公开(公告)号：CN103529240A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310506796.3

申请日：2013-10-24

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 王鹏 ,  郭群英 ,  黄斌 ,  陈璞 ,  何凯旋 ,  陈博 ,  王文婧 ,  刘磊 ,  汪祖民 ,  徐栋 ,  吕东锋 ,  庄须叶

IPC: G01P15/00

Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的加速度计，包括连接于玻璃衬底上的硅基体（1），硅基体中设有悬臂梁（2）及相连的质量块（3），其特征在于：在质量块的两侧硅基体中对称设有弹性梁（6），弹性梁（6）与硅基体间设有缓冲间隙（4）。本发明与现有的加速度计抗高过载结构相比具有如下优点：（1）本发明有效的将弹性碰撞面与缓冲间隙相结合，使得加速度计在高过载情况下，可动结构不易断裂，实现了器件的高可靠性。（2）本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了加速度计产品的一致性和可靠性；加工工艺比较简单，全部利用公知的MEMS工艺技术加工，适合大批量生产。

公开(公告)号：CN102862947A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210346195.6

申请日：2012-09-18

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 何凯旋 ,  郭群英 ,  陈博 ,  王鹏 ,  汪祖民 ,  王文婧 ,  黄斌 ,  陈璞 ,  徐栋 ,  吕东锋

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。