基准电压产生电路、芯片及电子设备

    公开(公告)号:CN115617115B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211344115.3

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备,所述基准电压产生电路包括:参考电压产生电路,所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压;稳压电路,所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路,其中:所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压,并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时,将所述基准电压转换为第一控制电压,在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时,将所述基准电压转换为第二控制电压;所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压,所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压,以对所述基准电压进行稳压,从而提高电路可靠性。

    SOC芯片单元混合布局方法和系统

    公开(公告)号:CN114925650A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210863596.2

    申请日:2022-07-22

    Abstract: 本发明提供一种SOC芯片单元混合布局方法和系统,属于集成电路版图设计领域。所述方法包括:获取前端网表,根据所述前端网表形成初始布局规划;确定需要混合布局的模块单元;根据所述初始布局规划和需要混合布局的模块单元确定用于限制需要混合布局的模块单元的放置位置的限制框;将需要混合布局的模块单元混合放置在所述限制框内。使用上述方法在布局过程中将同层级的SOC芯片单元混合布局,使得SOC芯片单元的运算时间、功耗以及电磁辐射等物理信息不具有规律性,攻击者无法通过分析物理信息来猜测安全芯片的密钥信息,提升安全芯片防功耗攻击的能力。

    SCR器件和芯片
    18.
    发明公开
    SCR器件和芯片 审中-实审

    公开(公告)号:CN114446946A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202210016566.8

    申请日:2022-01-07

    Abstract: 本申请提供一种可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR)器件,SCR器件包括高压P阱区和高压N阱区。所述高压P阱区依次设置有第一P+掺杂区和第一N+掺杂区。所述高压N阱区依次设置有第二P+掺杂区和第二N+掺杂区,所述第一N+掺杂区的下方设置有预设常压P阱区和/或所述第二P+掺杂区的下方设置有预设常压N阱区。本申请的SCR器件和芯片中,在高压P阱区中的第一N+掺杂区的下方构成预设常压P阱区和/或在高压N阱区中的第二P+掺杂区的下方构成预设常压N阱区,提高了SCR器件发射极注入载流子的复合效率,抑制SCR器件在导通过程中的再生反馈作用,提高维持电流,避免SCR器件在静电防护冲击下出现闩锁现象。

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