公开(公告)号：CN105226129B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510680838.4

申请日：2015-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘硕 ,  张良浩 ,  孙丹 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028

Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。

公开(公告)号：CN105226129A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510680838.4

申请日：2015-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘硕 ,  张良浩 ,  孙丹 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028

CPC classification number: H01L31/11 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035272

Abstract: 一种SiGe/Si异质结光敏晶体管探测器是一种兼顾效率和速度的可见光及近红外光探测器。该探测器包括Si衬底；在Si衬底上依次制备出的Si亚集电区、Si集电区/吸收层、Ge组份非均匀分布的SiGe基区/吸收层、多晶硅发射区和多晶硅吸收层；多晶硅发射区上的发射极；SiGe基区上的基极；Si亚集电区上的集电极。器件分离光探测吸收和光电流放大两个功能区，分别优化载流子的传输速度和电流放大功能。光电流放大区是基于标准SiGe BiCMOS工艺的SiGe HBT；在其光吸收区，利用HBT的发射结和集电结作为吸收区的浅结和深结，分别对应吸收长度短的可见光波段和吸收长度长的近红外波段，均衡全波段内的响应度。