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公开(公告)号:CN110563463B
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN201910927298.3
申请日:2019-09-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介质陶瓷技术领域,更具体地,涉及一种低介微波介质陶瓷及其LTCC材料。将化学通式为Ca2RE8Si6O26(RE=Nd,Sm,Er)的化合物用于制备微波介质陶瓷材料,并进一步制备LTCC材料。该陶瓷具有低相对介电常数(εr=13.4~14.0)、优异的品质因数(Q×f=16300~18600GHz)和较宽的烧结温度(1350℃~1400℃),同时该微波介质陶瓷具有负的谐振频率温度系数(‑38.1ppm/℃≤τf≤‑17.8ppm/℃)。该微波介质陶瓷的烧结温度在添加一定量的烧结助剂CaO‑La2O3‑B2O3‑SiO2玻璃后能降至950℃以下,能作为一种LTCC材料来使用。
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公开(公告)号:CN107154531B
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201710290471.4
申请日:2017-04-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基片集成腔体毫米波阵列天线,包括天线阵列、功分模块以及外部转接模块。由外部转接模块将电磁波从金属波导引入功分模块,功分模块将电磁波分为多路电磁波输出,电磁波进入天线单元的基片集成腔体中,通过扩大基片集成腔体辐射口径在基片集成腔体中产生高次模谐振,提高毫米波阵列天线的增益,并由寄生结构调整基片集成腔体内的电磁波中高次模场分布,使得基片集成腔体内的电磁波中高次模的辐射方向变为向着基片集成腔体法线方向,实现天线阵列正常工作。另外,寄生结构采用呈类工字型金属片,能够提高金属片上电流长度,增大天线阵列的带宽。
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公开(公告)号:CN109534789B
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201811296117.3
申请日:2018-11-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/628 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y80/00 , C04B35/64 , C04B41/88 , C04B35/22 , C04B35/495 , H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷介质滤波器的制备方法,包括以下步骤:(1)对微波介质陶瓷粉进行表面处理,并配制光敏树脂,接着两者混合得到陶瓷浆料;(2)建立CAD模型,并将陶瓷浆料放入光固化3D打印机的料槽中;(3)利用光固化3D打印机进行增材制造成型得到陶瓷介质滤波器生坯;(4)对生坯进行排胶处理及烧结处理得到陶瓷介质器件胚体;(5)在陶瓷介质器件胚体上制备电极,即可得到陶瓷介质滤波器。本发明通过使用增材制造工艺,能够有效克服现有介质滤波器所存在的加工困难、产量低、精度低、性能不稳定、生产周期长的缺点,尤其适用于实现复杂结构陶瓷介质滤波器的制备。
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公开(公告)号:CN109319523A
公开(公告)日:2019-02-12
申请号:CN201710635885.6
申请日:2017-07-31
IPC: B65G65/48
CPC classification number: B65G65/4881
Abstract: 本发明属于先进快速成型/增材制造技术领域,具体涉及一种宽域增材制造自动送粉系统。其主要由控制系统、铺粉装置(1)、量化传送装置(2)、储粉仓(3)、控粉装置(4)及连接机构等组成。储粉仓(3)为空腔结构,储粉仓(3)的空腔内部装入经过处理的合适粉料,经储粉仓出口处的控粉装置(4)来实现宽域送粉。粉料经量化传送装置(2)从控粉装置出粉口落入位于储粉仓下方的粉床加工面,控粉装置配有相应的驱动电机,根据相应的需粉量通过控制面板调节控粉装置的转速。粉末落到粉床加工面后,由侧方的铺粉装置(1)实现相应厚度的铺展。本发明具有如下优点:可实现宽域量化多向供粉,可有效降低层间应力,结构简洁,拆装方便,不易发生堵塞,可移植性强,既适用于大型增材制造成型机,也可用于小型增材制造成型机,具有一定的通用性,成本较低,易于实现。
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公开(公告)号:CN106609020B
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201510691311.1
申请日:2015-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚四氟乙烯基复合材料,包括聚四氟乙烯以及分散于其中的Ag@TiO2,所述Ag@TiO2为TiO2包覆纳米银颗粒的核壳结构颗粒,其中,所述纳米银颗粒与所述TiO2的摩尔比为1:10~1:4,所述TiO2为金红石型,所述Ag@TiO2在所述复合材料中的体积分数为30%~70%,其粒径小于600nm。本发明还公开了该复合材料的制备方法与应用。本发明通过在聚四氟乙烯中填充Ag@TiO2,制备了一种具有较高的相对介电常数的复合材料,同时通过调节Ag@TiO2在材料中的比例,可以根据需求优化材料的介电性能,具有广泛的工程实用性。
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公开(公告)号:CN104973862B
公开(公告)日:2017-06-27
申请号:CN201510338511.9
申请日:2015-06-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采用固相反应法合成的xBaO‑yNd2O3‑ySm2O3‑zTiO2为主晶相材料,加入改性添加剂,改性添加剂选自BaO、CuO、B2O3或BaO、B2O3、MnO2、CuO,改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百分比为35.5~119.5mol%;经湿法球磨、干燥,从而获得一种能够以镍或镍合金作为内电极,适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该陶瓷材料具有烧结温度较低(1180~1200℃),高介电常数(εr>60)、较低的介电损耗(tanδ
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公开(公告)号:CN106609020A
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201510691311.1
申请日:2015-10-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚四氟乙烯基复合材料,包括聚四氟乙烯以及分散于其中的Ag@TiO2,所述Ag@TiO2为TiO2包覆纳米银颗粒的核壳结构颗粒,其中,所述纳米银颗粒与所述TiO2的摩尔比为1:10~1:4,所述TiO2为金红石型,所述Ag@TiO2在所述复合材料中的体积分数为30%~70%,其粒径小于600nm。本发明还公开了该复合材料的制备方法与应用。本发明通过在聚四氟乙烯中填充Ag@TiO2,制备了一种具有较高的相对介电常数的复合材料,同时通过调节Ag@TiO2在材料中的比例,可以根据需求优化材料的介电性能,具有广泛的工程实用性。
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公开(公告)号:CN105141273A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510572483.7
申请日:2015-09-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03H7/01
Abstract: 本发明公开了一种折叠链式穿心电容结构的EMI滤波器,包括层叠基体、一个输入端子、一个输出端子和两个接地端子;层叠基体包括从下至上依次层叠的基板、导电极板、接地极板和金属过孔;导电极板设置在基板表面上;首层导电极板的一端与输入端子连接,末层导电极板的一端与输出端子连接,接地极板设置在其余基板的表面上;接地极板的两端分别与两个接地端子连接;金属过孔沿基板的层叠方向,导电极板之间通过金属过孔首尾相连,使得导电极板与接地极板形成空间折叠的链式穿心电容结构。本发明提供的EMI滤波器,其链式结构将多个穿心电容进行折叠、级联,充分利用结构中的寄生效应在有限的体积内实现优良带外抑制。
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公开(公告)号:CN104953281A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510276142.5
申请日:2015-05-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种频率可调的介质谐振器天线,属于频率可调天线技术领域。包括介质谐振器(1)、金属底座(2)、矩形通孔(3)、金属波导(4)、同轴传输线(5)、金属滑块(6)、绝缘连杆(7)和直线伸缩驱动单元(8)。本发明采用可调缝隙结构实现的频率可调介质谐振器天线,结构简单易于实现,且辐射特性稳定。相比其它方式实现的频率可调介质谐振器天线,本发明的天线谐振频率调谐范围宽,辐射效率高,所有调谐机构均放置于天线辐射的阴影区内,对天线辐射特性影响小,方向图在可调范围内畸变小,同时具有较高的增益。
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公开(公告)号:CN102850050B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201210320535.8
申请日:2012-08-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结压电陶瓷材料,用化学通式Pb(0.995-a-b-3c/2)BaaSrbFec(Zn1/3Nb2/3)xZryTi(1-x-y)O3+u%Li2CO3+v%M2O3+w%ZnO表示压电陶瓷材料的组成,式中M为三价金属元素,Ba、Sr、Fe、(Zn1/3Nb2/3)及Zr的摩尔比为a∶b∶c∶x∶y,其中,0≤a≤0.05;0≤b≤0.03;0≤c≤0.01;0.25≤x≤0.35;0.30≤y≤0.40;Pb(0.995-a-b-3c/2)BaaSrbFec(Zn1/3Nb2/3)xZryTi(1-x-y)O3为基体陶瓷粉体,u%表示Li2CO3占基体陶瓷粉体的重量百分比,v%表示M2O3占基体陶瓷粉体的重量百分比,w%表示ZnO占基体陶瓷粉体的重量百分比,0<u≤1,0<v≤2,0<w≤0.2。本发明通过添加组合氧化物掺杂剂,可以将陶瓷的烧结温度从1200℃降至900℃,并能获得大的压电常数(d33≥450pC/N)、大的机电耦合系数(kp≥0.60)、高居里点(Tc>350℃)及适中的介电常数(εr=2000~3500),满足叠层压电驱动器对陶瓷材料的应用要求。
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