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公开(公告)号:CN118223000A
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202410326417.0
申请日:2024-03-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜、金刚石薄膜制备工艺及电子器件,制备工艺包括:选取表面抛光的异质衬底;对所述异质衬底进行预处理,使所述异质衬底的表面形成金刚石晶种层;在所述异质衬底上生长金刚石薄膜层,形成第一中间产物;将两片第一中间产物以金刚石薄膜层相对的方式贴合,形成第二中间产物;将所述第二中间产物上位于两个外表面的异质衬底剥离,得到双面光滑的金刚石薄膜层。本发明能够使剥离出来的金刚石的成核面与衬底抛光面的粗糙度趋于一致,有利于尽可能地使金刚石薄膜的粗糙度达到纳米级别,同时金刚石薄膜的制作尺寸不受限制,因而能够在低成本的前提下获得尺寸和表面粗糙度均能满足实际使用需求的金刚石薄膜。
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公开(公告)号:CN217869190U
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN202222244009.X
申请日:2022-08-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/12 , C30B25/14 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本实用新型公开了一种提高多片机晶圆生长均匀性的装置,包括支撑杆和设置于所述支撑杆上的载盘,所述支撑杆受驱旋转时,所述载盘随之旋转,所述载盘上设有用于放置晶圆的托盘,所述载盘和所述托盘之间设有导气盘,借由所述导气盘向所述托盘提供气流驱动所述托盘转动。通过支撑杆带动载盘进行公转,通过导气盘向托盘提供倾斜气流驱动托盘自转,进而实现卫星旋转,最终实现晶圆厚度成环状均匀分布,且晶圆中心与边缘厚度也均匀分布。
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