公开(公告)号：CN101122020A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710119511.5

申请日：2007-07-25

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  廖庆亮 ,  黄运华 ,  齐俊杰 ,  高战军 ,  张晓梅

IPC: C23C28/00 ,  C23C18/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C01G9/02 ,  C03C17/23 ,  C04B41/50

Abstract: 一种大面积纳米氧化锌定向阵列的制备方法，属于纳米材料定列的制备技术领域。工艺为：依次包括以下步骤：将硝酸锌和六次甲基四胺溶解于水作为反应溶液，可添加碱类物质调控溶液的pH值；提供一片清洗干净的基片，在基片表面沉积一层氧化锌薄膜，或者将配制好的锌盐溶液均匀涂敷在基片表面后烧结；将处理过的基片放入反应溶液中，保温一段时间；取出基片，清洗干净后干燥，得到纳米氧化锌阵列。优点在于，可在非常大的面积上快速制备高取向、高纯度的纳米氧化锌阵列，并可控制形貌，工艺简单，成本低。

公开(公告)号：CN1772625A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510086564.2

申请日：2005-10-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  刘娟 ,  黄运华 ,  贺建 ,  齐俊杰 ,  张晓梅 ,  廖庆亮

IPC: C01G9/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明提供了一种制备高产量掺铟ZnO纳米盘的方法，属于纳米材料制备技术领域。具体工艺为：将硅(100)基片用去离子水和酒精分别冲洗干净，作为沉积基片；将Zn粉、In2O3粉和C粉按摩尔比Zn∶In2O3∶C＝1∶1∶2～3∶1∶2混合，充分研磨均匀并将其置于瓷舟中，研磨时间20～30分钟，之后将硅基片倒扣于瓷舟上；把瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向管中通入氩98％/氧2％混合气体300标准立方厘米/分钟。在此气氛下将管式炉升温至870～900℃并保温20～25分钟，冷却至室温，所得产品是掺铟氧化锌纳米盘。本发明的优点在于：首次制备出In/ZnO六边形纳米盘和十二边形纳米盘，在没有催化剂的条件下，实现了大范围的可控生长。