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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110455739A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910771456.0
申请日：2019-08-19
Applicant: 华东理工大学
IPC: G01N21/3563 , G01N21/3586
Abstract: 本发明提供一种基于太赫兹光谱技术的热障涂层中CMAS的检测方法，包括：制备一组未受CMAS腐蚀的和N组受CMAS腐蚀程度不同的热障涂层试样，N至少为2且N为正整数；选取其中一组热障涂层试样进行太赫兹光谱测试；计算热障涂层试样在太赫兹频段的光学特征参数；对其余热障涂层试样重复上述步骤，分析未受CMAS腐蚀的和受CMAS腐蚀程度不同的热障涂层试样在太赫兹频段的光学特征参数的变化规律；对待测样品重复上述步骤，并根据变化规律判断待测样品是否受CMAS腐蚀及腐蚀程度。本发明可以实现对热障涂层中CMAS的高效无损检测，具有不破坏和污染样品，数据处理过程简便，检测结果精度高及检测过程无辐射对人体安全等优点。
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公开(公告)号：CN115109897A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210547467.2
申请日：2022-05-19
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明涉及一种防护涂层的真空热循环方法，其以电子束为热源，防护涂层覆盖在基材上形成测试试样，通过金属罩罩在测试试样上来提供真空测试环境，电子束加热金属罩间接地使测试试样升温以对测试试样进行反复加热进行热循环测试。根据本发明的防护涂层的真空热循环方法，适用于碳基材料等易氧化材料的表面涂层的热循环考核，在高导热的防护罩的保护下，利用高能量密度的真空电子束间接加热试样，对防护涂层进行考核和温度标定，从而测试防护涂层的热循环寿命及结构完整性。
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公开(公告)号：CN114855113A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210520296.4
申请日：2022-05-13
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明涉及一种低吸发比高发射率涂层材料及其制备工艺、以及一种高发射率涂层系统及其制备工艺。所述低吸发比高发射率涂层材料为氧化镁掺杂氧化铝，其中，氧化镁的掺杂量为1～10wt.％。根据本发明提供的氧化镁掺杂含量，由此制备得到的氧化铝基高发射率涂层系统相比较纯氧化铝涂层具有更低的吸发比，根据本发明提供的掺杂方法可应用于太阳探测器迎日涂层的开发。
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公开(公告)号：CN114752881A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210307444.4
申请日：2022-03-25
Applicant: 华东理工大学
Abstract: 本发明涉及一种抗CMAS腐蚀热障涂层的制备方法，其包括在基体上制备金属粘结层；在金属粘结层上制备陶瓷主体层；在陶瓷主体层上采用溶液前驱体等离子喷涂制备抗腐蚀陶瓷顶层，其中，直径为0.2～1.5μm的微纳米颗粒在陶瓷主体层的表面堆叠成直径为10～50μm的半球状或直径为1～10μm的团簇状凸起，半球状或团簇状凸起与其表面的小颗粒共同构成微纳双尺度结构。本发明还涉及一种由此得到的热障涂层，其包括金属粘结层、陶瓷主体层和抗腐蚀陶瓷顶层。根据本发明的抗CMAS腐蚀热障涂层，通过抗腐蚀陶瓷顶层阻碍熔融CMAS在热障涂层表面润湿与附着，使热障涂层与CMAS熔体之间的接触面积达到最小化。
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