公开(公告)号：CN109616541A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811268681.4

申请日：2018-10-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  靳雯 ,  周广通 ,  胡一说 ,  任婷婷 ,  吴少雄 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  曾洋 ,  肖永红

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了过渡金属硫族化合物横向同质结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料领域。包括绝缘衬底、电极A、电极B、n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜；所述电极A和电极B分别位于绝缘衬底两端；n型过渡金属硫族化合物膜和p型过渡金属硫族化合物膜由相同化合物组成，横向连接形成p-n结。本发明采用激光合成法制备n型过渡金属硫族化合物膜，横向同质p-n结有效降低了p-n结的晶格失配率，减小了界面缺陷；电极与薄膜功函数匹配，形成良好欧姆接触；电极与薄膜以范德瓦尔斯力结合，可有效避免电极制备工艺对薄膜的损害，以及由此引发的应力及金属扩散等问题发生，使薄膜应用于太阳能电池的转换效率得到提高。

公开(公告)号：CN109004054A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810760180.1

申请日：2018-07-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  周广通 ,  王文照 ,  胡一说 ,  靳雯 ,  吴少雄 ,  曾洋 ,  任婷婷 ,  郭振宇

IPC: H01L31/074 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜异质结太阳能电池，其采用PVA/PVP光透膜层作为电池的窗口层，由于PVA/PVP光透膜层能够隔离空气，从而增加了硫化钼薄膜异质结太阳能电池的稳定性；并且其在P型单晶硅衬底与硫化钼薄膜层之间设置了氧化石墨烯中间层，通过氧化石墨烯中间层与P型单晶硅衬底接触，由于氧化石墨烯中含有氢键可以与P型单晶硅衬底表面的悬挂键结合，从而降低了P型单晶硅衬底的表面态，有利于提升电池的开路电压和短路电流，进一步提升本发明的硫化钼薄膜异质结太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN108666375A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810356878.7

申请日：2018-04-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曾祥斌 ,  王文照 ,  郭振宇 ,  吴少雄 ,  曾洋 ,  胡一说 ,  周广通 ,  靳雯 ,  任婷婷

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米层状横向同质PN二极管及其制备方法与应用。所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜均位于介质层的上表面，且横向连接；电极层分别与p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜纵向连接或横向连接；所述p型过渡金属硫族化合物膜和n型过渡金属硫族化合物膜由相同过渡金属硫族化合物组成。本发明制备方法简单，采用磁控溅射使氧等离子体实现过渡金属硫族化合物高效率低损伤的p型掺杂，实现了有效、可控掺杂，得到的二极管用于光电探测器具有更快光响应和更高探测率。