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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110923667A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911306771.2
申请日：2019-12-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/56
Abstract: 一种次级电子发射薄膜材料的高效简易制备方法，属于薄膜材料的制备技术领域。以表面光滑平整的硅片、银片、FTO玻璃为基底材料，以乙酸镁和乙酸锌作为主要前驱体物，氮气作为载气，在对基底加热的条件下，通过气凝胶化学气相沉积结合高温退火，制备获得MgO/MgO-ZnO薄膜。采用本发明方法制备次级发射薄膜材料具有制备工艺简单、成本低、掺杂元素和膜厚可控、成分均匀、次级发射系数高、耐电子轰击且发射性能稳定等优点。有望应用于多种光电倍增管、图像增加器、等离子显示器等器件中。
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公开(公告)号：CN109704377B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910069973.3
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微波烧结411铝酸盐电子发射物质的制备方法，属于稀土难熔金属阴极电子发射材料技术领域。利用分析纯的硝酸钡、硝酸铝及硝酸钙分别溶于去离子水中制成混合溶液，然后通过液相共沉淀的方法制备出411铝酸盐前驱粉末；最后使用微波烧结的方法制备出411铝酸盐电子发射物质。提高阴极电子发射水平。
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公开(公告)号：CN110303165B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910585566.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法，属于难熔金属阴极技术领域。阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体，之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。该方法所制备的阴极具有发射电流密度大，可重复性好等特点，适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。
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公开(公告)号：CN111560590A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010451953.5
申请日：2020-05-25
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微波烧结阴极覆膜用靶材的制备方法，属于合金靶材制备技术领域。采用亚微米锇粉为原料利用微波烧结，以碳化硅、氧化锆作为辅助加热材料，氧化铝作为保温材料，升温速率在20-30min/℃之间，整个烧结过程的功率都在2Kw以下。微波烧结升温速度快，在较短时间内可以升到较高的温度。微波与生坯耦合，整体加热，可以有效控制烧结坯晶粒长大并大大缩短烧烧结时间，获得相对较高致密度的细晶靶材。在微波烧结1500℃，保温60min下，获得的靶材样品致密度达到94％以上，晶粒尺寸在2μm左右。
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公开(公告)号：CN111128639A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911340811.5
申请日：2019-12-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微波烧结制备浸渍型的MM型阴极的方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。按照质量比15％～25％Ir粉与75％～85％W粉进行机械混合，并压制成生坯，经微波烧结得到阴极基体。相较于常规烧结，微波烧结不仅能大大缩短烧结时间，避免了晶粒异常长大，改变阴极的显微结构，得到结构均一、晶粒细小、高强度的阴极基体，而且可获得具有完整的多孔钨铱合金骨架结构的阴极基体，有利于活性盐的浸渍。微波烧结的基体既提高了基体强度又改善了阴极的浸渍量，从而提高了阴极强度和发射性能。
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