公开(公告)号：CN113066901A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110315874.6

申请日：2021-03-24

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  李山 ,  李培刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032

Abstract: 一种增强VOx‑Ga2O3异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VOx‑Ga2O3异质结，对制备的VOx‑Ga2O3异质结进行二次特定气氛退火，以提升电子‑空穴的分离能力和载流子输运能力。本发明的方法可以改变界面处的接触特性和VOx材料的V元素价态比率以及Ga2O3材料的晶体质量，有效促进VOx‑Ga2O3异质结光电器件的自供电光响应性能的提升；本发明的方法操作简便，成本低廉，效果明显，有利于科学研究借鉴和工业化生产流程。

公开(公告)号：CN107507876B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201710751589.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  彭阳科

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种β‑Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法，涉及光电子技术领域；探测器阵列从下到上依次为：β‑Ga2O3光吸收层、下电极层、氧化物薄膜绝缘层和上电极层；在衬底上生长β‑Ga2O3薄膜形成β‑Ga2O3光吸收层，然后在β‑Ga2O3光吸收层上制备包括列导线和叉指电极的下电极层；下电极层上方为氧化物薄膜绝缘层，最上层为包括行导线的上电极层；行导线与列导线的交叉部分中间布置氧化物薄膜绝缘层；每一列叉指电极的阳极都接在本列的列导线上，行导线连接每一行叉指电极的阴极；将制备好的探测器阵列用陶瓷封装器进行封装，得到β‑Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列。本发明具有工艺可控性强，成本低，操作步骤简单，可大面积制备、重复性好和开发周期短等优点。

公开(公告)号：CN107359170A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710464206.3

申请日：2017-06-19

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 唐为华 ,  彭阳科

IPC: H01L27/144 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于叉指电极的紫外探测器阵列结构，涉及光电子技术领域。所述的探测器阵列结构包括基底、导线和叉指电极元件；导线包括行导线和列导线，所有的列导线在基底表面等间距排布，所有的行导线垂直于列导线等间距排布，行导线与列导线的交叉部分绝缘；行导线和列导线分割的空间内布置叉指电极元件；叉指电极元件两端分别连接在行导线和列导线上。本发明实现了任意尺寸、大小的阵列，工艺可控性强，成本低操作步骤简单，可大面积制备、重复性好、开发周期短，还能利用后续电路处理动态控制任意位置单元的工作状态，具有广阔的应用前景。