公开(公告)号：CN119881435A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510374476.X

申请日：2025-03-27

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 王靖飞 ,  魏晓光 ,  陈竟之 ,  唐新灵 ,  杜玉杰 ,  于克凡 ,  石浩 ,  韩荣刚

IPC: G01R19/25 ,  G06F30/20 ,  G06F30/10 ,  G01R15/18 ,  G01R15/20

Abstract: 本申请提供了一种电流检测线圈参数的确定方法与导体电流分布的检测方法，该方法包括：至少根据被测导体的尺寸预设虚拟检测参数，其中，虚拟检测参数至少包括虚拟模型参数和虚拟线圈的性能参数；基于法拉第电磁感应定律根据虚拟检测参数，确定电流检测线圈的真实性能参数，电流检测线圈的真实性能参数用于制备电流检测线圈，电流检测线圈用于检测被测导体的电流分布。采用该方法得到的性能参数制备得到的电流检测线圈对检测区域电流具有高灵敏度，且对非检测区域电流具有高屏蔽能力，实现了对局部电流有高识别能力的非侵入式检测。且该方法可根据不同的使用场景，定制化设计线圈所需性能，具有广泛的使用范围。

公开(公告)号：CN118737967A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410741451.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 林仲康 ,  张语 ,  唐新灵 ,  魏晓光 ,  石浩 ,  韩荣刚 ,  王亮 ,  张红丹

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L29/745 ,  H01B17/56

Abstract: 本公开涉及一种门极绝缘座及其使用方法、门极组件、半导体器件。门极绝缘座包括：绝缘基座及辐条引导装配通道。绝缘基座包括底座以及设置于底座的顶面上的内壁和外壁。辐条引导装配通道包括辐条进入缺口、辐条旋合卡槽和旋转导向槽。辐条进入缺口自底座的底面向上且向外延伸。辐条旋合卡槽自外壁的顶面向下且向外延伸。辐条旋合卡槽和辐条进入缺口沿竖直方向的正投影具有间隔。旋转导向槽连通于辐条进入缺口和辐条旋合卡槽之间。本公开优化了门极绝缘座与门极引出辐条的结构配合，能够简化门极组件的组装流程，并有效提升门极组件的连接稳定性和可靠性，进而提升半导体器件的性能及可靠性。

公开(公告)号：CN118522706A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410651682.6

申请日：2024-05-24

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 魏晓光 ,  唐新灵 ,  王亮 ,  林仲康 ,  代安琪 ,  石浩 ,  杜玉杰 ,  韩荣刚 ,  张红丹

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L29/74 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66

Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：CN222867675U

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202520594862.5

申请日：2025-04-01

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 唐新灵 ,  王亮 ,  魏晓光 ,  林仲康 ,  王耀华 ,  代安琪 ,  高佳敏 ,  韩荣刚

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/34

Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，公开一种功率半导体器件及其抗爆结构，该功率半导体器件包括芯片以及将芯片封装的管壳，芯片上设有阴极电极，阴极电极与管壳阴极连接，抗爆结构包括第一泄爆通道、第二泄爆通道以及泄爆空腔；第一泄爆通道贯穿设于阴极电极上并沿轴向延伸；第二泄爆通道设于管壳阴极上并沿轴向延伸，第一泄爆通道的一端与第二泄爆通道对应连通，另一端朝向芯片的一侧设置；泄爆空腔设于管壳阴极上，第二泄爆通道背离第一泄爆通道的一端与泄爆空腔连通，泄爆空腔能够将爆炸能量导出至管壳外部。本申请通过在阴极电极和管壳阴极上均设有泄爆通道，将内部的爆炸能量引导至泄爆通道，并经由泄爆空腔卸掉爆炸能量，从而提升管壳的抗爆能力。

公开(公告)号：CN222673025U

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202421306712.1

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 魏晓光 ,  林仲康 ,  唐新灵 ,  代安琪 ,  石浩 ,  刘瑞 ,  韩荣刚 ,  王亮 ,  杜玉杰 ,  郝炜

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/38

Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件的封装结构及半导体器件。该封装结构包括：衬底；电极层，所述电极层位于所述衬底的一侧，所述电极层包括多个环形电极结构，各所述环形电极结构以同心圆的方式排列，各所述环形电极结构之间相互绝缘；散热层，所述散热层位于所述电极层与所述衬底之间，所述散热层包括多个环形导电结构，所述环形导电结构朝向所述衬底的正投影与所述环形电极结构朝向所述衬底的正投影至少部分相交叠，所述环形导电结构与所述环形电极结构电连接。可以使得散热层各处在高温环境下均匀热膨胀，避免对衬底发生局部高强度磨损，从而可以降低半导体器件的失效风险，提高半导体器件的安全性、可靠性和稳定性，延长半导体器件的使用寿命。