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公开(公告)号：CN111293210B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811491104.1
申请日：2018-12-07
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、超声波传导材料以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面，超声波传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820712A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011642597.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 本申请公开了一种三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法。三维异质集成的扇出型封装结构包括：基板上侧设置有凹槽，凹槽用于放置芯片，凹槽底部设置导电柱，导电柱贯穿基板并连接对应的芯片，第一金属互联层连接对应的导电柱，第一固定层设置在基板上侧，第二金属互联层设置在基板下侧，第二金属互联层连接对应的导电柱，第二金属互联层用于使芯片之间电连接，第二固定层设置在基板下侧，微焊结构连接对应的第二金属互联层，微焊结构用于形成封装结构的焊点。通过在同一基板的凹槽中设置芯片，并通过导电柱与金属互联层将对应的芯片之间电性连接，实现了三维的异质集成结构，满足了小尺寸、高密度、低成本的封装需求。
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公开(公告)号：CN111241867A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811429713.4
申请日：2018-11-28
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K9/00 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/25
Abstract: 一种具悬浮结构的晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，复合层具有沟槽，沟槽连通保护层的上表面、保护层的下表面及贯通槽，且沟槽围绕超声波体周围的一部分且超声波体对应于贯通槽，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的一上表面之间形成空间，空间连通沟槽。
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公开(公告)号：CN112216784B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201910627340.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种晶圆级超声波感测装置及其制造方法，所述晶圆级超声波感测装置包括基板组件、超声波元件、第一保护层、第一导电线路、第二导电线路、第二保护层、传导材料、电性连接层及焊接部。基板组件包含第一晶圆及第二晶圆，第二晶圆覆盖第一晶圆上的凹槽而界定出中空腔体。超声波元件与中空腔体的投影叠合。第一保护层围绕超声波元件。第一晶圆、第二晶圆、第一保护层在第一侧表面与第一导电线路共平面，在第二侧表面与第二导电线路共平面。第二保护层具有开口，传导材料在开口内且接触超声波元件。电性连接层设置于第一侧表面及第二侧表面，焊接部连接电性连接层。
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公开(公告)号：CN111403591B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201811530871.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H10N30/87 , H10N30/50 , H10N30/30 , H10N30/01 , H10N30/057
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级超声波芯片组件及其制造方法，其中晶圆级超声波芯片组件包含晶圆基板、超声波元件、第一保护层、导电线路、第二保护层、传导材料、特用芯片、导电柱及焊接部。晶圆基板包含贯通晶圆基板的贯通槽。超声波元件曝露于贯通槽。导电线路位于第一保护层上，并连接超声波元件。第二保护层覆盖导电线路，第二保护层具有对应于超声波元件的开口。传导材料接触超声波元件。特用芯片连接晶圆基板，使贯通槽在特用芯片及超声波元件间形成空间。导电柱设置于贯穿特用芯片、晶圆基板及第一保护层的穿孔中，并分别连接导电线路及焊接部。
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公开(公告)号：CN111403591A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811530871.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/113 , H01L41/22 , H01L41/277
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级超声波芯片组件及其制造方法，其中晶圆级超声波芯片组件包含晶圆基板、超声波元件、第一保护层、导电线路、第二保护层、传导材料、特用芯片、导电柱及焊接部。晶圆基板包含贯通晶圆基板的贯通槽。超声波元件曝露于贯通槽。导电线路位于第一保护层上，并连接超声波元件。第二保护层覆盖导电线路，第二保护层具有对应于超声波元件的开口。传导材料接触超声波元件。特用芯片连接晶圆基板，使贯通槽在特用芯片及超声波元件间形成空间。导电柱设置于贯穿特用芯片、晶圆基板及第一保护层的穿孔中，并分别连接导电线路及焊接部。
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