一种适用于基于铁磁材料的多态存储器的多态存储方法

    公开(公告)号:CN109065707B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201810809559.7

    申请日:2018-07-23

    Inventor: 游龙 张帅 李若凡

    Abstract: 本发明公开了一种适用于基于铁磁材料的多态存储器的多态存储方法,包括:在基于铁磁材料的多态存储器的第一电极和第二电极之间施加定值的写电流,并对多态存储器施加平行或反平行于写电流的平面磁场;保持写电流的大小及方向均不变,改变平面磁场的大小,并获得每一个平面磁场值所对应的多态存储器的电阻值;选择m个电阻值,并通过编码得到m个数据值与m个电阻值一一映射的第一映射关系;获得与m个电阻值一一对应的m个平面磁场值,进而得到m个数据值与m个平面磁场值一一映射的第二映射关系,并由此实现利用多态存储器的m个电阻态分别存储m个数据值的多态存储。本发明能够有效提高多态存储的存储密度,降低存储功耗,并提高抗辐射能力。

    基于SOT效应的物理不可克隆函数生成方法及系统

    公开(公告)号:CN110851882A

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201910997447.3

    申请日:2019-10-21

    Abstract: 本发明属于自旋信息安全领域。针对现有物理不可克隆函数器件的制作工艺复杂、存在较大安全隐患的技术问题,提供了一种基于SOT效应的物理不可克隆函数生成方法及系统。首先,采用经过光刻、刻蚀等工艺制作的同一批器件构建Hall Bar阵列,对Hall Bar阵列的所有器件进行初始化,并施加相同的写电流;其次,根据给定的地址从所述阵列中任意选择N个器件,获取所述N个器件的反常霍尔电阻;最后,将所述N个器件的反常霍尔电阻进行两两比较,根据比较结果生成响应。本发明通过简单的光刻、刻蚀等工艺制作,得到不同的反常霍尔电阻分布,制备工艺简单且安全性能较高;而且,这样的随机性还可通过改变初始化电流和写电流进行重构,进一步提高了安全性能。

    一种基于随机性磁畴壁移动的可重构PUF构造方法

    公开(公告)号:CN110752287A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201910938009.X

    申请日:2019-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于随机性磁畴壁移动的可重构PUF构造方法,属于信息安全领域。包括:在具有SOT效应的器件中的各非易失器件的第一对底电极通入复位电流脉冲,同时加外磁场,使得各非易失器件中铁磁层的磁畴磁化方向相同;保持磁场不变,在各非易失器件的第一对底电极通入与复位电流脉冲方向相反的置位电流脉冲,使得各非易失器件的磁畴壁产生随机性的移动;在各非易失器件的第一对底电极通入测试电流,读取各非易失器件的反常霍尔电阻;将组成具有SOT效应的器件的各个非易失器件阵列的反常霍尔电阻转化为二进制密码,从而实现可重构PUF。本发明利用电流或者磁场作用于磁畴壁,推动磁畴壁随机性移动,该PUF结构简单,随机性即安全性有保障。

    一种基于铁磁材料的多态存储器及多态存储方法

    公开(公告)号:CN109065707A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201810809559.7

    申请日:2018-07-23

    Inventor: 游龙 张帅 李若凡

    Abstract: 本发明公开了一种基于铁磁材料的多态存储器及多态存储方法,包括:在基于铁磁材料的多态存储器的第一电极和第二电极之间施加定值的写电流,并对多态存储器施加平行或反平行于写电流的平面磁场;保持写电流的大小及方向均不变,改变平面磁场的大小,并获得每一个平面磁场值所对应的多态存储器的电阻值;选择m个电阻值,并通过编码得到m个数据值与m个电阻值一一映射的第一映射关系;获得与m个电阻值一一对应的m个平面磁场值,进而得到m个数据值与m个平面磁场值一一映射的第二映射关系,并由此实现利用多态存储器的m个电阻态分别存储m个数据值的多态存储。本发明能够有效提高多态存储的存储密度,降低存储功耗,并提高抗辐射能力。

    一种基于铁磁材料的忆阻器件

    公开(公告)号:CN108336222A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201810051734.0

    申请日:2018-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于铁磁材料的忆阻器件,具有多层薄膜结构,并且包括一个铁磁层,或者包括一个由第一铁磁层、非磁性层以及第二铁磁层构成的MTJ或自旋阀结构;基于SOT效应或者STT效应,通过向忆阻器件施加电流可以使得铁磁层或者MTJ或自旋阀结构中的第一铁磁层的磁畴状态发生改变,从而实现器件的阻值在高阻态和低阻态之间的连续变化,进而实现信息的存储、运算、神经网络和人工智能。本发明提供的忆阻器件使用铁磁材料,并且基于SOT效应或者STT效应,利用铁磁材料的磁畴状态的改变实现信息的存储,一方面具有较好的读写性能,另一方面具有较好的耐久性;同时,本发明提出的忆阻器件的结构为多层薄膜结构,器件尺寸小,能够实现很高的集成度。

    一种温度传感器组件、温度测量方法及系统

    公开(公告)号:CN116007781A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202310062010.7

    申请日:2023-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种温度传感器组件、温度测量方法及系统,基于铁磁薄膜,利用温度对于反常霍尔系数或者垂直磁化强度的大小会产生相关影响的物理特性,制备了所述的微米尺寸级别的温度传感器件,通过测量其在不同外界温度下反常霍尔电阻值与垂直磁场大小的变化曲线,建立了反常霍尔电阻差值与温度的对应关系曲线,所述的曲线的多项式拟合优度高,测试结果与拟合曲线的偏差小,从而可以实现对温度的100K至490K较宽测温范围内的高效测量。通过性能评价表明,上述薄膜结构具有良好的垂直磁各向异性,所述温度传感器具有良好的重复测试性能、测温耐久性、较高的测温精度与较宽的测温范围。

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