公开(公告)号：CN119314974A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411838928.7

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 李浩 ,  梁玉 ,  郑超 ,  赵波 ,  金锐 ,  崔翔 ,  李哲洋 ,  赵志斌 ,  李学宝

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：基板，具有间隔设置的第一导电层和第二导电层；功率模块，位于第一导电层上，且功率模块的漏极与第一导电层电连接；互连结构，位于功率模块远离基板的一侧，功率模块和基板通过互连结构电气连接；源极连接器，位于第二导电层上，且与功率模块的开尔文源极电连接。通过本申请，解决了由于现有技术中功率器件的电感不匹配导致开关损耗较大的问题。

公开(公告)号：CN119314974B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411838928.7

申请日：2024-12-13

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 李浩 ,  梁玉 ,  郑超 ,  赵波 ,  金锐 ,  崔翔 ,  李哲洋 ,  赵志斌 ,  李学宝

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：基板，具有间隔设置的第一导电层和第二导电层；功率模块，位于第一导电层上，且功率模块的漏极与第一导电层电连接；互连结构，位于功率模块远离基板的一侧，功率模块和基板通过互连结构电气连接；源极连接器，位于第二导电层上，且与功率模块的开尔文源极电连接。通过本申请，解决了由于现有技术中功率器件的电感不匹配导致开关损耗较大的问题。

公开(公告)号：CN117438382A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311491470.8

申请日：2023-11-10

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 王亮 ,  梁玉 ,  周扬 ,  李文源 ,  赵志斌 ,  李学宝 ,  张朋 ,  唐新灵 ,  马慧远 ,  陈巍

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/14 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31

Abstract: 一种绝缘调控结构及其制造方法，所述结构包括复合绝缘涂层、高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板；所述复合绝缘涂层为多层结构；所述高压功率器件、覆铜陶瓷板、底板连接在一起，芯片电气连接通过引线键合、铜夹等工艺实现；所述覆铜陶瓷板为三明治结构，由上覆铜层、下覆铜层与中间陶瓷层连接制备。所述方法包括复合绝缘涂层的涂覆；实施外壳顶盖的安装与端子折弯工艺，完成器件制备。本发明优化封装结构电应力集中区域电场强度，提高器件绝缘特性，解决高压功率器件封装绝缘问题。

公开(公告)号：CN116995045A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311022874.2

申请日：2023-08-15

Applicant: 国网上海市电力公司 ,  北京智慧能源研究院 ,  华北电力大学

Inventor： 李文源 ,  石浩 ,  鲁燕青 ,  高凯 ,  曹培 ,  黄兴德 ,  魏晓光 ,  李学宝 ,  唐新灵 ,  赵波 ,  梁玉

IPC: H01L23/44 ,  H01L25/04 ,  H01B3/20

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及阀串结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体器件包括主体，所述主体内设有芯片单元，所述主体内设有油腔，所述芯片单元位于所述油腔中。该功率半导体器件可以通过油腔中填充绝缘油来有效减小器件的体积和寄生参数，同时提升器件的散热效率和对短时电流过冲的耐受能力，并且能够提升模块的绝缘能力，减少器件内部芯片的局部放电和沿面放电。

公开(公告)号：CN117096094B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311362406.X

申请日：2023-10-20

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 李浩 ,  李超 ,  赵波 ,  郑超 ,  金锐 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  李学宝 ,  李文源 ,  梁玉 ,  周扬 ,  王磊 ,  马小杰

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。

公开(公告)号：CN117096120A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311022871.9

申请日：2023-08-15

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司 ,  华北电力大学

Inventor： 李文源 ,  石浩 ,  魏晓光 ,  李学宝 ,  唐新灵 ,  赵波 ,  梁玉 ,  周扬 ,  赵曦

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01B3/20

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体封装结构的主体中设有芯片单元，主体上设有对芯片单元进行液冷散热的冷却腔。本申请还提供包括上述半导体封装结构的阀串结构。该半导体封装结构通过冷却腔对芯片单元进行液冷散热，能够提高半导体封装结构的散热能力和对短时电流过冲的耐受能力。该半导体组件通过散热腔中的绝缘油进行散热，提升了组件内部绝缘介质的介电强度，从而有效减小半导体组件的体积和寄生参数，另外还能够提升器件内部的绝缘性能。

公开(公告)号：CN117096094A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311362406.X

申请日：2023-10-20

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 李浩 ,  李超 ,  赵波 ,  郑超 ,  金锐 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  李学宝 ,  李文源 ,  梁玉 ,  周扬 ,  王磊 ,  马小杰

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。

公开(公告)号：CN117316357A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311408223.7

申请日：2023-10-27

Applicant: 国网上海市电力公司 ,  北京智慧能源研究院

Inventor： 赵波 ,  魏晓光 ,  鲁燕青 ,  高凯 ,  曹培 ,  黄兴德 ,  李学宝 ,  李浩 ,  郑超 ,  王亮 ,  唐新灵 ,  林仲康 ,  李文源 ,  梁玉 ,  周扬 ,  王磊

IPC: G16C60/00 ,  G06F30/20 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 一种复合互连材料设计方法，包括如下步骤：对互连层进行热力学仿真；判断互连材料特性；结合实际互连材料特性情况，不同区域应用相应热膨胀系数的材料，然后对新的互连层进行热力学仿真，得到更换区域材料之后的应力分布，与更换区域材料前应力进行对比，观察互连层内部应力是否减小至所需范围；互连层内部应力未减小至所需范围，则结合实际调整材料参数重新进行仿真计算；若互连层质量满足需求，复合互连材料设计完成。本发明提高了器件的使用寿命，为未来复合互连材料的设计提供了新思路，对于未来复合式的预成型焊片、焊膏、烧结材料等的设计制作提供了依据。