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公开(公告)号：CN118554758A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410687069.X
申请日：2024-05-30
Applicant: 福州大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路类比运放功率级的自适应死区产生和过零检测复用电路，利用开关电源开关节点同时包含了过零信息与死区时间信息这一特点，将两个电路中的检测电路相结合的电路，在具有良好自适应过零检测与自适应死区时间控制的基础上实现了更小的电路面积与功耗。
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公开(公告)号：CN118192753A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410439994.0
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/67
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种输出电压反馈电路、芯片及电子装置，所述电路包括：比较器模块的正相输入端用于输入基准参考电压，反相输入端用于输入反馈信号，比较器模块用于比较基准参考电压和反馈信号，得到误差信号；受控电流源模块用于提供可变电流；目标电阻的第二端连接于电源管理芯片的第一端，电源管理芯片的第一端用于输出输出电压；控制电路模块用于根据误差信号调整输出电压的值。通过该电路，由于只需要保留一个电阻就可以满足需求，因此减少了元器件的使用，降低了芯片的面积开销；另一方面，通过控制受控电流源模块提供的可变电流Ictrl就可以非常方便地改变输出电压的大小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118170210A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410448033.6
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明实施例公开了一种失调电压的校准方法和电路。失调电压的校准方法包括：接收控制指令；根据控制指令，在预设第一时刻之前控制目标器件的校准电路工作在常温模式；在预设第一时刻至预设第二时刻之间，控制校准电路工作在高温模式，以对目标器件的失调电压进行双温校准。本实施例提供的失调电压的校准方法和电路，能够提高校准测试的效率，节约测试成本和测试时间。
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公开(公告)号：CN116915239A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310701608.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 福州大学
IPC: H03K19/094 , H03F1/52 , H03K19/003 , H03K19/00
Abstract: 本发明实施例提供一种抗高压的轨到轨输入级电路及运算放大器，属于集成电路技术领域。所述轨到轨输入级电路包括：轨到轨输入模块，其通过多组N/P型低压器件互补差分对形成为恒跨导结构，用于接入并处理差分输入信号；抗高压模块，其包括设置在所述轨到轨输入模块的差分输出路径上的N/P型高压器件互补差分对，用于对所述轨到轨输入模块中的各个N/P型低压器件进行限压；以及共模反馈模块，连接所述抗高压模块中的各个N/P型高压器件的控制端，以向相应N/P型高压器件提供控制电压。据此，抗高压模块中的高压器件被共模反馈模块提供的控制电压所控制，进而改变相应高压器件的端口间电压，以实现对轨到轨输入模块中的低压器件的限压，避免低压器件被击穿。
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公开(公告)号：CN119645184A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411664011.X
申请日：2024-11-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明实施例提供一种LDO电路、芯片和电子设备，属于模拟芯片技术领域。所述LDO电路包括：输入电路，接入参考电流，并至少通过主晶体管来对应输出参考电压；放大电路，其接入参考电压并进行放大；以及反馈电路，一端经晶体管对管连接所述放大电路的输出端，另一端向所述放大电路反馈电压并作为所述LDO电路的输出端。其中，所述主晶体管和所述晶体管对管均工作在亚阈值区，且所述放大电路的放大倍数被配置为使得流过所述主晶体管和所述晶体管对管的电流相等。本发明实施例的LDO电路利用处于亚阈值区的晶体管，并配合放大电路的放大倍数，产生了可供LDO电路确定输出的电压，不需要基准电路，电路简单且功耗低。
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公开(公告)号：CN118573017A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410539635.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种开关变换器及其频率调整电路和能量采集系统，属于芯片技术领域。所述频率调整电路包括：控制芯片，用于输出驱动所述开关变换器进行开关动作的控制信号；设置在所述控制芯片外部的片外可调电阻，其被调节以通过改变所述控制信号来调整所述开关变换器的开关频率；以及设置在所述控制芯片与所述片外可调电阻之间的限流电阻，用于通过与所述片外可调电阻的配合来限制所述开关变换器的最大开关频率。本发明实施例在不增加额外限流电路的同时，通过设置限流电阻来配合片外可调电阻调节开关变换器的开关频率，并限制了开关变换器的最大开关频率，电路实现成本低。
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公开(公告)号：CN115224932B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211021916.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种电荷泵电路、芯片及电子设备，所述电荷泵电路包括：至少两级电荷泵单元和辅助级单元；在所述至少两级电荷泵单元中，第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接，第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接。采用该方案，通过开关管的前馈体偏置电压，能够降低开关管导通状态下的阈值电压，使得开关管导通电阻变小，有利于电荷泵在超低电压下工作。
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