公开(公告)号：CN104973862B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510338511.9

申请日：2015-06-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪小红 ,  王梦洁 ,  雷文 ,  吕文中 ,  王晓川

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采用固相反应法合成的xBaO‑yNd2O3‑ySm2O3‑zTiO2为主晶相材料，加入改性添加剂，改性添加剂选自BaO、CuO、B2O3或BaO、B2O3、MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百分比为35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该陶瓷材料具有烧结温度较低(1180～1200℃)，高介电常数(εr>60)、较低的介电损耗(tanδ

公开(公告)号：CN104973862A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510338511.9

申请日：2015-06-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 汪小红 ,  王梦洁 ,  雷文 ,  吕文中 ,  王晓川

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采用固相反应法合成的xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2为主晶相材料，加入改性添加剂，改性添加剂选自BaO、CuO、B2O3或BaO、B2O3、MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百分比为35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该陶瓷材料具有烧结温度较低(1180～1200℃)，高介电常数(εr>60)、较低的介电损耗(tanδ