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公开(公告)号：CN106383790A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610723780.1
申请日：2016-08-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
CPC classification number: G06F12/0646 , G06F13/1668
Abstract: 本发明涉及一种总线管理单元及高安全系统级芯片，该总线管理单元包括：存储访问控制模块、存储加解密模块、加解扰模块、校验模块，所述存储访问控制模块用于对系统级芯片的存储器和寄存器的访问权限进行控制；所述存储加解密模块用于对所述存储器的地址和数据进行加/解密操作；所述加解扰模块用于对总线数据进行极性反转和总线数据填充；所述校验模块用于对存储器写数据和/或存储器读数据进行校验，并根据校验结果进行相应处理。
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公开(公告)号：CN106301761B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610647528.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H04L9/06
Abstract: 本发明涉及一种基于密码杂凑算法的压缩方法及装置，方法包括：获取各变量字的初值和预计算扩展字；对第一变量字、第二变量字、第三变量字的初值进行布尔函数处理；将预计算扩展字、第一变量字的初值、补偿结果以及布尔函数处理后的结果进行压缩加和处理，其中，补偿结果为进行预设位数移位后的常数与预设的补偿值的和；对压缩加和处理后的结果进行选择；对选择后的加和处理后结果进行置换运算，得到当前周期的第一变量字的压缩结果，可以缩短算法中的关键路径，降低关键路径时延，提高电路的吞吐率。
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公开(公告)号：CN107132472A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/307 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN106940523A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710190594.0
申请日：2017-03-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G04R20/00
Abstract: 本发明涉及一种基于低频时码技术的授时装置，包括：信号解调模块和数据处理模块，所述信号解调模块包括磁棒天线、信号调制单元、第一主控单元，所述磁棒天线通过所述信号调制单元与所述第一主控单元相连；所述数据处理模块包括第二主控单元；所述第一主控单元与所述第二主控单元进行通信。本发明实施例公开的一种基于低频时码技术的授时装置，有如下优点：所有终端设备可以进行统一校时，校时信号覆盖范围广泛。无需网络连接和人工干预，每天24小时自动校时。授时精度高，无累计误差。节省RTC相关电路，仅增加可靠的低频时码接收电路，节省了成本。本发明实施例提出的授时装置，解决了智能电网终端因计时不准导致的用户计费不准等问题。
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公开(公告)号：CN106301761A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610647528.7
申请日：2016-08-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H04L9/06
CPC classification number: H04L9/0643 , H04L2209/125
Abstract: 本发明涉及一种基于密码杂凑算法的压缩方法及装置，方法包括：获取各变量字的初值和预计算扩展字；对第一变量字、第二变量字、第三变量字的初值进行布尔函数处理；将预计算扩展字、第一变量字的初值、补偿结果以及布尔函数处理后的结果进行压缩加和处理，其中，补偿结果为进行预设位数移位后的常数与预设的补偿值的和；对压缩加和处理后的结果进行选择；对选择后的加和处理后结果进行置换运算，得到当前周期的第一变量字的压缩结果，可以缩短算法中的关键路径，降低关键路径时延，提高电路的吞吐率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112182998B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010743200.1
申请日：2020-07-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/32 , G06F115/06 , G06F115/08
Abstract: 本发明公开了一种面向对象的芯片级端口互连电路及其端口互连方法，其中，面向对象的芯片级端口互连电路包括：PAD模块，PAD模块用于实现芯片与外部电路的连接；CORE模块，CORE模块包括PINMUX单元、IOCTRL控制单元、CPU单元和多个IP核，其中，PINMUX单元分别与PAD模块和多个IP核连接，CPU单元用于对IOCTRL控制单元进行配置，以使IOCTRL控制单元通过PINMUX单元对PAD模块与各IP核的连接通路进行控制。该芯片级端口互连电路可快速、高质量地完成芯片研发过程中各类IP核端口之间的互连需求。
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公开(公告)号：CN113990866B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111622482.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，所述硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第三区、第二N+区及第二P+区，所述第三区为第三P+区或第三N+区；所述第一N+区和第一P+区均与所述硅控整流器的阳极相连；所述第二N+区和第二P+区均与所述硅控整流器的阴极相连。所述硅控整流器具有更强的泄放电流的能力，大大提升了防护能力。
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公开(公告)号：CN114050818A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111182262.0
申请日：2021-10-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及隔离器技术领域，提供一种数字隔离器及芯片。所述数字隔离器包括：调制发送模块，用于将接收到的输入信号转换为全差分信号；隔离电容模块，与所述调制发送模块连接，用于传输所述全差分信号；有源共模滤波模块，与所述隔离电容模块连接，用于过滤所述隔离电容模块传输所述全差分信号过程中的共模瞬态脉冲；接收解调模块，与所述隔离电容模块连接，用于对过滤共模瞬态脉冲后的全差分信号进行解调并输出。本发明通过调制发送模块将输入信号转换为全差分信号，利用有源共模滤波模块过滤全差分信号传输过程中的共模瞬态脉冲，提高了数字隔离器的共模瞬态脉冲抑制能力。
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公开(公告)号：CN113868965A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111451892.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明实施例提供一种黑磷吸波体设计方法及系统，属于光学器件逆设计技术领域。所述方法包括：根据预设的模拟场景和预设的黑磷吸波体的结构参数，在预构建的专用残差神经网络中获得目标吸收光谱训练样本；利用所述训练样本获得预测模型；获取需求吸收光谱，利用所述预测模型对所述需求吸收光谱进行训练，输出目标结构参数；基于所述目标结构参数进行黑磷吸波体设计。本发明方案在预构建的专用残差神经网络中进行预测模型构建，然后基于该预测模型进行符合用户需求的黑磷吸波体结构参数预测，极大提高了黑磷吸波体结构参数预测的准确性。
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公开(公告)号：CN113866690A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111453598.6
申请日：2021-12-01
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京航空航天大学青岛研究院
Abstract: 本发明涉及磁传感器领域，提供一种三轴隧穿磁电阻传感器及其制备方法、使用方法。所述三轴隧穿磁电阻传感器，包括上电极、下电极以及所述上电极与所述下电极之间的垂直磁各向异性隧道结；所述垂直磁各向异性隧道结用于在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量。本发明基于TMR效应，利用垂直磁各向异性隧道结在电场调控效应下，感应不同方向的磁矩矢量，相较于现有的基于霍尔效应或巨磁阻效应的磁电阻传感器，灵敏度更高，易于集成。
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