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公开(公告)号：CN114566423B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202011359732.1
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN112445995B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202011378932.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F16/958 , G06F16/957 , G06F16/29 , G06T17/05
Abstract: 本发明提供一种WebGL下的场景融合展示方法及装置，该方法包括：在Unity中构建小场景，并进行监控视频融合；通过Unity导出含有监控视频信息的WebGL文件，嵌入到网页中，并获取小场景周围的二维地图信息，嵌入到网页中；建立与小场景的通信，将小场景、二维地图和三维地球在网页中进行关联展示。该方法不仅对于宏观的三维地球场景有实时监控视频融合，添加了小场景对实时监控视频的融合，还结合了二维地图，能够更全面的了解到环境的情况。通过二三维地图联动，能够根据二维地图，对被监控区域发生的突发情况，做出及时有效的应对方案。
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公开(公告)号：CN114678264A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210220200.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种硅基III‑V族半导体材料的制备方法，该方法包括在硅衬底上至少两次重复生长以弱关联晶化为特征的III‑V族半导体基本外延结构单元。每个基本外延结构单元自下而上都包括低温层、中温层和高温层三层，且在高温层生长过程中须插入热循环退火。该方法使得低温层的顶部与底部区域实现彼此弱关联的晶化，同时使得高温层连同中温层的顶部区域与中温层底部区域实现彼此弱关联的晶态纯化，从而实现高温层晶体质量的优化。基于类似的机理，该基本外延结构单元的重复生长可进一步提高目标外延层(即完整结构顶部外延层)的晶体质量。采用本方法可制备穿透位错密度极低的硅基III‑V族半导体材料。
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公开(公告)号：CN113249961A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110448844.2
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: D06M11/74 , D01F6/70 , D06M101/38 , G01D5/16
Abstract: 本发明提供基于导电纤维网络的柔性器件结构及其制备方法与应用，该柔性器件结构包括：导电纤维网络和封装所述导电纤维网络的弹性体材料；导电纤维网络中相邻的导电纤维之间相互连接、内部连通，从一根导电纤维的内部到达另外一根导电纤维的内部存在多条通路，且所有导电纤维沿轴向具有多个细管状的贯通性空腔从而使得横截面均为多孔隙结构，导电纤维被弹性体材料包裹。本发明提供的柔性器件结构解决了现有基于导电纤维网络的柔性器件功能单一、集多功能于一身困难的问题，可实现吸波、温度传感、应变传感、压力传感等多种功能并能集多种上述功能于一身，可用于人体运动监测、生命体征监测、姿态矫正、智能感知、电磁屏蔽等场景。
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公开(公告)号：CN111999279A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010707325.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于小球阵列的柔性SERS基底及其制备方法，所述制备方法包括将形成在硬质基底表面的小球阵列完全埋入进柔性基底中，经软硬分离得到带有小球阵列的柔性基底，再通过去除部分所述柔性基底使得小球阵列从所述柔性基底表面暴露出来，在暴露出来的小球阵列的顶部区域沉积SERS活性层。本发明的方法制备工艺简单、快速、可控性与重复性好，无需传统光刻、电子束光刻、纳米压印等昂贵的微纳加工技术，无需对小球排布的层数进行控制，制备出的柔性SERS基底面积大(可达晶圆级)、成本低、均匀性好、抗弯折性能优，在高灵敏度柔性表面增强拉散射检测领域具有重要的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113249961B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110448844.2
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: D06M11/74 , D01F6/70 , D06M101/38 , G01D5/16
Abstract: 本发明提供基于导电纤维网络的柔性器件结构及其制备方法与应用，该柔性器件结构包括：导电纤维网络和封装所述导电纤维网络的弹性体材料；导电纤维网络中相邻的导电纤维之间相互连接、内部连通，从一根导电纤维的内部到达另外一根导电纤维的内部存在多条通路，且所有导电纤维沿轴向具有多个细管状的贯通性空腔从而使得横截面均为多孔隙结构，导电纤维被弹性体材料包裹。本发明提供的柔性器件结构解决了现有基于导电纤维网络的柔性器件功能单一、集多功能于一身困难的问题，可实现吸波、温度传感、应变传感、压力传感等多种功能并能集多种上述功能于一身，可用于人体运动监测、生命体征监测、姿态矫正、智能感知、电磁屏蔽等场景。
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公开(公告)号：CN111999279B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010707325.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种基于小球阵列的柔性SERS基底及其制备方法，所述制备方法包括将形成在硬质基底表面的小球阵列完全埋入进柔性基底中，经软硬分离得到带有小球阵列的柔性基底，再通过去除部分所述柔性基底使得小球阵列从所述柔性基底表面暴露出来，在暴露出来的小球阵列的顶部区域沉积SERS活性层。本发明的方法制备工艺简单、快速、可控性与重复性好，无需传统光刻、电子束光刻、纳米压印等昂贵的微纳加工技术，无需对小球排布的层数进行控制，制备出的柔性SERS基底面积大(可达晶圆级)、成本低、均匀性好、抗弯折性能优，在高灵敏度柔性表面增强拉散射检测领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN112434177A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011359710.5
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F16/532 , G06F16/58 , G06F16/583
Abstract: 本发明实施例提供一种三维模型检索方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：根据三维模型三角形网格确定三维模型连接组件，确定每个三维模型连接组件的轴对齐包围框；根据各个三维模型连接组件的轴对齐包围框的交点确定连接组件相邻图，以根据所述连接组件相邻图得到三维模型实例信息；根据所述三维模型实例信息与预设数据库中的实例信息进行相似性度量，以实现三维模型检索。通过根据三维模型确定三维模型连接组件，从而得到各个连接组件相邻图，根据各个连接组件相邻图最终将三维模型分解为多个实例，从而在三维模型中存在多个三维对象时，能充分考虑多个三维对象的特点进行三维模型检索，有效提高检索准确度。
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公开(公告)号：CN112151629A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011003961.X
申请日：2020-09-22
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏、气体传感、电子元器件等领域。
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公开(公告)号：CN107992659B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711189391.6
申请日：2017-11-24
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F30/367 , H01L33/00 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种超辐射发光二极管的优化方法，包括：S1，基于分数维度电子态系理论，根据超辐射发光二极管有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取其有源区载流子联系分谱密度CSD曲线、载流子联系浓度和载流子联系谱效因子；载流子联系谱效因子为CSD曲线峰值平方与载流子联系浓度之比；S2，调节有源区厚度、导带准费米能级和价带准费米能级，获取有源区优化厚度，即CSD曲线呈单峰状时载流子联系谱效因子和CSD曲线的‑3dB带宽的乘积的最大值对应的有源区厚度；S3，基于有源区优化厚度设计超辐射发光二极管。本发明提供的方法，通过优化有源区厚度增大了功率带宽乘积，有效地提高了超辐射发光二极管的综合性能。
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