g因子变化来进行温度测量；具体地，磁纳米粒子具有超顺磁性，其电子顺磁共振波谱形状与粒子粒径、温度以及浓度有关。在粒子粒径已知的情况下，电子顺磁共振波谱的中心共振磁场，即g因子的变化只与温度有关，而与浓度无明显联系。利用这一特性可以迅速准确地探知活体器官、组织甚至细胞内部的温度，大大拓宽了磁纳米测温应用场景，并且相对于磁共振测温，测温精度得到了有效提高。
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公开(公告)号：CN112652402A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011462314.5
申请日：2020-12-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G16H50/80 , G01N33/543 , G01N33/569 , G16B5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子谐波响应的病毒检测方法及系统，属于纳米测试技术领域，包括：分别产生交流磁场和直流偏置磁场并叠加为混合磁场；测量免疫检定试剂在混合磁场中的交流磁化响应，以测量出免疫检定试剂的二次及以上各次谐波响应；将免疫检定试剂与病毒样本混合，使功能性磁纳米粒子与目标抗原发生特异性结合，得到混合溶液；测量混合溶液在混合磁场中的交流磁化响应，以测量出混合溶液二次及以上的各次谐波响应；分别利用免疫检定试剂和混合溶液的二次及以上各次谐波响应计算免疫检定试剂和混合溶液的检测特征，若两个检测特征的差异程度超过预设的阈值，则判定病毒样本中含有目标病毒。本发明能够同时提升病毒检测的效率和灵敏度。
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公开(公告)号：CN112539853A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011217601.X
申请日：2020-11-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K7/36
Abstract: 本发明公开了一种基于电子顺磁共振的磁纳米粒子温度测量方法，属于纳米材料测试技术领域。本发明利用电子顺磁共振设备，通过测量磁纳米粒子共振波谱g因子变化来进行温度测量；具体地，磁纳米粒子具有超顺磁性，其电子顺磁共振波谱形状与粒子粒径、温度以及浓度有关。在粒子粒径已知的情况下，电子顺磁共振波谱的中心共振磁场，即g因子的变化只与温度有关，而与浓度无明显联系。利用这一特性可以迅速准确地探知活体器官、组织甚至细胞内部的温度，大大拓宽了磁纳米测温应用场景，并且相对于磁共振测温，测温精度得到了有效提高。
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公开(公告)号：CN109946578B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201910127850.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子的IGBT结温测量方法，包括：将磁纳米粒子布置在IGBT芯片外壳背部的中心区域，构建IGBT结、IGBT芯片外壳与工作环境的二阶传热模型；构建均匀的交流激励磁场，将带有磁纳米粒子的IGBT芯片放置于所述磁场后，提取磁纳米粒子响应信号的一次谐波幅值；根据一次谐波幅值，计算IGBT芯片外壳背部温度；根据IGBT芯片外壳背部温度、工作环境温度和二阶传热模型，计算IGBT结温。本发明使磁纳米粒子接近IGBT结处，提高IGBT结温测量的精度；利用磁纳米粒子磁化强度的温度敏感特性，测量磁纳米粒子交流磁化强度的一次谐波幅值，得到外壳背部温度，无需破坏IGBT芯片的现有封装，实现非侵入式温度测量；通过二阶热容热阻传热模型，实现IGBT结温的实时测量。
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