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公开(公告)号：CN114938686A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202180007620.6
申请日：2021-10-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 一种钴酸锂层状正极材料及其制备方法和应用。钴酸锂层状正极材料，在其晶体结构的锂层中含有钴，实现了大于或等于4.5V的高电压充放电过程中可逆的结构相变及可逆的氧变价反应，提高了钴酸锂材料的可逆嵌锂量和克容量，从而在高电压充放电条件下表现出优异的电化学性能。并且，在锂层中含钴的钴酸锂层状正极材料的制备方法简单，易于大规模的工业化生产。
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公开(公告)号：CN111200041B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202010157191.8
申请日：2020-03-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01B1/22 , H01L31/068 , C03C8/24 , C01B19/00
Abstract: 本申请公开了一种晶体硅太阳电池中的氮化硅的刻蚀方法及应用。本申请的晶体硅太阳电池中的氮化硅的刻蚀方法，包括采用亚碲酸银刻蚀晶体硅太阳电池的氮化硅。本申请的刻蚀方法，采用亚碲酸银对氮化硅进行刻蚀，烧结温度低，可以完全替换现有的刻蚀剂PbO，实现无铅化低温烧结；并且，亚碲酸银刻蚀产生的单质银能够在硅发射极上原位二维生长成纳米银，与发射极的硅形成良好的欧姆接触，有利于降低银‑硅接触电阻，提高太阳电池效率。
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公开(公告)号：CN114702240A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210399666.3
申请日：2022-04-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C03C3/12 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种玻璃组合物及其制备方法和应用。本申请玻璃组合物中含有纳米晶，玻璃组合物通式为TexPbyWzMmOn，其中x、y、z、m、n为原子化学计量比，M为掺杂元素；纳米晶为Te、Pb、W的至少一种元素与O形成的纳米晶体，或掺杂元素形成纳米晶体。本申请的玻璃组合物，提高了与银相互作用，窗口可调，适用于不同类型银粉；具有良好电学和力学性能；能大量溶解银，有效与氮化硅减反层反应，烧结完后出大量银颗粒，形成良好欧姆接触，降低界面复合，使得载流子更加容易到达银栅线中被收集，从而提高开压和短路电流，增加硅太阳电池电池的光电转换效率。本申请玻璃组合物与硅基材结合力强，易于钎焊，与铜锡焊带结合牢固。
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公开(公告)号：CN110801855A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810885926.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种过渡金属和氮共掺杂碳材料的制备方法和应用。本申请的过渡金属和氮共掺杂碳材料制备方法，包括采用凝胶吸取过渡金属盐溶液，其中，氮以氮元素的形式包含于凝胶中或者以氮源的形式包含于过渡金属盐溶液中，然后去除凝胶中的溶剂，获得凝胶块前驱体，对凝胶块前驱体进行热处理，即获得过渡金属和氮共掺杂碳材料。本申请的制备方法，成本低、原料来源丰富、合成工艺简单、条件温和，特别适用于大规模的工业化生产。并且，本申请制备的过渡金属和氮共掺杂碳材料，比表面积大，过渡金属和氮的掺杂均匀，电催化性能优异，特别适用于电化学氧气还原反应，为制备高品质的ORR催化剂奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110021672A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910309794.2
申请日：2019-04-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , H01B1/16 , H01B1/22
Abstract: 本申请公开了一种用于制备光伏电池背面导体的组合物、铝浆和光伏电池。本申请的组合物包括电子阻挡材料和玻璃料；电子阻挡材料包括Fe2O3、Al2O3和MoO3中的至少一种，或者还包括Cr2O3、NiO、V2O5、WO3和MoS2中的至少一种；玻璃料包括SiO2、B2O3和Bi2O3，或者还包括ZnO、Li2O、Na2O、MgO、CaO、Hf2O、CuO、TiO2、Sb2O3和Cr2O3中的至少一种。本申请的组合物，将其添加到铝浆中，不仅可以烧结后形成更厚的BSF层，并且能减少载流子的复合，提升太阳能电池的短路电流，提升光电转换效率，改善铝背场的力学和化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110015851A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910310455.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C03C12/00 , C03B5/16 , H01B1/16 , H01L31/0224
Abstract: 本申请公开了一种用于制备太阳能电池银浆的玻璃粉及其应用。本申请的玻璃粉包括在贵金属、铅和碲玻璃粉体系中，添加金属氧化物和非金属氧化物；贵金属用量为玻璃粉总重量的8-55％，铅用量为10-50wt％，碲用量为10-50wt％，其它金属氧化物用量为1-60wt％，其它非金属氧化物用量为5-60wt％。本申请率先用贵金属-铅-碲体系作为太阳能电池银浆的玻璃粉，并添加特定组分和含量的金属氧化物和非金属氧化物，减低铅用量，更安全环保；且玻璃粉软化点低，能实现太阳能电池银浆低温烧结，有效的与氮化硅减反层反应，在银硅界面还原出大量银颗粒，形成良好欧姆接触，使N层硅中电子更易被银栅线收集，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108330456A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810097176.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/3485 , C23C14/50 , C23C14/548
Abstract: 本申请公开了一种高通量材料制备的装置及其应用。本申请的装置，包括基片台、材料共混区、基片台移动系统、溅射源和溅射电源；基片台上安装有若干个可组装延伸的基片单元；溅射源包括若干个不同靶材料的溅射阴极，各溅射阴极独立控制，使用时，所有溅射阴极的束流汇集于材料共混区；材料共混区为不同靶材料的溅射材料的混合区域；基片台移动系统控制基片台移动，使基片单元依序通过材料共混区，进行磁控溅射。本申请的装置，可以实现不同材料按不同比例沉积，从而制备出一系列的新材料，并且可以实现持续的高通量生产，极大的方便了新材料的研发以及材料基因组材料库建库。
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公开(公告)号：CN105047863A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510312732.9
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M10/0525
Abstract: 本申请公开了一种用于锂电池的正极材料及其制备方法。本申请的正极材料，其的主要活性成份为微米级的高容量活性材料，高容量活性材料的表面均匀的包覆有至少一层纳米磷酸铁锂层。本申请的正极材料，创造性的采用循环稳定性好而容量低的正极材料作为包覆层，对容量高，但稳定性较差的正极高容量活性材料进行包覆；并且采用机械旋转的方式进行包覆处理，无需额外的加热或其它处理；最大程度的保持了正极材料的自身性能；并且，机械旋转包覆后，包覆层致密均匀；既能有效的提高包覆正极材料的稳定性和整体性能，又能有效的将被包覆的正极高容量活性材料与电解液隔开，从而避免其与电解液发生副反应，提高包覆正极材料的循环性能。
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公开(公告)号：CN105018891A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510313511.3
申请日：2015-06-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请公开了一种用于PBIID批量生产的工件架、装置及生产方法。本申请的用于等离子体基离子注入与沉积批量生产的工件架，包括用于放置工件的架体，以及罩设于架体外的网状导电栅，网状导电栅与架体之间绝缘。本申请的工件架，在架体外罩设网状导电栅，负高压不连接在架体和工件上，而是连接在网状导电栅上，实现离子加速，避免了高压电源输出总功率对处理工件数量的限制，杜绝了工件打火问题；同时，也不存在因工件之间的距离太近造成等离子体鞘层重叠，影响离子加速过程的问题。本申请的工件架，解决了等离子体基离子注入与沉积产业化过程中的三个重要技术问题，特别适合于大规模的批量工件镀膜生产。
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公开(公告)号：CN114649429B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210256027.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种氧化镍基自偏压光电探测器及其制备方法和应用。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，包括基板和固定在基板上的光电结构，光电结构包括光敏半导体层和阻挡半导体层，以及对电极薄膜层；光敏半导体层为二氧化钛和/或金属掺杂二氧化钛形成的n型半导体材料层；阻挡半导体层为氧化镍形成的p型半导体材料层。本申请的氧化镍基自偏压光电探测器，作为阻挡半导体层的氧化镍禁带宽度大、可见光的透过性好，与二氧化钛配合，能降低异质结的界面失配，p型NiO材料与n型TiO2界面的内建势垒高，具有更高耗尽区自建电势，从而拥有更高光电转化能力；通过能带和界面调整，形成优化的pn型异质结，提高器件在高速条件下的光电响应。
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