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公开(公告)号：CN111004958A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN202010015158.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Al-Si-Mn-Fe-Ga高熵十次准晶的制备方法。本发明采用十次准晶中结构块相似的设计思路，在Al20Si20Mn20Fe20Ga20合金薄带中，制备出一种成分为Al21Si19Mn21Fe26Ga13的高熵十次准晶。该十次准晶含5种元素，且成分接近等原子比，满足高熵合金基于成分的定义。从熵值上看，其构型熵为1.59R，大于高熵合金的熵判据1.5R，满足高熵合金基于熵值定义，所以该十次准晶是高熵十次准晶。本发明的优点在于利用不同十次准晶合金系结构块相似的特点，首次成功制备出多主元高熵十次准晶，填补了高熵合金相结构上的空白。我们还利用原子分辨率高角环状暗场扫描透射电子显微像，在原子级别揭示了该高熵十次准晶的结构特点。为之后的高熵准晶合金的成份设计提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN107267893B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710541085.8
申请日：2017-07-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开一种添加造孔剂制备准晶多孔材料的方法，属于金属多孔材料制备领域。所用造孔剂为碳酸氢铵。使用商用的Al粉、Cu粉、Fe粉，按合金原子配比Al63Cu25Fe12进行配料并混合均匀，依照混合物料的10～40wt％的原则添加造孔剂碳酸氢铵，混合均匀后经冷压成型，在氩气气氛保护下，置于高温气氛烧结炉中常压烧结制备高孔隙率的Al‑Cu‑Fe准晶多孔材料。所制备的材料孔参数可调，并且工艺简单，操作方便，制备准晶、多孔一步到位，为大规模工业化制备准晶多孔材料提供了有效途径。
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公开(公告)号：CN105568389B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201610018544.X
申请日：2016-01-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开种Al‑O‑Cu‑Fe单晶层片状材料的制备工艺,属于二维层片状及催化材料制备领域。制备过程为:按合金原子配比AlCuFe进行合金配料,其中x+y+z=100,60≤x≤70,13≤y≤30,10≤z≤17;通过真空快淬甩带法制备出Al‑Cu‑Fe合金条带;采用NaOH室温化学脱合金化的方法,制备出二维层片状Al‑O‑Cu‑Fe单晶材料。每个片层厚度为30‑50 nm,单晶片直径在2‑6μm之间。片层之间相互交叉形成孔隙,孔径大小在1‑10μm,组成种多孔结构。本发明制备过程简单,成本低廉,生成的二维层片状结构的材料产量高,为工业化可控制备Al‑O‑Cu‑Fe二维单晶层状催化材料提供了解决方案。
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公开(公告)号：CN107267893A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710541085.8
申请日：2017-07-05
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: C22C45/08 , B22F3/006 , B22F3/1134 , C22C30/02
Abstract: 本发明公开一种添加造孔剂制备准晶多孔材料的方法，属于金属多孔材料制备领域。所用造孔剂为碳酸氢铵。使用商用的Al粉、Cu粉、Fe粉，按合金原子配比Al63Cu25Fe12进行配料并混合均匀，依照混合物料的10～40wt％的原则添加造孔剂碳酸氢铵，混合均匀后经冷压成型，在氩气气氛保护下，置于高温气氛烧结炉中常压烧结制备高孔隙率的Al-Cu-Fe准晶多孔材料。所制备的材料孔参数可调，并且工艺简单，操作方便，制备准晶、多孔一步到位，为大规模工业化制备准晶多孔材料提供了有效途径。
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