公开(公告)号：CN112466987A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011206305.X

申请日：2020-11-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 牛广达 ,  唐江 ,  逄锦聪 ,  潘伟程 ,  杜鑫源 ,  朱劲松

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/115 ,  H01L31/117

Abstract: 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法，该方法是将铯铅溴CsPbBr3基的固体材料放置在含有溴气的氛围下以进行后处理，如此向铯铅溴CsPbBr3中额外引入Br原子减少溴空位缺陷，从而提高基于铯铅溴辐射探测器的辐射探测性能。本发明通过对铯铅溴基材料进行溴气氛围的后处理，能够有效减少铯铅溴CsPbBr3材料的缺陷态密度、降低暗态电流、提高辐射探测器的辐射探测性能(如工作稳定性和灵敏度等)。

公开(公告)号：CN112467035B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202011310022.X

申请日：2020-11-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 牛广达 ,  杜鑫源 ,  唐江 ,  逄锦聪 ,  潘伟程 ,  朱劲松

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种肖特基型钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中肖特基型钙钛矿光电探测器包括依次相连的第一金属电极(1)、钙钛矿吸光层(2)、聚酰亚胺PI层(3)和第二金属电极(4)，其中，所述第一金属电极(1)所采用的金属材料功函数较高，所述第二金属电极(4)所采用的金属材料功函数较低。本发明通过肖特基势垒对暗电流有很好的抑制作用；同时又通过在钙钛矿表面旋涂一层聚酰亚胺(PI)薄膜，利用聚酰亚胺(PI)薄膜的对于钙钛矿表面的钝化和阻挡金属与钙钛矿的反应作用来降低钙钛矿光电探测器暗电流和离子迁移，从而有效的抑制钙钛矿光电探测器工作时的暗电流过大和暗电流漂移问题。

公开(公告)号：CN114381804B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202210046162.3

申请日：2022-01-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 唐江 ,  牛广达 ,  巫皓迪 ,  张澳 ,  朱劲松

IPC: C30B29/10 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  G01T1/202

Abstract: 本申请涉及一种化合物单晶及其制备方法和应用、闪烁体探测器，属于高性能闪烁体材料技术领域，本申请提供的化合物单晶，化学通式为：A5B3X6X`2或A5B3X7X`1，其中，A表示一价碱金属阳离子，B表示一价过渡金属阳离子，X和X`表示一价卤素阴离子，且X和X`为不同元素，所述化合物单晶的晶体结构为一维链状型。该化合物单晶得结构特性为一维晶体结构，该结构特性的化合物单晶作为闪烁材料具有强的激子限域效果，以使拥有优异的发光性能。

公开(公告)号：CN111722261A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911280534.3

申请日：2019-12-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 牛广达 ,  唐江 ,  高婉如 ,  尹力骁 ,  杨波 ,  朱劲松

IPC: G01T1/202 ,  C30B29/12 ,  C30B7/08 ,  C30B7/04

Abstract: 本申请公开了一种晶体材料作为闪烁体的应用，所述晶体材料满足化学通式A2BX3，其中，A为一价碱金属阳离子，B为一价过渡金属阳离子，X代表一价卤素阴离子。本申请提供的晶体材料具有无毒、稳定、制备方法简单、光产额高的特点，其作为一种新型的闪烁体，在高能粒子探测领域拥有巨大的潜力，展示出大规模工业化生产的应用前景。