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公开(公告)号:CN104649217B
公开(公告)日:2016-03-23
申请号:CN201410815965.6
申请日:2014-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种多MEMS传感器的单芯片加工方法,首先在第一衬底的背面加工第二处理电路模块与第二传感结构模块所需的腔体、键合区,在正面制作第一传感结构模块、金属焊盘和通孔;然后在第二衬底圆片的正面制作第二处理电路模块、第二传感结构模块、金属焊盘和键合区,在背面加工腔体;最后将集成了第一传感结构模块的第一衬底与集成了第二传感结构模块和第二处理电路模块的第二衬底在真空环境中进行硅-金属-硅键合形成键合片,按照划片道进行划片,形成多个片上微系统单芯片。本发明方法采用了双衬底方式,对传感器种类和电路种类几乎没有限制,集成度高,并且工艺兼容性强,非常适合用于微型传感器系统单芯片集成领域。
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公开(公告)号:CN103818874A
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN201410048811.9
申请日:2014-02-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法,该方法包括:(1)MEMS圆片上每个基底单元预留多个电路芯片放置区域,将电路芯片放置在MEMS圆片上,形成MEMS结构与处理电路的集成;(2)利用垂直互联技术,采用硅作为盖板,盖板上带有垂直通孔,通孔内部填充导电材料,形成结构的输入和输出端口;(3)盖板键合面有多个槽,用于提供MEMS器件工作所需的真空气密环境和电路所需的空间,盖板槽内部的吸气剂薄膜,用于维持真空度;(4)将盖板与MEMS圆片进行圆片键合,实现圆片级真空集成封装,该方法不仅工艺简单,适用范围广,效果显著,而且能够避免由于热膨胀系数带来的热应力,显著提高器件的温度系数。
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公开(公告)号:CN219610377U
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202320437368.9
申请日:2023-03-09
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L21/673
Abstract: 一种淡硼预扩散工艺石英舟,所述石英舟呈半圆柱体,圆柱体的内壁开有槽,槽内放有用于进行淡硼预扩散工艺的硅片和硼源片,且放置的硅片和硼源片均与水平面成5°的仰角。本实用新型石英舟旁边摆放隔热挡片,解决了以往淡硼预扩散工艺过程中固体硼源片易变形、硼预扩散过程中硅片与硼源片间距不一致导致硼预扩散后硅片方阻均匀性和批次间一致性较差的问题。
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公开(公告)号:CN212894947U
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN202021142102.4
申请日:2020-06-18
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种溅射工艺托盘装置,包括托盘本体(1)、基片卡位凹槽(2)、基片悬空底板(3)、取片口(4)、定位卡槽(5)、基片放置位置(6),采用基片卡位凹槽(2)及基片悬空底板(3)的设计,解决了以往托盘工艺过程中基片易滑出碎片、溅射工艺托盘存在加工过程中容易划伤基片背面的问题,同时利用取片口(4)使工艺操作更加便捷。
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