公开(公告)号：CN102570301A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010616548.0

申请日：2010-12-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  任秀娟 ,  郭霞 ,  李硕 ,  史国柱 ,  李川川 ,  郝聪霞 ,  郭帅 ,  周弘毅 ,  苏治平 ,  陈树华

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187

Abstract: 双片集成可调谐垂直腔面发射激光器结构及制备方法属于半导体光电子器件领域。其结构一部分为微机电系统体结构薄膜(200)，另一部分为半结构的垂直腔面发射激光器(400)，通过粘合层(5)粘合在一起。微机电系统体结构薄膜从上到下包括有衬底(1)、腐蚀停层(2)、上分布反馈布拉格反射镜(100)；半结构的垂直腔面发射激光器从上到下包括有注入电极(6)、绝缘层(7)、P型欧姆接触(8)、电流限制层(9)、有源区(10)、下分布反馈布拉格反射镜(300)、n型砷化镓衬底(13)、衬底电极(14)；两部分通过粘合层粘合在一起形成中空结构空气隙(15)。本发明实现了双片集成可调谐垂直腔面发射激光器，达到激射波长的动态、可调的目的。

公开(公告)号：CN202142546U

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201120199948.6

申请日：2011-06-14

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭霞 ,  关宝璐 ,  周弘毅 ,  郭帅 ,  陈树华

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107

Abstract: 一种高增益雪崩二极管涉及半导体器件领域，具体涉及一种能够对微弱光进行探测的雪崩二极管。现有的雪崩二极管普遍由于热生载流子和高场产生的隧道电流的存在，存在室温下暗电流大的问题，这样直接导致信噪比小，增益低，因此通常需要低温下工作。高增益雪崩二极管包括有依次纵向层叠的n型欧姆接触电极，由n型重掺杂层，电荷倍增区，p型重掺杂层组成的雪崩区，吸收区，吸收区上设有p型欧姆接触电极和p型欧姆接触层，其特征在于，雪崩区横向尺寸为纳米级尺寸。该高增益雪崩二极管能够大大降低器件总的暗电流，从而提高器件增益，提高探测频率。