一种基于硅基衬底的纳米整流天线

    公开(公告)号:CN104966745A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201510217779.7

    申请日:2015-04-30

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04

    Abstract: 本发明一种基于硅基衬底的纳米整流天线。所述的整流天线为纳米天线与金属-绝缘体-金属二极管组成的一体化结构,天线的左右臂分别为金属I和金属II,中间为绝缘层。将设计的纳米整流天线分别置于不同的衬底上,通过采用三维电磁场数值计算方法,计算了不同入射光波长下,整流天线的局域场强度和输出功率,最后计算出相应的光电转换效率。本发明发现的理论规律如下,随着衬底折射率的增加,共振波长发生红移,最大场增强系数和光电转换效率也逐渐增大。该理论计算为整流天线电池的实验制备和生产应用提供了设计思想,有利于新能源技术的绿色低成本发展。

    一种函数级热补丁自动提取与在轨注入方法、系统及设备

    公开(公告)号:CN117055938A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311025127.4

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明公开了一种函数级热补丁自动提取与在轨注入方法、系统及设备,方法包括:为星上软件预留、划分补丁内存空间,并定位、提取及上注补丁程序;采用宏函数的方式,将补丁函数及其对应原函数名拼接为特殊字符串,并以特殊字符串定义一个全局结构体变量,根据全局结构体变量生成对应符号表项;扫描符号表,提取补丁函数及其对应原函数地址信息,生成函数重定向指令;星上完成补丁程序及函数重定向指令合法性检查后将旧函数重定向到补丁函数处开始执行,完成打补丁操作。该方法可有效解决现有函数在轨维护技术效率低、难度大、风险高等问题,同时不需要在软件开发阶段预留在轨维护函数指针,极大地提高了代码的可维护性、降低了软件开发复杂度。

    共用双焦点光学天线系统
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111999875A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010732675.0

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 本发明共用双焦点光学天线系统,该系统中心为旋转双叶双曲面反射镜,其有内、外两个焦点,位于旋转双曲面反射镜内的焦点为内焦点,位于旋转双曲面反射镜外的焦点为外焦点。多组会聚透镜单元分布在旋转双曲面反射镜外侧,每组会聚透镜单元的焦点均与双叶双曲面反射镜的内焦点重合即共用内焦点,发散透镜单元的焦点与双叶双曲面的外焦点重合即共用外焦点。各会聚透镜单元分别位于以旋转双曲反射镜内焦点为球心,以每个会聚透镜单元的焦距为半径的空间球面任意位置处,由控制系统调整凸透镜单元在各自空间球面上的位置变化。发散透镜单元位于双叶双曲面反射镜的下方,其光轴与双叶双曲面反射镜的旋转轴重合。

    一种半功率角外波瓣快速跌落的矩形波束赋形天线

    公开(公告)号:CN107230845B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201710322793.2

    申请日:2017-05-09

    Abstract: 本发明提供一种半功率角外波瓣快速跌落的矩形波束赋形天线,包括三组子阵列,三组子阵列的排布方式为:以N×N子阵列A组为中心,在A组子阵列的上、下、左、右分别增加N个阵元构成B组子阵列,再在B组子阵列的上、下、左、右分别外扩不多于N个阵元构成C组子阵列,其中N≥1;同一组子阵列中阵元的激励幅度相同,且A组子阵列中阵元的激励幅度最大;A组和B组子阵列中阵元的相位相同,C组子阵列中阵元的相位与其它组阵元相差180°。该赋形天线采用了较少的阵元数量,实现了矩形波束半功率角外波瓣快速跌落。

    一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104878355B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201510219988.5

    申请日:2015-04-30

    Abstract: 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法,在衬底上旋涂正胶,利用电子束曝光技术,制作一个正方形掩膜窗口。利用磁控溅射镀膜技术在掩膜窗口内,在额定的背底真空条件下,以80~150watt的功率,0~5sccm的氧气流量,30~100sccm的氩气流量,的速度溅射制备金属氧化物薄膜。并利用丁酮试剂经过加热、超声,完成剥离。测试结果表明,采用此发明可获得表面粗糙度为1nm,厚度范围为3~10nm,氧钛比可调控范围为1.40~1.93,含三种价态钛。本发明可实现对纳米介质层面积、表面粗糙度、厚度、氧化程度的调控,为进一步制备性能优异的金属‑介质‑金属型整流器提供关键材料。

    一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层制备方法

    公开(公告)号:CN104882378A

    公开(公告)日:2015-09-02

    申请号:CN201510164377.5

    申请日:2015-04-09

    CPC classification number: H01L29/66151 H01L21/02244 H01L21/02252

    Abstract: 本发明介绍了一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法;利用电子束曝光技术,在基底金属层薄膜上打开一个正方形掩膜窗口。利用氧等离子体氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层薄膜进行氧化,具体工艺条件为:利用氧等离子体,在0.3~0.7Torr真空下,10~50sccm氧气流量,60~140watt功率刻蚀1~5min。丁酮试剂中经过加热、超声,完成掩膜剥离。表征结果显示,基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层,制备工艺简单,无需添加材料,界面共格性好、缺陷少,有望广泛应用于科研与生产。

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